建立电涡流式微位移传感器的函数关系

文章用最小二乘法和实验的方法建立了被测距离和电涡流式微位移传感器的输出电压之间的函数关系,并给出了该函数关系与实验数据之间的误差。文中也对该传感器进行了重复性和迟滞性误差分析,最后给出了该电涡流传感器的总测量精度。     

基于光谱分布特征参数的白光LED结温测量方法

基于光谱分布特征参数,设计了一种新型GaN基白光LED结温测量方法。该方法未考虑瞬时脉冲电流热效应,通过测量不同环境温度和瞬时脉冲电流下的LED相对光功率分布,分析光谱分布特征参数、驱动电流与结温之间的关联性。依据该关联性及实际工作时的光谱,即可求得结温。实验结果表明,与正向电压法和蓝白比法相比,本方法无需破坏产品结构就可更准确地测量LED结温。当GaN基白光LED功率为1W、脉宽为1ms时,平均误差小于1.5℃。     

大功率LED灯的热分析与热设计

为解决制约大功率LED发展的散热问题,针对一款大功率LED灯具进行了热仿真分析,结果显示芯片结温高达76.23℃,而实际允许的最大结温为80℃。为改善散热效果,提出了如下改进思路:首先对散热片尺寸进行优化设计,并研究了界面材料对LED结温的影响,然后在散热片上加装了热管、风扇以及均温板等装置。研究结果显示,通过采用适当的改进方案能够有效降低灯具结温。     

光电效应实验中的误差分析及消除方法

分析了光电效应实验中用反向遏止电压法测量普朗克常数所产生误差的原因 ,指出可从实验时最佳条件的选取和影响实验精度的几种电流的消除来使得实验结果的误差明显减小     

光电效应实验中的误差分析及消除方法

分析了光电效应实验中用反向遏止电压法测量普朗克常数所产生误差的原因,指出可从实验时最佳条件的选取和影响实验精度的几种电流的消除来使得实验结果的误差明显减小.     

光电效应实验中的误差分析及消除方法

分析了光电效应实验中用反向遏止电压法测量普朗克常数所产生误差的原因,指出可从实验时最佳条件的选取和影响实验精度的几种电流的消除来使得实验结果的误差明显减小.     

基于光强可调的浊度智能检测传感器研究

为了使浊度传感器量程与精度调节智能化,基于光学检测浊度的原理,研究了溶液透射光检测电压和入射光强的非线性变化规律,建立了电压差-浊度间测量模型。设计了通过PWM占空比调节不同溶液间的电压差改变量程与精度的传感器,进行了量程1(1～1 000 NTU)和量程2(0～200 NTU)的实验。实验结果显示,在量程1时,重复性误差为1.7%,示值误差为10%;在量程2时,重复性误差为1.0%,示值误差为4.5%。结果表明,测量低浊度时,量程2精度更高;测量高浊度时,量程1范围更大。实验证明了该模型的可行性。     

自感式拉力传感器理论模型与实验研究

基于逆磁致伸缩效应,在杆件结构弹性范围内改善了传统磁通量传感器的拉力测量方法,设计一种基于自感式原理的新型拉力传感器,建立传感器的理论模型,深入讨论拉力与自感电压之间的关系。为了准确获取自感电压和拉力的关系表达式,提出能够测量包含拉力信息的自感电压测试方法,合理地搭建实验测量平台。实验结果表明,在交流磁场的激励下,传感器的自感电压和拉力之间存在线性关系,针对所设计的便于安装的套筒自感式拉力传感器,在杆件结构弹性范围内进行6次重复性实验以减少误差,结果显示传感器的最大重复性误差为0.81%,传感器的灵敏度为14.6 mV/kN,自感电压和拉力的相关系数达到0.999,理论和实验相符合,进一步验证了理论模型的合理性。     

RF功率晶体管结温电测误差的处理办法

本文阐述了RF功率晶体管结温(平均值)的电测误差源,分析了所给出的RF功率管在实际工作期间结温的电测电路对减小其测试误差的作用。由于这种技术能提供功率管从正常工作状态向测量态的快速转换,所以其测量误差较小。并且此测量误差又可通过功率管的一维冷却模型进一步加以修正,本文对其冷却响应作了描述并给予了研究。     

电风车式光纤高电压传感器

基于高电压作用下电风车的转动特性以及光纤传输技术,提出一种电风车式光纤高电压传感器,介绍了这种传感器的基本结构,并给出其测量线性、稳定性的实验结果。这种传感器结构简单、成本低,可实现高电压的绝缘性测量。当环境温度为３０．２℃,相对温度为４８％时,传感器的线性测量为３．０～５．０ｋＶ,其测量结果的非线性误差低于３％。     

一种高功率LED热阻的测试方法

叙述了利用动态电学测试方法测量高功率LED热阻和结温的原理、试验装置、测量步骤和影响测试结果的因素。研究结果表明,该方法具有测试结构简单、稳定性高等特点,可作为高功率LED热阻和结温的标准测试方法。     

