CdS／CdTe－CdS／Cu_2S异质二重结薄膜太阳电池的设计与计算

根据半导体材料的性能参数，考虑光电压Ｖ和耗尽区宽度Ｗ的变化对光电流ＪＬ的影响，较严格地计算了ＣｄＳ／ＣｄＴｅ和ＣｄＳ／Ｃｕ２Ｓ两种异质结单晶薄膜太阳电池的光伏特性曲线。然后在的条件下，对由上述两种异质结构成的二重结太阳电池的ＣｄＴｅ、Ｃｕ２Ｓ厚度进行匹配，计算各种组合下二重结太阳电池的光伏特性曲线。理论证明最佳匹配厚度Ｈｍａｘ约为９．０６μｍ，最大短路电流、开路电压、转换效率分别为１４．２２ｍＡｃｍ－２、１．３Ｖ和１４、６８％。     

SnO_2／p接触特性对a－Si太阳电池填充因子的影响

用ＰＥＣＶＤ方法制备出高电导率（～０．２ｓｃｍ－１）、宽带隙（～２．２ｅＶ）的Ｐ型微晶化硅碳合金（ｐ－μｃ－ＳｉＣ：Ｈ）薄膜材料。利用ｐ－μＣ－ＳｉＣ：Ｈ／ｐ－ａ－Ｓｉ：Ｈ复合结构做ａ－Ｓｉ太阳电池的窗口材料，明显改善了ＳｎＯ２／ｐ之间的接触特性，从而使１０ｃｍ×１０ｃｍ单结集成型电池的填充因子从０．７０以下提高到０．７２。     

CdS／CdTe—CdS／Cu2S异质二重结薄膜太阳电池的设计与计算

根据半导体材料的性能参数，考虑光电压Ｖ和耗尽区宽度Ｗ的变化对光电流ＪＬ的影响，较严格地计算了ＣｄＳ／ＣｄＴｅ和ＣｄＳ／Ｃｕ２Ｓ两种异质结单晶薄膜太阳电池的光优特性曲线。然后在Ｊ＾ⅠＳＣ＝Ｊ＾ⅡＳＣ的条件下，以由上述两种异质结构成的二重结太阳电池的ＣｄＴｅ，Ｃｕ２Ｓ厚度进行匹配，计算各种组合下二重结太阳电光伏特性曲线。理论证明最佳匹配厚度Ｈｍａｘ约为９．０６μｍ，最大短路电流、开路电压、转移效率分别     

大面积集成型a－SiC：H／a－Si：H叠层太阳电池的研制

报道了大面积（２７９０ｃｍ２）集成型ａ－ＳｉＣ：Ｈ／ａ－Ｓｉ：Ｈ叠层太阳电池的研制及稳定性实验结果，讨论了限制该电池效率的一些因素。实验电池的性能参数：Ｖｏｃ＝４０．８Ｖ，ＩＳＣ＝５３０．４０ｍＡ，ＦＦ＝４９．４％，有效面积（２２８０ｃｍ２）光电转换效率ＥＦ＝４．６９％（ＡＭ１．５，１００ｍＷｃｍ－２，２５℃）。制备出光电子学性能优良的ａ－ＳｉＣ：Ｈ薄膜及解决电池内部ｎ／Ｐ结的接触问题是提高该电池性能的关键。     

某些稀土离子对电沉积 CdTe 薄膜性能影响的研究

ＣｄＴｅ薄膜半导体电极通过电沉积法制备。电沉积溶液组成对ＣｄＴｅ薄膜组成和性能有较大影响，通过在电镀液中添加某些稀土离子，结合ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＸＰＳ和光电Ｉ－Ｖ特性曲线进行分析研究，表明电沉积ＣｄＴｅ薄膜存在择优取向，经２５０℃热处理后，晶粒长大，镀液中添加Ｙ３＋、Ｌａ３＋、Ｃｅ３＋和Ｎｄ３＋后增大尤为明显，晶粒线性尺寸最大达２．５—３．０×１０－７ｍ左右，并伴有孪晶产生，可提高薄膜Ｃｄ／Ｔｅ比等，有利于提高ＣｄＴｅ光电性能。经测试，其光电转换效率可增大到２．６—３．３％。     

