氨化磁控溅射Ga2O3/BN薄膜制备GaN纳米棒

利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga2O3/BN薄膜,在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米棒.用X射线衍射(XRD)、选区电子衍射(SAED)、傅立叶红外透射谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和光致发光谱(PL)对样品的晶体结构、元素成分、形貌特征和光学特性进行了分析.结果表明GaN纳米棒为六方纤锌矿结构的单晶相,其直径在150 nm～400 nm左右,长度可达几十微米.室温下光致发光谱的测试发现了较强的372nm处的强紫外发光峰和420nm处的蓝色发光峰.     

氨化磁控溅射Ga2O3/BN薄膜制备GaN纳米棒

利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga2O3/BN薄膜,在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米棒.用X射线衍射(XRD)、选区电子衍射(SAED)、傅立叶红外透射谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和光致发光谱(PL)对样品的晶体结构、元素成分、形貌特征和光学特性进行了分析.结果表明:GaN纳米棒为六方纤锌矿结构的单晶相,其直径在150 nm～400 nm左右,长度可达几十微米.室温下光致发光谱的测试发现了较强的372nm处的强紫外发光峰和420nm处的蓝色发光峰.     

Growth of ZnO Nanostructures on Metal-Filled Porous Silicons

在多孔Si上使用不同催化剂成功生长ZnO纳米结构。结果表明,Au作催化剂在Si衬底上得到末端呈六角形的ZnO纳米棒,Cu作催化剂在Si(100)和(111)分别上生长出带状和棒状纳米ZnO,Zn作催化剂在Si衬底上则获得ZnO纳米线。Zn催化制备的ZnO纳米线晶面间距为0.283nm,生长方向是[0110],具有结晶较好的六角纤锌矿晶体结构。比较了不同催化剂制备ZnO的光学性能,发现得到Zn催化制备的ZnO纳米线缺陷绿光峰最弱,因此Zn催化生长制备的纳米ZnO结构质量较好。空气中退火后,3种催化剂生长的纳米ZnO的缺陷发光峰位置不变,而强度变弱。     

孪晶SiC纳米线的制备、结构及光致发光(英文)

以含碳的二氧化硅干凝胶为原料,采用碳热还原法制备了孪晶结构β-SiC纳米线。通过场发射扫描电镜、X射线衍射和高分辨透射电镜等测试分析表明,SiC纳米线具有六角形的横截面,直径50～300nm,沿着纳米线生长方向具有准周期性的(111)面孪晶结构。结合气-固生长机理及(111)密排面堆垛次序的变化讨论了孪晶纳米线的生长机理。光致发光谱表明,SiC纳米线在470nm附近有数个相对β-SiC体单晶的发光特征蓝移,且分裂的发光峰。这种发光现象可解释为堆垛层错导致相互隔离的β-SiC纳米片段的量子尺寸效应。     

氧化锌纳米棒束的制备、表征及性质研究

以水合醋酸锌和水合肼为反应物,在不使用任何表面活性剂的条件下,采用一种简单温和的液相法制备了氧化锌纳米棒束.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对所得产物的结构和形貌进行了表征,利用荧光光谱仪对产物的室温发光性质进行了测试.测试结果证明所得产物为定向排列的纳米棒自组装而成的尺寸均匀、结晶良好的氧化锌纳米棒束,单根纳米棒的直径20～30 nm,其相结构为六方纤锌矿氧化锌.所得产物在紫外区381 nm处具有一个尖锐的发光峰,在400～600 nm的可见光区域的发光被显著减弱,显示了优良的发光性质.     

