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相似文献
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1.
电阻和交流磁化率测量表明在热处理过程中浇铸退火样品的冷却速率对Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O材料中的110K超导相有一定影响。样品从845℃在室温空气中淬火引起了晶格中的氧缺位,导致了沿c轴方向晶胞尺寸的轻微变化。直流磁化和比热反常ΔC测量指出快速冷却能缩减高温相的转变温度和下临界场,并减弱了对磁通线钉扎力。名义组分为Bi_(1·7)Pb_(0·5)Sr_2Ca_2Cu_(4·5)O_y的样品,比热反常峰值和YBa_2Cu_3O_7比较仍然较小。由直流磁化曲线估算出样品中超导体积所占的比例为20%左右。  相似文献   

2.
长度逐次减短的圆柱形Bi_(1.7)Pb_(0.3)Sr_2Ca_2Cu_3O_y块状超导体的直流磁化测量已经表明,只要样品长度大于直径,H_(c1)的测量值与样品长度无关,也就是与退磁因子无关。高T_c氧化物的这个行为与磁场在H_(c1)以下就穿透进超导体有关。  相似文献   

3.
长度逐次减短的圆柱形Bi_(1·7)Pb_(0·3)Sr_2Ca_2Cu_3O_y块状超导体的直流磁化测量已经表明,只要样品长度大于直径,H_(cl)的测量值与样品长度无关,也就是与退磁因子无关。高T_c氧化物的这个行为与磁场在H_(cl)以下就穿透进超导体有关。  相似文献   

4.
描述了在80~200K温域内,用漏热法测定固体材料热容的量热装置。对标准参考样品α-Al_2O_3的热容进行了测定。在实验温域内,测量结果与美国标准局的数据是符合的,偏差在±1.8%以内,证实了装置性能可靠。另外,对YBa_2Cu_3O_(7-x)超导体样品进行了比热测定,测量精度为±3%。  相似文献   

5.
描述了利用变温振动样品磁强计测量氧化物YBa_2Cu_3O_(7-x)磁转变温度。出现抗磁性温度和磁化率与温度变化的关系曲线,并对该材料超导相含量进行了计算。  相似文献   

6.
磁化测量表明,在烧结Bi_(1.8)Pb_(0.34)Sr_(1.68)Ca_2Cu_3O_y超导块材样品中存在两种不同类型的晶粒间边界:一种晶粒间边界对磁通线几乎没有钉扎力;而另一种则在低场范围内能捕获一些磁通线,并在此处维持一定的钉扎电流。当外加磁场减小到零时,大部分剩余磁矩都来源于晶粒边界。经过冷压后的样品在低场下的磁滞回线面积和剩余磁矩都显著地增加。冷压使得晶粒取向并使样品致密,从而导致样品中超导颗粒间的耦合增强。在77K零场和1kOe时,冷压样品的传输临界电流密度J_c分别为1040A/cm~2和150A/cm~2。讨论了冷压样品沿晶粒间边界的磁通蠕动以及钉扎势U_0。  相似文献   

7.
阐述了高T_CYBa_2Cu_3O_(9-X)超导体的晶体结构。X射线衍射谱和透射电子衍射花样表明,单相的YBa_2Cu_3O_(9-X)(斜方结构:a=382.95pm;b=388.22pm;c=1165.95pm)随着含氧量的增加可变成多相的化合物。对新的高T_CBa_2(YV)_1Cu_3O_(9-X)超导体进行了研究。电阻测量表明它的起始转变温度是118K,转变的电阻中点温度是97K,零电阻在93K,转变宽度ΔT_C=2K。对Ba_2(YV)_1Cu_3O_(9-X)系统的超导作了细致研究。这篇文章用X射线衍射分析给出了Ba_2(YV)_1Cu_3O_(9-X)的晶体结构。研究发现了YBaCu_3O_(9-X)超导体在190K和240K发生电阻跃变。透射电子衍射花样的变化表明在220K附近发生了相变,它的晶体结构参数明显地变化。  相似文献   