大功率LED照明灯散热路径温度场及发光效率研究

针对大功率LED照明灯(以下简称LED灯)内、外热传导路径的温度分布进行了热模拟分析,开发出4种大功率LED灯。通过对4种LED灯PN结导出端温度和散热片平均温度、散热结构的散热表面积及光通量的测量,并经由热阻及温度场模拟研究,得出了散热表面积和PN结温度、热阻以及发光效率间的关系。研究结果表明,大功率LED灯的热阻很大程度上取决于外部装置,设计合理的外部散热结构增大散热表面积,可以有效地降低PN结温度和LED灯的热阻,从而提高大功率LED灯的发光效率及使用寿命。     

LED结温精密测量及相关因素分析

分析了LED结温精密测量中测量电流、加热电流、加热时间等三项测量因素的变化对所测结温的影响。实验采用小电流K系数法测试结温。实验结果表明:1W LED被测样品,当测量电流在0～30mA时结温逐渐升高,当测量电流超过30mA时结温趋于稳定;LED样品的结温数据与加热电流呈近似线性变化,表明能够通过加热电流对LED结温及相关光学性能实现线性调控。同时研究表明,结温精密测量还受到加热时间的影响,测得LED器件稳定的结温需要一定的加热时间。     

高精度铂电阻测温系统

普通四线制铂电阻测温系统受恒流源长短期漂移、导线热电动势影响,其测量准确度难以超过0.1℃量级。本文分析了一种改进型4线制高精度铂电阻测温方法的原理误差,并设计了相应的高精度铂电阻测温系统。采用温度系数小、阻值稳定性好的参考电阻作为铂电阻阻值测量基准,消除了恒流源长期漂移引起的铂电阻测温误差;分别在正、反向恒流激励条件下测量了铂电阻上的电压,利用导线热电势大小与方向的短期不变性,对得到的两电压量求差以消除导线热电势的影响;通过半导体致冷器（TEC）控制恒流源温度来减小恒流源的短期电流漂移,进而减小其对铂电阻测温精度的影响;设计了精度高、阶跃响应速度快的分时复用式电压信号采集单元用来高精度地测量铂电阻和参考电阻上电压量的比值。等效实验和校准实验结果表明,高精度铂电阻测温系统的测量稳定性优于0.005 ℃/10 day,测量分辨力优于0.005 ℃,测量准确度为0.02 ℃（k=2）,满足超精密激光干涉测量系统提出的高精度温度测量需求。     

Multichip on Aluminum Metal Plate Technology for High Power LED Packaging

Multichip on Aluminum Metal Plate(MOAMP) technology with simple structure and low thermal resistance is developed for effective heat removal of Light Emitting Diode(LED) p-n junction and LED lighting module to have high reliability. The thermal resistance of LED modules was numerical and experimental. Thermal resistance from the junction to aluminum metal plate, considering input power of LED module using MOAMP technology, is 3.02 K/W, 3.23 K/W for the measured and calculated, respectively. We expect that the reported MOAMP technology with low thermal resistance will be a promising solution for high power LED lighting modules.     

新型LED驱动电源设计

以SEPIC拓扑电路为主电路,采用L6562和TSM101,进行了功率因数校正和LED恒压恒流控制。实验结果证明,设计的电源实现了临界连续模式下,SEPIC电路的高功率因数和较宽范围的恒压恒流输出,成功驱动了LED灯源。     

可单组调光的1W LED阵列驱动设计

针对采用恒压方式驱动多路大功率LED容易损坏芯片的问题,将单个恒压源供多个恒流源的技术应用到LED驱动中。恒压源采用MAX668作为Boost拓扑电路的控制器,实现了恒压输出。采用了NE555构成的自激多谐振振荡电路,产生固定频率且占空比可调的脉宽调制（PWM）信号,实现了单组调光。恒流源采用MAX16803和SN3350分别作为可调恒流源的控制芯片,实现了恒流输出。研究结果表明,该研究为进一步进行高效率可单组调光的大功率LED阵列驱动的设计打下了基础。     

一种微机电源的LDO设计与实现

针对微机电源稳压性能较差的缺点,设计一款输出电压为5 V,最大输出电流为1 A的低压差线性稳压器(LDO)。通过选择误差放大器、反馈电阻网络、大功率N沟道MOS管作为调整管;采用具有过温、限流保护功能的芯片和外围电路构成基准源电路,改善了稳压器的线性调整率。测试结果表明,室温下输入电压为5.5~25 V时,输出电压稳定在5 V,负载为5Ω时电压调整率为0.6%,显示出良好的稳压性能。     

Thermal analysis of high power LEDs on the MCPCB

The management of the reduced junction temperature of LEDs is a critical issue because it will affect many physical parameters such as light output, wave length and LED’s lifetime. The model used in this simulation consists of a metal core PCB attached with six chips(GaN on sapphire, Ag paste, cathode/anode, silicone encapsulant, mold frame) for 5W LED module. The MCPCB is composed of an aluminum base plate, a thin layer of dielectric, and a layer of copper. The temperature distribution of the developed LED module was simulated, and the thermal behavior within this 3-D model was investigated by using a commercial computational fluid dynamic code (Fluent 6.3). The results showed that the temperature variation along the vertical direction is more dominant than that in the circumferential direction due to the heat spreading effect of the copper layer. The ratio of heat dissipation through the each thermal path was calculated and compared for various input conditions. Several parameters that increase the junction temperature, such as the thermal conductivity and thickness of the dielectric layer and the encapsulate material, heat transfer coefficient and input power were also examined. Finally, a combination of designs for attenuating the junction temperature was proposed.