ZnO纳米棒的制备及光催化性能研究

采用水热法制备ZnO纳米棒。利用X射线粉末衍射(XRD)仪和透射电镜(TEM)对其结构和形貌分别进行表征,并通过紫外-可见分光光度计分析ZnO纳米棒光降解甲基紫来研究其光催化活性。结果表明,以氢氧化钠和醋酸锌为原料,聚丙烯酰胺为表面活性剂制备得到直径约26nm,长度达400nm的单晶纤锌矿结构的ZnO纳米棒。添加ZnO纳米棒光催化剂时的光降解率为70%,未加ZnO纳米棒的光降解率为30%,表明ZnO纳米棒具有很好的光催化活性。     

镊子状GaN纳米材料的合成、机理及光致发光特性

报道了1种新形态的GaN低维纳米材料--镊子状纳米GaN的合成及其新颖的光致发光特性.首先,对单晶MgO基片表面进行化学刻蚀,使其表面形成规则的小山峰样突起结构.随后,通过金属镓与氨气反应,在经上述特殊处理后的立方MgO单晶基片上,首次成功地合成出镊子状纳米GaN.场发射扫描电镜、能量损失谱、X-Ray衍射、透射电镜及选区电子衍射结果表明镊子状纳米GaN是由底部的1根直径大约为100 nm～150 nm的纳米棒和上部的2根直径大约为40 nm～70nm的纳米针组成;纳米镊子是具有立方闪锌矿结构的GaN单晶.光致发光谱研究表明,镊子状纳米GaN在450nm左右有1个宽的强发光峰,该发光峰处于蓝带发光区.此外,在418 nm,450 nm及469 nm处各有1个劈裂峰.     

MgO单晶一维纳米结构的制备与表征

研究气相法制备MgO一维纳米结构的简单工艺途径.采用直接热蒸发镁粉的化学气相沉积法在不同条件下分别制备了MgO的纳米棒、纳米线、直角网络结构纳米线、晶须等单晶一维纳米结构.温度、氧分压和过饱和MgO蒸气压等参数对形貌具有重要影响.X射线衍射和选区电子衍射确定MgO纳米结构为立方晶系.扫描电镜和透射电镜对不同产物的形貌进行表征,显示其生长受到气一固生长机制控制.光致发光表明MgO纳米线在381 nm处出现强烈的紫色光发射宽峰.     

激光原位制备ZnO纳米柱形貌及光学特性

利用NEL-2500A轴向快速流动CO2连续激光辐射金属锌板(纯度为99.99wt%)同轴输送氧气,在金属锌板表面上原位制备氧化锌纳米柱晶体,晶体的底面直径为60～70nm,高度约为150nm。利用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)、X射线能谱仪(EDX)以及光致发光(PL)等试验对原位制备的ZnO纳米柱的形貌、组成成分、相结构以及光致发光性质进行了表征,并对ZnO纳米柱生长晶体的机理进行了分析。结果表明,利用本文方法能够制备纯度较高ZnO纳米柱晶体,ZnO纳米柱为单晶结构并沿〈0001〉方向生长,其结晶形貌取决于发生反应局部区域氧气的过饱和度。     

热化学气相沉积法制备Sialon纳米带及性能研究

以Si粉、Al粉、α-Al2O3为原料,采用热化学气相沉积法在1550℃下保温3 h,得到纯β-Si5Al ON7纳米带,宽50~600nm,厚5~50 nm,宽厚比大于5,长度长达几百微米甚至数毫米,主要沿[101]晶面生长。利用X射线衍射(XRD)、能谱(EDS)、场发射扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、透射电镜(TEM)、高分辨率透射电镜(HRTEM)、选区电子衍射(SEAD)、红外光谱、光致发光光谱(PL)等检测手段,对所得样品进行成分、形貌、结构、物性的分析。由于Al-O与Si-N的替换产生的结构缺陷导致纳米带具有发光性能。     

Ag/SiO2核-壳结构球的制备与光学性质

采用St(o)ber方法,以AgNO3与柠檬盐钠还原反应所制备出的Ag纳米颗粒为种子,合成了Ag/SiO2核-壳结构的亚微米球.用透射电镜(TEM)观测所得产物的形貌和大小,并用光吸收谱仪测试了Ag纳米颗粒的表面等离子体共振(SPR)引起的光吸收峰.     