8.
建立了磁助捕集分离制样(MASP)/X射线荧光分析微量Tc的方法,使用磁化树脂作为固相捕集剂捕集溶液中的锝,利用外加磁场快速分离制样,实现捕集、分离及制样同时完成,可直接使用X射线荧光测量样品Tc含量。研究并分析了反应时间、磁化树脂用量、液相体积及酸度等因素对测量的影响,给出了推荐测量分析流程。使用磁助捕集分离制样,对Tc的检出限为0.33mg/L,满足PUREX流程1AW工艺点测量Tc的要求。  相似文献   

9.
描述了在80~200K温域内,用漏热法测定固体材料热容的量热装置。对标准参考样品α-Al_2O_3的热容进行了测定。在实验温域内,测量结果与美国标准局的数据是符合的,偏差在±1.8%以内,证实了装置性能可靠。另外,对YBa_2CU_3O_(7-x)超导体样品进行了比热测定,测量精度为±3%。  相似文献   

10.
本工作利用~(140)Ce(n,2n)~(139m)Ce核反应,通过测量0.754MeV γ射线的强度测定了一些地质样品中铈的含量。所用仪器设备,样品制备方法请见前文。我们使用的照射时间、冷却时间和测量时间分别为120s、20s和120s。 由于地质样品中硅是普遍存在的,~(28)Si(n,p)~(28)Al反应所生成的核素~(28)Al会发射能量为1.78MeV的γ射线,它的双逃逸峰正好会干扰~(139m)Ce发射的能量为0.754MeV的γ射线的测量,因此,对于硅的干扰应加以校正。我们在实验中发现,100%的SiO_2生成的1.78MeV γ射线的双逃逸峰强度与1.73%的CeO_2生成的放射性强度相等,我们用此关系对SiO_2的干扰作了校正。另外,由于我们测定的几种样品中的钐、钕和  相似文献   

11.
利用兰州大学强流中子发生器出射的单能D-D中子对单晶TiO2(金红石相)进行辐照,分别测量了样品的正电子寿命谱及XRD谱。中子辐照会在样品内部产生大量的空位缺陷,由于晶格中Ti原子的位移阈能约为O原子的2倍,因此中子辐照在样品内部产生的空位缺陷以氧空位(VO)为主。结果表明,单晶内部捕获正电子的陷阱Ti空位(VTi)在中子辐照后电子密度增大,可能与Ti空位周围O空位的引入有关,O空位的出现减弱了Ti空位处的库仑排斥作用,使空位体积减少。后续测试的XRD也得到相同的结果,样品由于中子辐照而在c轴方向的晶面间距发生变化,并导致单晶TiO2的结晶度变差。  相似文献   

12.
利用~(57)Fe和~(151)Eu穆斯堡尔效应对EuBa_2(Cu_(1-x)Fe_x)_3O_(7-y)高温超导体作了研究。在液氮温区,分别测量了样品中有和无电流通过时的~(57)Fe穆斯堡尔谱,结果表明取代了Cu(2)位置的Fe的同质异能位移和四极分裂与通过超导体的电流无关,而取代Cu(1)位置的Fe的穆斯堡尔谱参数则与电流有关。不同Fe含量样品的穆斯堡尔谱分析表明,超导电性和穆斯堡尔谱参数都与Fe的含量有关。  相似文献   

13.
利用重水反应堆水平孔道热中子对熔融织构生长(Melt-Textured Growth)的YBa_2Cu_3O_(7-y)和GdBa_2Cu_3O_(7-y)超导材料进行辐照研究。前者共8个样品,热中子注量为3.7×10~(11)-1.4×10~(17)cm~(-2);后者共6个样品热中子注量为5.2 ×10~(13)-4.7×10~(16)cm~(-2)。样品辐照前后,用移动样品磁强计测量其磁滞回线并推算出临界电流密度进行比较。YBCO结果表明,当热中子注量大于10~(17)cm~(-2)时,J_c可增加一倍以上。GdBCO样品也有明显增加。在上述热中子注量范围内,J_c值增量随辐照注量增加而增加,并且高场时增加值比低场时更大。这可能是由于随着辐照注量增加,缺陷增多,钉扎中心密度增加,两钉扎中心的相对距离减小。这更有利于高场下的钉扎作用。  相似文献   