高效非晶硅叠层太阳电池的优化设计

研究了高效ａ－Ｓｉ／ａ－Ｓｉ／ａ－Ｓｉ－ＳｉＧｅ三结太阳电池的优化设计。电流匹配是影响二端子叠层太阳电池填充因子的关键因素，在内电极的ｐ／ｎ界面外附加载流子复合是由少数载流子浓度、界面态和ｐ／ｎ界面处材料的几何因素匹配决定的。利用适当的带隙匹配和ｉ层厚度匹配来实现ａ－Ｓｉ／ａ－Ｓｉ／ａ－ＳｉＧｅ三结太阳电池结构的最佳化，同时采用改善ｎ／ｉ界面特性的缓冲层技术，获得了Ｖｏｃ＝２．４８Ｖ，Ｊｓｃ＝６．     

新戊二醇／蒙脱石复合贮热材料的研究

用熔融法制备了新戊二醇／蒙脱石嵌插复合材料，并用Ｘ－射线衍射，ＤＳＣ等手段研究了它的结构与性能，为了扩展蒙脱石层间距，以利于复合，蒙脱石首先经季铵盐处理，所得复合材料尖塑料，纤维，涂料中充当填料的同时，兼有贮热的功能，本文描述了这种复合贮热材料的实验情况，给出了实验结果。     

n－CdS／p－CulnSe_2异质结二极管电流传输机制的研究──计算机模拟分析

应用Ｓｃｈａｒｆｅｔｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解电子、空大连续性方程和泊松方程，对ＣｄＳ／Ｃｕｌｎｓｅ。异质结的伏安特性进行计算机数值模拟。基于材料、器件参数的实验数据，我们的计算结果支持ＴＣｕＩｎＳｅ。中的Ｓｈｏｃｋｌｅｙ－Ｒｅａｄ空间电荷（ＳＲＳＣ）复合是控制ＣｄＳ／ＣｕＩｎＳｅ。异质结二极管正向电流主导的物理机制，进一步说明在提高ＣＩＳ太阳电池性能的努力中开展ＣｕＩｎＳｅ。化学缺陷研究的重要性。     

高效大功率柴油机蓄压式泵喷嘴的CAD／CAE研究

高效大功率柴油机蓄压式泵喷嘴的结构及工作状况非常复杂，设计极为困难。本基于大型ＣＡＤ／ＣＡＭ／ＣＡＥ软件Ｉ－ＤＥＡＳ Ｍａｓｔｅｒ Ｓｅｒｉｅｓ，采用先进的ＣＡＤ／ＣＡＥ技术，建立了适于蓄压式泵喷嘴的标准特征库，对其进行变结构，参数化设计及３维有限元结构计算研究，为蓄压式泵喷嘴结构的设计成功提供了可靠的保证。     

n—CdS／p—CulnSe2异质结二极管电流传输机制的研究—计算机模拟分析

应用Ｓｃｈａｒｆｅｔｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解电子、空穴连续性方程和泊松方程，对ＣｄＳ／ＣｕＩｎＳｅ２异质结的伏安特性进行计算机数值模拟。基于材料、器件参数的实验数据，我们的计算结果支持了ＣｕＩｎＳｅ２中的Ｓｈｏｃｋｌｅｙ＝Ｒｅａｄ空间电荷复合是控制ＣｄＳ／ＣｕＩｎＳｅ２异质结二极管正向电流主导的物理机制，进一步说明在提高ＣＩＳ太阳电池性能的努力中开展ＣｕＩｎＳｅ２化学缺陷研究的重要性。     

