磁控溅射制备不锈钢薄膜研究

研究了磁控溅射镀膜工艺参数中溅射功率、溅射时间以及真空度等对不锈钢薄膜制备的影响，通过对获得的不锈钢薄膜层进行金相分析与其他性能测试发现：试验中溅射功率为100W、溅射时间为2h、真空度为0．08Pa、氩气压力为1．5MPa的条件下制得的薄膜性能最佳。     

磁控溅射工艺对金属镀膜塑料结合力影响的研究

为了研究溅射工艺对金属镀膜塑料结合力的影响,以PS塑料为基底,采用磁控溅射工艺,通过设计L9(34)正交试验,在不同本体真空度、不同靶基间距、不同溅射功率、不同溅射时间下对PS塑料进行镀铬,然后对镀膜塑料进行结合力测试,分磁控溅射工艺参数对结合力的影响。实验结果表明:PS塑料基底在真空室本体真空度为1.1×10~(-2)Pa,靶基间距为70 mm,溅射功率为800 W,溅射时间为120 s的条件下,基膜结合力最为理想。     

不同溅射气压制备W/Si多层膜的实时应力研究

研究了不同溅射气压条件下磁控溅射制备W/Si多层膜过程中的应力变化,使用X射线衍射仪测量了多层膜的结构,使用实时应力测量装置研究W/Si多层膜沉积过程中的应力演变。结果表明,在溅射气压从0.05Pa增加到1.10Pa的过程中,薄膜沉积过程中产生的压应力不断减小并最终过渡为张应力,应力值在溅射气压为0.60Pa时最小,研究结果对减小膜层应力具有指导意义。     

磁控溅射MoS2/Ni复合膜的制备及其摩擦性能

采用磁控溅射法制备了MoS2/Ni复合膜,同时对影响膜层性能的工艺参数进行了初步探讨,并对复合膜进行了成分与结构分析以及摩擦试验.结果表明:在本试验工艺参数(本底真空度为7.0×10-4 Pa,沉积气压为0.5 Pa,溅射功率为160 W,溅射氩气流量为80 cm3/s,靶基距为60 mm,基片温度为70℃)下制备的MoS2/Ni复合膜能够大大降低不锈钢等基底表面的摩擦因数,并且在高速重载的条件下具有更低的摩擦因数和更小的摩擦因数波动值.     

热挤压模具用Al2O3/(W,Cr)金属陶瓷的性能

采用热压烧结法制备了不同Al2O3含量的热挤压模具用Al2O3/(W,Cr)金属陶瓷,并研究了其力学性能、抗热震性能及摩擦磨损性能.结果表明:Al2O3/(W,Cr)陶瓷的最大抗弯强度和断裂韧度分别达到800 MPa和13 MPa·m1/2;Al2O3体积分数为60%的金属陶瓷抗热震性能优于体积分数为70%的;两者的摩...     

碳纤维增强铜基复合材料的制备与性能

采用磁控溅射法在碳纤维表面制备了镀铬层,用以改善碳纤维与铜基体的润湿性;然后在1 200℃、4×10-1 Pa真空条件下,用纯铜液相浸渗碳纤维2h炉冷后制备了碳纤维增强铜基复合材料;采用扫描电镜、硬度仪对其显微组织及其力学性能进行了研究,并对其导电性能进行了测试。结果表明:采用溅射功率50W、溅射时间40min、气压2.0Pa、氩气流量为20mL·min-1的工艺,可在碳纤维表面制备厚度为400～500nm的铬层,镀铬层表面光亮,与碳纤维结合良好,无"黑心现象";复合材料中的碳纤维与铜基体的界面平整清晰,其轴向导电率达到了83%IACS,硬度为56.3HB,抗拉强度的推算值为303.457～404.768MPa。     

Ni80Cr20合金薄膜制备影响因素的试验研究

利用直流磁控溅射的方法制备Ni80Cr20合金薄膜,以氩气流量、氩气工作压强、溅射功率作为三因素进行正交试验,在溅射时间相同的条件下分别测试了薄膜厚度、表面粗糙度、电阻率并进行了极差分析。分析结果表明:在一定范围内,氩气工作压强与溅射功率对薄膜厚度的影响较大;在氩气工作压强为3.0Pa时,薄膜厚度与溅射功率近似成正比关系;随着氩气流量的增大,Ni80Cr20薄膜厚度呈现先增大后减小的趋势;在氩气流量为50cm~3/min时,薄膜厚度达到最大值;各因素对薄膜表面粗糙度及电阻率影响不明显。     

射频溅射工艺对WSx薄膜摩擦性能的影响

采用射频溅射法以3Cr13马氏体不锈钢为基片制备了硫化钨薄膜.通过物相分析和表面形貌观察,以及测定微区化学成分、结合力和摩擦因数,研究了溅射功率、工作压力和沉积时间等溅射工艺条件对薄膜摩擦性能的影响.结果表明通过射频溅射法可获得非晶态WSx薄膜,薄膜的S/W比一般小于2,并受溅射工艺影响较为明显,随溅射功率的升高逐渐降低,随溅射时间的延长明显升高.薄膜结合力受溅射工艺影响并不显著.通过射频溅射所获得薄膜的摩擦因数在一定范围内与其硫钨比成反比.     