纳米碳化硅抛光液的制备及其对蓝宝石晶片抛光性能的研究

制备了一种纳米SiC抛光液,用透射电镜观察其粒子形貌,通过纳米粒度仪研究了分散剂种类对悬浮液中SiC的粒径分布和Zeta电位的影响,并用制备的抛光液对蓝宝石晶片进行化学机械抛光。使用原子力显微镜观察蓝宝石晶片抛光后的表面形貌。结果表明:SiC磨料在以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)作为分散剂的悬浮液中分散效果最好;在相同试验条件下,采用质量分数1%的SiC抛光材料的去除速率最大,为24.0 nm/min,获得蓝宝石晶片表面质量较好,表面粗糙度R a为2.2 nm。     

氧化锌纳米线束合成及发光性质的研究

利用水合醋酸锌粉作为锌源，十二烷基苯磺酸钠（DBS）作表面活性剂，通过改进的微乳液法，在较低温度下制备出形貌均一的ZnO纳米线束。对样品进行了XRD图谱、扫描电镜（TEM）、透射电镜（SEM）、高分辨透射电镜（HRTEM）、选区电子衍射像（SAED）和光致发光（PL）性能研究。该线束由直径约为30-50nm，长度约为1．5～2．5／μm的ZnO纳米线定向聚集组成，其中，纳米线为六方纤锌矿结构的ZnO单晶纳米线，并且沿（002）晶面生长。其激发发射光谱显示样品存在两个发射带：近紫外发射峰（386nm）和一个黄绿光的发光区，紫外半峰宽约为20nm，纳米线的尺寸和形貌对光谱峰宽和谱峰位置有一定影响。     

牺牲模板法制备铌酸钾纳米棒单晶及其二次谐波产生（英文）

首次使用五氧化二铌纳米棒作为原料通过水热反应合成出60~150 nm宽、几个微米长的高产率、斜方晶系铌酸钾纳米棒晶体。使用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)、选区电子衍射技术(SAED)对铌酸钾纳米棒晶体的形貌和结构进行了表征。合成的铌酸钾纳米棒表现出二次谐波产生响应,并发射出高效率的纳米二次谐波光线。铌酸钾纳米棒晶体沿着[001]方向生长。合成的铌酸钾纳米棒以其优异的非线性光学性能在纳米光学器件中的应用具有很好的发展前景。     

Ag包覆Ni复合纳米粉体的制备及其导电性能

用化学镀法,以葡萄糖为还原剂,制备了Ag包覆Ni复合纳米粉体,并用制备的复合纳米粉作为导电相配制了导电浆料。用XRD、TEM和电阻率测定等手段研究了粉体的相结构、形貌、粒度和导电性能。结果表明,制备的Ag包覆Ni复合纳米颗粒具有壳/核结构,核为纳米Ni,壳为Ag,复合纳米颗粒粒度分布为20~100 nm,Ag层的厚度约为4 nm。Ag包覆Ni复合纳米粉导电浆料在1.33 Pa的真空下,采用200℃/60 min的烧结工艺,可制得电阻率为(1.26~2.83)×10-4Ω·cm的导电膜,其导电性能优于纳米Ni粉、纳米Cu粉和纳米Ag-Cu合金粉导电浆料。     

ZnO纳米晶的合成、掺杂及发光性能研究

以Zn(NO_3)_2、(NH_4)_2CO_3与Y(NO_3)_3为初始原料,采用水热法制备了棒状和枝状ZnO及掺杂Y的ZnO纳米晶.采用XRD、Raman、FESEM 、EDAX和PL方法对合成产物形貌与发光性能进行表征.XRD与Raman的研究结果表明,合成的棒状和枝状ZnO纳米晶为六方纤锌矿单晶;XRD与FESEM的测试结果表明,pH值对水热产物的晶相及形貌有重要的影响;XRD结合EDAX的分析结果表明,热处理后的水热产物中Y元素掺入了ZnO基体;ZnO及ZnO-Y_2O_3的纳米晶PL谱的结果表明,产物的发光性能与制备方式有关,与此同时,ZnO-Y_2O_3纳米晶的本征发光峰发生红移,其结果与Y元素与ZnO之间的能量传递有关.     