SAYVOL_EC2燃油全能增效剂掺入重油在燃气轮机上的燃烧试验

ＳＡＹＶＯＬ－ＥＣ２是英国塞维尔化学有限公司（ＳＡＹＶＯＬ ＣＨＥＭＩＣＡＬＳ ＬＴＤ）研制的燃油全能增效剂。文中给出了常规镁盐抑钒剂和ＳＡＹＶＯＬ－ＥＣ２添加剂分别掺入重油在燃气轮机燃烧试验台的对比燃烧试验结果。试验结果初步表明：ＳＡＹＶＯＬ－ＥＣ２燃油全能增效剂在燃烧效率、抑钒、降ＮＯｘ等方面都优于常规镁盐抑钒剂。     

某些稀土离子对电沉积CdTd薄膜性能影响的研究

ＣｄＴｅ薄膜半导体电极通过电沉积法制备。电沉积溶液组成对ＣｄＴｅ薄膜组成和性能有较大影响，通过在电镀液中添加某些稀土离子，结合ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＸＰＳ和光电Ｉ－Ｖ特性曲线进行分析研究，表明电沉积ＣｄＴｅ薄膜存在择优取向，经２５０℃热处理后，晶粒长大，镀液中添加Ｙ＾３＋、Ｌａ＾３＋、Ｃｅ＾３＋和Ｎｄ＾３＋后增大尤为明显，晶粒线性尺寸最大达２．５－３．０×１０＾－７ｍ左右，并伴有孪晶产生，可提高薄膜Ｃｄ     

快速汽相沉积法制备硅薄膜太阳电池

对在重掺杂抛光单晶硅衬底上用ＲＴＣＶＤ法形成硅薄膜太阳电池进行了研究。衬底为〈１００〉晶向ｐ＋ ＋ 型重掺硅片,电阻率为５×１０－ ３Ωｃｍ 。主要工艺过程为：在衬底上生长一层硅薄膜同时掺硼,膜厚３８μｍ ,扩磷制备ｐ－ｎ 结,背面蒸Ａｌ及Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｇ 制背电极,正表面在扩散后生长一层ＳｉＯ２ ,前面用光刻剥离法制备Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｇ 电极,制成的１ｃｍ ２ 太阳电池,开路电压ＶＯＣ＝ ６１２．８ｍ Ｖ,短路电流ＩＳＣ＝ ２９．３ｍ Ａ,填充因子ＦＦ＝ ０．７５７９,效率η＝ １３．６１。对一些影响电池特性的因素进行了研究,发现硅薄膜的掺杂浓度、发射层的掺杂浓度以及减反射层都对太阳电池的特性有较大影响。     

P型μC－SiC：H窗口材料掺杂特性的研究

用等离子体射频辉光放电法，在低衬底温度（＜１７０℃）、小ｒｆ功率（＜６０ｍＷｃｍ２）条件下，实现了硼掺杂硅碳合金薄膜材料的微晶化。获得了暗电导率σＤ～０．２ｓｃｍ－１、光带隙宽度Ｅｏｐｔ～２．２ｅＶ的ｐ型微晶氢化硅碳合金（μＣ－Ｓｉ：Ｂ：Ｈ）薄膜。晶化的关键是Ｈ２稀释率和掺杂水平的控制。对该材料的掺杂效应、光电特性以及掺杂水平对材料结构的影响进行了详细研究。     