14.
为研究锆英石对放射性核素Pu(Ⅳ)的固化能力,选用Ce(Ⅳ)作为Pu(Ⅳ)的模拟替代物质,以ZrO2、SiO2和CeO2粉体为原料,在1500 ℃条件下通过保温72 h进行ZrxCe1-xSiO4(0≤x≤0.5)系列样品的制备。利用XRD对所获样品的物相和结构进行分析,并采用Rietveld结构精修方法对样品的晶胞参数进行精细化计算。结果表明:当0≤x≤0.05时,样品保持为锆英石相;当x>0.05时,有CeO2物相出现。在锆英石相范围内,晶胞参数a、c、V与x之间符合线性关系。  相似文献   

15.
一、引言由于我们采用微分扰动角关联(DPAC)方法对超导样品的机理进行研究,必须要在样品中加入少量放射性的Ag作探针。在原有烧制工艺的基础上作了些改进,烧制出的含Ag超导样品YBa_2(Cu_(0.9)Ag_(0.1))_3O_(7-(?)),T_(?)  相似文献   

16.
在HL-1托卡马克装置上,采用不同频率的微波外差接收机测量欧姆放电下和低混杂波驱动下的非热辐射。文章描述了在欧姆放电下,由磁化等离子体波辐射,相对论电子的契伦柯夫辐射,以及非麦氏分布电子的回旋辐射(ECE)所表现出的反常多卜勒不稳定性特征,即主要表现为磁化等离子体波扰动,以及契伦柯夫辐射迅速下降所对应的ECE增加。这种不稳定性是由于电子分布各向异性所引起的,在低混杂波驱动下不稳定性受到抑制,同时等离子体粒子约束得到改善。讨论了反常多卜勒不稳定性被低混杂波驱动所抑制的可能机制以及与等离子体粒子约束改善之间的关系。  相似文献   

17.
本工作是利用短寿命核素快速分析煤和煤灰中的微量元素。工作中使用双标准方法,选用Au、Mn作标准,数据处理采用自编计算机程序。特点是省时、省力,操作程序简单。辐照中子通量为1×10~(12)n/cm~2·s,样品重量为250mg,煤样辐照5分钟,灰样辐照2分钟,均冷却30分钟,测量6分钟。一个样品,通过一次测量可分析出近20种元素,所用分析周期不到1  相似文献   

18.
我们对金属玻璃(Fe_(0.6)Ni_(0.4))Si_8B_(10)在等温退火过程中的正电子寿命进行了测量(结果如图),退火温度为425℃。图中所示的正电子寿命值是单分量拟合的结果。为便于讨论,我们在图中还示出了同样样品的ΔS-tα曲线,ΔS是相对于Cu的热电势,X射线相分析证明了热电势显著变化的阶段与样品析出新的晶化物相对应。与热电势测量的结果相比较,整个寿命随退火时间的变化分为两大部分(以d点为界):结构弛豫部分和晶化部分。  相似文献   

19.
本文对室温下100keV Ar离子束注入到Ti-Al和Fe-Al两个二元系中几种成分的样品进行了研究。透射电镜、背散射分析和表面电阻测量被用于对多层膜离子束混合过程的分析。研究结果表明:Ti-Al二元系中能在很宽的成分范围内形成非晶相,而Fe-Al二元系中只有成分为Fe_(25)Al_(75)附近的样品中才观察到非晶相的形成。对这两个系统中的结果,本文进行了初步的讨论。  相似文献   

20.
本文通过寿命谱和多普勒增宽谱测量来了解正电子在不同结晶度Teflon中的湮没机制。同时为获得长寿命驻极体提供信息。用FWHM=440ps的寿命谱仪测量了由等温退火和淬火而获得不同结晶度的Teflon样品。用X衍射测得等温退火样品的结晶度为74%称TEF~((c)),而淬火样品几乎看不到结晶峰称TEF~((α))。用对~(106)Ru的分辨率为1.14keV的高纯锗测量两种不同结晶度的多普勒增宽谱,算得S参数见表。  相似文献   

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