几种常用漂移室单元电场的测量

近几年来:由于漂移室具有’一系列优越性能,使它住原子核物理、宇宙线、X射线晶体学、生物学、核医学等方面展示了广阔的应用前景。 漂移室的大小由从几厘米到2—3米,丝数从几十恨到几万根,都是由若干漂移小单元组成。漂移小单元内各电极的几何位置及所加电压的大小决定了电场等电位面的形状及电场强度的分布。漂移室的工作原理是基于电子在电场中的漂移。当带电粒子穿过凛移室     

主漂移室2.3m全长单元模型

我们建造了北京谱仪主漂移室三种丝距的全长单元模型,采用将来主漂移室选定的工作气体:氩、二氧化碳、甲烷的体积比为89:10:1。用放射源测量了气体倍增系数随电场丝高压和电位丝高压变化的关系,增益的饱和效应,沿阳极丝的信号幅度分布和串音,圆筒内外壁的补偿电场对边缘阳极丝幅度的影响等。     

BES新建主漂移室模型实验

本文描述ＢＥＳ主漂移室全长单元模型结构，印极丝信号引出方案的实验比较，气体放大系数和工作区，能量分辨率和电离脉冲幅度沿阳极丝的衰减以及室本体的内筒外壁上的补偿电场对漂移室第一层和第十层阳极丝输出幅度的影响。模型的姥骏 实验结果将为ＢＥＳ新建主漂移室提供可靠的参考数据。     

多丝正比室的不对称结构和能量分辨率

多丝正比室对能谱的测量中发现，＾２４１Ａｍ的５９．６ｋｅＶ，谱线能峰呈双峰结构，电场分布计算，电子漂移过程分析及气体放大倍数的计算表明，丝室结构的非圆对称将导致；１）电子漂移到阳极丝的过程中扫过的电位差统计分析分布的展宽甚至出现双峰结构，２）气体放大倍数与电子到达方向有关，丝室电场分布的计算中采用了解析解和数值解相结合的方法。     

阴极条室性能研究的结果

本文介绍了６０ｃｍ×５０ｃｍ阴极条室的设计，研制和性能研究的结果。实验测量得到的空间分辨σ≌５０μｍ，实验证明了阴极条室具有良好的性能，使其有着很好的应用前景。     

FPGA在BESⅢ漂移室电荷测量中的应用

介绍了BESⅢ漂移室电荷测量插件的结构和设计思想，侧重介绍了如何用FPGA实现对PADC采样数据的预处理，包括数据的流水线缓存、动态地扣除台基、实时提取电荷量以及零数据压缩等功能的实现。     

托卡马克电场漂移电子注入的物理分析研究

对电场漂移电子注入中的电子束物理,电子注入情况下手 马克等离子的平衡,电子注入器中的物理问题等进行了分析研究。结果表明,漂移电子束的稳定条件是外加电场必须大于电子束本身所产生的电场;为了保持等离子体环的平衡,外加电压愈低愈好;     

上海EBIT装置漂移管组件研制

漂移管组件为EBIT提供约束离子的轴向电势阱,是EBIT装置的核心区域.组件工作在低温、强磁场、高电压、超高真空的环境中,这对工程设计提出了很高的要求.本文介绍了上海EBIT装置的电势阱设计、漂移管组件的结构设计和一些特殊工程问题的处理方法,并对组件进行了低温和高压试验.本文的研究工作,对上海EBIT装置的成功研制有着重要的意义,目前上海EBIT可以稳定运行在100kV/110mA.     

0.35μm部分耗尽SOI NMOSFET的总剂量辐射效应与偏置状态的关系

研究了深亚微米部分耗尽型SOI NMOSFET的抗总剂量辐射特性,主要讨论不同偏置状态对器件抗总剂量辐射性能的影响及其原因。通过器件模拟发现,辐射过程中的不同偏置状态使器件的电场分布差异很大,而器件埋层中俘获空穴的分布与电场密切相关,进而对器件产生不同的影响。模拟结果表明,器件在关态偏置下,背沟道附近陷获电荷密度最高,引起的阈值电压负向漂移和泄漏电流最大,即该偏置状态为浮体器件抗总剂量辐射的最劣偏置状态。     

BESⅢ升级中硅像素径迹室位置校准的MC研究

硅像素径迹室是BESⅢ升级项目之一,离线软件校准是其离线数据处理系统的重要组成部分,研究过程采用蒙特卡罗方法,将残差法应用于漂移室升级项目中硅像素径迹室的几何位置校准,分别以ladder、芯片为最小探测单元进行研究,结果表明,该方法可有效应用于硅像素径迹室的位置校准。     