水平轴风力机翼型大攻角分离流动的数值模拟

翼型的失速特性是失调速节型水风力机的气动性能分析和颤振分析的基础，许多涉及这类问题的研究大多只给出了翼型刚开始失速时的计算结果，然而在正常运行工况下叶片端部翼型的深失速特性是风力机的最关键的一类问题，通过求解二维非常，可压的Ｎ－Ｓ方程计算了风力机常用翼型ＮＡＣＡ４４１８的绕流特性，Ｎ－Ｓ方程在贴体坐标系中给出用Ｐｏｉｓｓｏｎ方程法生成了Ｃ型网格，数值计算了采用了一种改进的ＬＵ－ＳＧＳ格式。将翼型的     

p／i界面的缓变层对大面积（2790cm^2）a—Si：H太阳电池性能影响的研究

报道了在大面积（２７９０ｃｍ２）ｐ－ｉ－ｎ型ａ－Ｓｉ∶Ｈ异质结太阳电池ｐ／ｉ界面之间引入缓变层（ＣＧＬ∶Ｃ，ＣＧＬ∶Ｂ∶Ｃ）对电池性能影响的研究结果。实验发现，带有ＣＧＬ∶Ｃ的ａ－Ｓｉ∶Ｈ太阳电池性能的改善主要来源于开路电压的提高，带有ＣＧＬ∶Ｂ∶Ｃ的ａ－Ｓｉ∶Ｈ太阳电池性能的提高主要来源于填充因子ＦＦ的增加。提出了带有缓变层ａ－Ｓｉ∶Ｈ电池的能带模型，据此分析了ｐ／ｉ结附近载流子的复合动力学过程，从理论上解释了实验中所发现的现象。     

多晶CdS／Cu2S异质结太阳电池光电流及转换效率的计算

根据半导体材料的性能参数，对多晶ＣｄＳ／Ｃｕ２Ｓ薄膜太阳电池在各种浓度下的光伏特性作了较深入的分析和计算。计算中考虑到耗尽区宽度的变化以及内表面复合损失对光电流ＪＬ的影响，同时还用Ｒｏｔｗａｒｆ晶界复合损失模型计算了晶粒度对光电流及光伏特性的影响。存在一个最佳Ｃｕ２Ｓ受主浓度Ｎａ＝１０＾１５ｃｍ＾－３，单晶和晶粒度Ｒ＝３μｍ的多晶电池，其转换效率分别为１３．６％和１３．３％。     

由夏比冲击试验结果预测断裂韧性KIC转变曲线的方法

本文介绍，用Ｃｈａｒｐｙ Ｖ－切口冲击值与屈服强度值，预测低合金钢断裂韧性ＫＩＣ转变曲线的两种方法。一种方法，是使用一条各种材料ＫＩＣ／ＫＩＣ－ＵＳ和相关温度关系的主曲线；其中ＫＩＣ－ＵＳ表示上平台温度的断裂韧性值，相关温度是一个ＦＡＴＴ试验温度的负值。另一种方法，是使用一条ＫＩＣ／ＫＩＣ－ＵＳ与Ｔ－Ｔｏ关系的主曲线；且温度的改变量△Ｔ在下平台温度断裂韧性ＫＩＣ－ＬＳ和Ｃｈａｒｐｙ冲击转变曲线之间     

400cm2 a-Si/a-Si叠层太阳电池的研究

以全部国产化装备和工业用原材料，以简单铝背电极制备出初始效率为８．２８％，经室外阳光照射一年后稳定效率为７．３５％，面积为２０ｃｍ×２０ｃｍ，有效面积为３６０ｃｍ２ａ－Ｓｉ／ａ－Ｓｉ叠层太阳电池。主要制备技术措施：（１）ＴＣＯ／ｐ界面接触特性的改善；（２）μｃ－ＳｉＣ∶Ｈ／ａ－ＳｉＣ∶Ｈ复合窗口层技术；（３）ｐ／ｉ界面Ｈ处理；（４）高质量本征ａ－Ｓｉ∶Ｈ材料；（５）优良的ｎ１／ｐ２隧道结；（６）最佳电池结构设计等。     

光热对薄膜CdS／Cu2S太阳电池物理参数的影响

研究了光、热和湿气对ＣｄＳ／Ｃｕ２Ｓ电池效率及电池成结、结电容、二极管特性和光谱响应特性的影响。结果表明，对未成结电池光加速成结作用，对成结电池光引起电池性能下降，这种衰降是不可逆过程。