磁控溅射制备高聚物基TiO2-CeO2复合薄膜的组织和性能

采用磁控溅射技术在PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)衬底上制备了TiO2-CeO2复合薄膜;用X射线衍射仪、扫描电镜和UV-VIS分光光度计分析了薄膜的相组成、表面微观形貌和透射率.结果表明:溅射态的薄膜为非晶态;经150℃退火12 h后,薄膜表面有锐钛矿相颗粒析出;随着溅射功率的增加,薄膜表面的锐钛矿相颗粒数量明显增多,形状接近球形,在功率为100 W时,尺寸约为120 nm;随着溅射功率的增大,薄膜对紫外和可见光的透射率降低;另外,薄膜表面形貌和透射率也受溅射时间的影响.     

磁控溅射法制备的五氧化二钒薄膜光电特性

利用射频磁控溅射方法,选取溅射时间为15,25,30和45min,在蓝宝石衬底上沉积了V2O5薄膜。研究了其他实验参量不变,溅射时间不同对薄膜结构、薄膜厚度、表面形貌、电学及光学性能的影响。实验结果表明,制备出的薄膜为单一组分的V2O5薄膜,其在(001)面有明显的择优取向。随着溅身时间的增加,结晶性能逐渐变强,晶粒尺寸也逐渐变大,而表面粗糙度值会逐渐降低;在晶体结构完整的基础上,随着溅射时间的增加,相变温度和经历的温度范围会逐渐增加,电学突变性能会降低。测试了薄膜在中红外波段的高低温透过率,结果显示:当膜厚为350nm,波长为5μm时,薄膜的透过率从25℃时的81%变为300℃的7%,变化幅度可达74%;所有薄膜相变前后透过率的比值均为9~13,表现出了非常突出的光学开关特性。     

烧结工艺对NiFe_2O_4陶瓷纯度和相对密度的影响

采用粉末冶金固相烧结法合成了NiFe2O4陶瓷,研究了烧结温度和保温时间对其纯度和相对密度的影响。结果表明:随着烧结温度的升高和保温时间的延长,NiFe2O4的纯度增大;在1 100℃保温2h即可合成纯度较高的NiFe2O4陶瓷;提高烧结温度和延长保温时间均有利于NiFe2O4陶瓷的致密化;在1 200℃保温2h是制备NiFe2O4陶瓷的较佳工艺。     

反应烧结制备AlON-AlN复相陶瓷及其性能

以AlN和Al2O3为原料、Y2O3为烧结助剂,在氮气气氛下无压反应烧结制备了AlON-AlN复相陶瓷;用XRD及SEM等方法对复相陶瓷的物相组成和显微结构进行了表征;研究了烧结温度、Al2O3及Y2O3加入量对复相陶瓷的烧结性能、力学性能和热导率的影响。结果表明:在1 650~1 800℃范围内反应烧结可以得到AlON-AlN复相陶瓷;其抗弯强度和热导率均随着烧结温度的升高先增大后减小,分别在1 750℃与1 700℃时达到最大值(378 MPa,38 W.m-1.K-1);随着Al2O3加入量的增加,复相陶瓷的抗弯强度先增大后减小,当Al2O3加入量为30%时达到最大值,其热导率则随着Al2O3加入量的增加呈明显下降趋势;随着Y2O3加入量的增加,抗弯强度不断增大,而热导率则先增大后减小,在Y2O3加入量为3%时达到最大值41 W.m-1.K-1。     

反应烧结制备AION-AIN复相陶瓷及其性能

以AlN和Al2O3为原料、Y2O3为烧结助剂,在氮气气氛下无压反应烧结制备了AlON-AlN复相陶瓷;用XRD及SEM等方法对复相陶瓷的物相组成和显微结构进行了表征;研究了烧结温度、Al2O3及Y2O3加入量对复相陶瓷的烧结性能、力学性能和热导率的影响.结果表明:在1 650～1 800℃范围内反应烧结可以得到AjON-AlN复相陶瓷;其抗弯强度和热导率均随着烧结温度的升高先增大后减小,分别在1 750℃与1 700℃时达到最大值(378MPa,38 W·m-1·K-1);随着Al2O3加入量的增加,复相陶瓷的抗弯强度先增大后减小,当Al2O3加入量为30%时达到最大值,其热导率则随着Al2O3加入量的增加呈明显下降趋势;随着Y2O3加入量的增加,抗弯强度不断增大,而热导率则先增大后减小,在Y2O3加入量为3%时达到最大值41 W·m-1·K-1.     