High-concentration Facile Synthesis of Self-assembled Micronsized Flower Silver Particles by Stainless Steel- Assisted Vitamin C Reduction Method

以Ag NO3为原料,在不锈钢辅助的条件下,通过Vc还原的方法快速合成了微米花球状Ag。产物的形貌和相结构用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线粉末衍射(XRD)进行了表征。通过改变反应温度和不锈钢可以获得1~6μm的片状花球Ag和棒状花球Ag。对花状Ag的形成机理进行了探讨,其花状结构由多个纳米片或纳米棒团聚而成。     

基于紫外光辐照法制备CuSe/ZnSe核壳结构纳米粒子

本文成功制备出以CuSe为核心、ZnSe为壳层,具有核壳结构的CuSe/ZnSe纳米粒子。首先采用回流冷凝法制备出CuSe纳米粒子（NPs）。然后,采用一种简单、快速的光化学方法即紫外光辐照法,室温下在CuSe NPs外包覆ZnSe壳层,最终得到CuSe/ZnSe核壳结构纳米粒子。利用X射线衍射(XRD)、能量色散谱仪(EDS)、透射电镜(TEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)和光致发光光谱(PL)对合成的CuSe/ZnSe核壳NPs进行了表征。结果分析表明,合成的CuSe纳米粒子具有六方相结构,粒径平均大小在12 nm。制备出的CuSe/ZnSe纳米粒子的核壳结构清晰,生长的ZnSe壳层为立方闪锌矿结构,粒径大小约为15~45 nm。通过ZnSe壳层的包覆使CuSe在475 nm处产生蓝光发射,同时荧光强度显著增强。     

化学溶液沉积法制备氧化锌纳米棒阵列

利用化学溶液沉积法,以Zn(CH3COO)2·2H2O、六次甲基四胺为原料制备了规整而有序的ZnO纳米棒阵列.用FESEM、XRD等考察种子液浓度、反应溶液浓度等对2nO纳米棒表面形貌、晶粒大小及晶体结构的影响.结果表明,制备的ZnO纳米棒的直径随反应溶液浓度增大而增大,纳米棒垂直于基底沿着(002)面生长.紫外可见吸收光谱表明,ZnO纳米棒对300～400nm波长范围的光有很强吸收性;在500～700nm有一个相对比较弱的吸收峰,光致发光谱图中在384 nm处有一个近紫外带边发射峰.     

氧化锌纳米棒的水热法制备和抑菌性能的研究（英文）

采用水热法制备了ZnO纳米棒。采用琼脂稀释法研究商业纳米ZnO颗粒和水热法制备纳米ZnO棒对大肠杆菌抑菌作用的差异性。利用透射电镜、X射线衍射仪、比表面积测试仪、对大肠杆菌最小抑菌浓度进行表征。结果表明:ZnO纳米棒的粒径(约96 nm)比商业颗粒纳米ZnO(约185 nm)要小的多,ZnO纳米棒衍射峰宽值相对于商业ZnO纳米颗粒的要更宽,晶粒度更小(根据谢乐公式ZnO为98.203l nm,商业ZnO为189.3206,nm);.ZnO纳米棒(5.4759 m~2/m)的比表面积比商业ZnO纳米颗粒(3.6081 m~2/g)的更大,依据抗菌性原理,这两种指标皆表明ZnO纳米棒的抗菌性能相对较好,在最小抑菌浓度试验中,商业氧化锌纳米颗粒和水热法制备氧化锌纳米棒的最小抑菌浓度分别为0.22%和0.12%;ZnO纳米棒对大肠杆菌的抑制作用高于商业ZnO纳米颗粒对其的抑制作用。