小型活性靶时间投影室性能研究

本文设计了使用64路一维读出条的小型活性靶时间投影室,并对其性能进行了测试,其气体室的灵敏体积为10 cm×10 cm×14 cm,通过连接2层厚气体电子倍增器进行电子放大。为改善场笼边缘的电场不均匀性,引入场笼环的设计结构。当场笼环加高压为-950 V时,测得α粒子沿漂移电场方向的径迹位置分辨小于0.2 mm,径迹角度分辨小于0.6°,时间分辨小于20 ns。活性靶时间投影室的工作气体为96%He+4%CO_2。实验中也观察到了清晰的α粒子在He气上的弹性散射事件。     

偏心束流运动的分析

一、偏心束流的横向运动这里将分别讨论在漂移和加速过程中,相干和非相干横向运动,即电荷中心和单粒子的横向运动。1.非极端相对论漂移过程偏心束     

平衡式张力计的研制

本文介绍的是平衡式张力计的研制和使用，平衡式张力计可用来测量多种丝张力，该张力计的研制是为了满足１９８６年建造北京谱仪中心漂移室、主漂移室和端盖簇射计数器的急需，作者参考国外资料并结合国内实际情况，通过自己的努力，独立设计制造出来的。北京谱仪由中心漂移室、主漂移室、桶部簇射计数器、端盖簇射计数器、时间飞行计数器和μ子计数器等６个子探测器组成，中心漂移室、主漂移室（拉丝过程）和端盖簇射计数器三个子探测器，共２．８万根丝的张力全是用该张力计测量后给出的结果。自１９８６年至今，９年的实践证明该张力计灵敏度高、精度高，测量结果可靠，北京谱仪以上所提到的三个子探测器从调试运行工作至今已６年，没断一根丝，就是有力证明。近几年来，我们几个科研组，在研制丝室时都利用了该张力计，应大家的要求，现将研制总结在这里发表。     

多丝正比室中电子的最大漂移时间

多丝正比室中电子的最大漂移时间是逃逸门电路中的一个重要参数。这个参数的选择将影响逃逸门工作方式的多丝正比室的整体性能。通过实验测量得到了多丝正比室中电子的最大漂移时间的实际值和最大漂移时间随多丝正比室工作状态的变化，测量结果在实际中得到应用。     

Si漂移室探测器

完成了Si漂移室探测器工艺设计、工艺制备，解决了双面光刻、信号电极面不同类型离子注入等关键技术，研制出5、10、15、20mm^2的Si漂移室探测器。完成了Si漂移室探测器不同偏压下内部电位分布、电子浓度分布的计算机模拟计算。     

漂移管直线加速器加速电场分布及稳定性调谐研究

漂移管直线加速器(DTL)加工和安装的误差会导致腔内加速电场分布偏离设计值。为了补偿该偏差,通常在腔内安装调谐装置。同时,在腔内引入耦合杆周期结构,通过调节耦合杆与漂移管之间的间隙,可提高DTL腔内加速电场的稳定性。本文基于高频谐振腔理论和小球拉线测量技术,搭建了一套高精度电场测量系统。结合仿真模拟和实验,实现了中国散裂中子源(CSNS)DTL的加速电场和稳定性调谐,使得腔内实际加速电场分布与设计值相对偏差小于2%,谐振频率和电场稳定性均达到设计指标。     

I型时间-数字变换器

随着CAMAC和漂移室的出现，时间-数字变换法得到了新的发展。目前常用的有     

小型圆柱漂移室的幅度特性研究

一、引言 在高能对撞机物理实验中,经常使用圆柱漂移室。它围绕在束流管的周围,用来测量对撞产生的带电粒子的径迹。径迹的φ向和径向坐标由信号丝的位置和漂移时间决定,轴向坐标,对于小型圆柱漂移室,通常由电荷分配法求出。为了便于电子学读出,提高时间和电荷测量的精度,要求各信号丝的气体放大系数比较一致。但是,小型圆柱漂移室最靠近内壁和外壁的漂移单元结构与中间各层往往不同,导致信号幅度与中间各层的差异比较大。我们在北京谱仪中心漂移室的预研究过程中,建造了一个4层128根信号丝的小型两维     

新型半导体探测器发展和应用

新型半导体探测器如硅微条、Pixel、CCD、硅漂移室等,近些年发展很快,在高能物理和天体物理实验中作为顶点及径迹探测器应用很广。主要是它们的位置分辨率非常高,像硅微条探测器．目前可做到好于1．4μm,这是任何气体探测器和闪烁探测器很难做到的。主要介绍这些新型半导体探测器的结构、原理、及其发展在高能物理、天体物理、核医学等领域应用。     

BESIII漂移室模型的宇宙线测试

利用宇宙线并采用新设计的前置放大器测试了一个BESIII漂移室模型在He/C3H8(60/40)下的性能.模型在2200V工作高压下空间分辨达到100μm.这表明了BESIII漂移室的物理设计能满足其对空间分辨的要求,前置放大器的设计是成功的.为进一步检验BESIII漂移室物理设计需要对模型进行束流测试.