射频磁控溅射法制备二硫化钼薄膜

用射频磁控溅射法在GCr15钢表面制得了MoS2薄膜。通过扫描电镜、摩擦磨损以及划痕试验仪研究了工艺参数对薄膜形貌和性能的影响。结果表明:采用射频溅射法,在功率200W、工作气压3Pa、时间2h条件下制备的MoS2薄膜性能最佳;沉积过程中沉积原子从衬底表面获得足够的扩散能量时薄膜按层状模式生长,扩散能量不足时薄膜按层岛复合模式生长;MoS2薄膜摩擦因数低,具有优良的摩擦学特性。     

钨粉生产过程工艺参数的测量和控制——粒度的间接控制

一、概述目前国内外普遍采用各种管式电炉,以便用 H_2还原法制取钨粉。生产过程的机理可用下列化学反应式表示:4WO_3+H_2=W_4O_(11)+H_2O (1)W_4O_(11)+3H_2=4WO_2+3H_2O (2)WO_2+2H_2=W+2H_2O (3)每一阶段的平衡常数用水蒸气分压PH_2O 与 H_2气分压 PH_2之比表示:     

锡掺杂量对In_2O_3粉体光学性能和形貌的影响

采用固相反应法在800℃烧结制备出了不同锡掺杂量的(In1-xSnx)2O3(x=0,0.01,0.02,0.05)粉体,通过X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪、傅里叶红外光谱仪(IR)、紫外吸收可见光谱(Uv-vis)分析仪以及扫描电镜(SEM)等对(In1-xSnx)2O3粉体的结构、光学性能和形貌进行了表征。结果表明:不同锡掺杂量的(In1-xSnx)2O3粉体都保持了In2O3的立方相晶胞结构;锡的掺杂改变了In2O3的紫外-可见吸收性能和红外吸收性能,抑制了In2O3粉体颗粒的长大,使其结构变得更加紧密。     

经鼻间歇正压通气在新生儿呼吸窘迫综合征中应用价值

目的:探索经鼻间歇正压通气(NIPPV)在新生儿呼吸窘迫综合症(NRDS)治疗中应用价值。方法:选择2013年6月至2014年5月本院新生儿重症监护病房接收的78例NRDS患者作为研究对象,采用随机数字表法将其分组,其中对照组39例患儿采用传统经鼻持续气道正压通气(NCPAP)治疗,观察组39例患儿采用NIPPV治疗,分析并对比两组治疗效果及并发症和转归情况。结果 :经治疗后两组患者p H、Pa O2、OI指标较治疗前均有显著提高,Pa CO2较治疗前有显著下降(P<0.05),治疗后Pa O2、Pa CO2、OI改善观察组优于对照组;观察组无创通气时间及平均住院时间较之对照组减少,治疗成功率较之对照组提高(P<0.05);观察组患者呼吸机相关肺炎、BPD发生率及机械通气率分别为7.69%、12.82%和7.69%,均较之对照组显著降低(P<0.05)。结论 :NIPPV用于NRDS治疗时可有效改善患儿血气分析及氧合指数,缩短无创通气时间,且并发症少,疗效优于NCPAP治疗。     

Y2O3-Al2O3对热压复合陶瓷Si3 N4/(W,Ti)C 性能及组织的影响

Y2O3-Al2O3为复合烧结助剂,以(W,Ti)C为增韧补强材料,制备了Si3N4基复合陶瓷材料.研究了Y2O3和Al2O3的配比、体积分数对Si3N4/(W,Ti)C力学性能、致密化进程和烧结性能的影响.结果表明两者配比为23、总体积分数为10%时,可以获得较高的致密度和较好的烧结性能,材料力学性能最好,抗弯强度845MPa,显微硬度16.45GPa,断裂韧度7.0MPa·m1/2.     

用水位法测试低压阀漏气

我厂曾生产一种煤气调节旋塞,属于低压阀门类,其使用压力为9.8×10~3Pa(0.1工程大气压)泄漏量为19.6Pa/min(2mmH_2O/min)对于这种气密性要求较高的旋塞密封测试,一般厂家均用水封法,就是以冒泡多少来确定漏气量,用此法因记数不清而测不准。这里介绍一种简易的测试方法,即用直观水位变动法     

多层膜气体传感器研制与特性试验

针对粉末烧结型SnO2:基气体传感器功耗大、交叉敏感、工作温度高的问题,研制了多层复合薄膜型气体传感器,以抛光的耐热石英玻璃为基片,真空磁控溅射50～70 am厚度的SnO2薄膜,在SnO2薄膜上分别溅射不连续的ZnO、AI2O3、InO等薄膜,传感器背面溅射30 μm的Ni80Cr20电阻合金作为传感器加热电阻,用薄膜热电偶测量传感器工作温度.测试了不同的复合膜对传感器灵敏度和选择性的影响,并对传感器的吸附与解吸速度进行了测试,薄膜传感器达到相同灵敏度所需的工作温度比粉末烧结型传感器下降100～150℃,吸附解吸速度比粉末烧结型快.