扩散硅压力传感器特性分析及其应用举例

扩散硅压力传感器具有良好的性能和稳定性。本文说明了扩散硅压力传感器的工作原理,详细分析了对其进行温度综合补偿的电路,然后结合实例,介绍了压力传感器的接口电路和对其进行非线性校正的方法。     

半导体硅压力传感器

一、前言自1954年Smith等人研究了半导体Ge和Si的压阻效应以来,压阻效应就在压敏元件中得到了实际应用。由于半导体压力传感器灵敏度高、体积小,特别是80年代后硅集成电路工艺技术的发展,使以硅为衬底材料的硅扩散型压力传感器得到了惊人的发展。硅压力传感器是用途最广的传感器之一。目前大多都是采用半导体扩散技术制造应变计(应变电阻),称为扩散型硅压力传感器。由硅单晶衬底制成的膜片作为感压膜,它与应变电阻为一体结构,因此蠕变和滞后现象都很小,精度高。硅压力传感器可以与硅集或电路制造在同一衬底上组成集成型硅     

SG系列扩散硅固态压力传感器

ＳＧ系列扩散硅固态压力传感器沈阳仪器仪表工艺研究所庞世信供稿１概述ＳＧ系列扩散硅固态压阻压力传感器是沈阳仪器仪表工艺研究所开发的新一代的压力测试、控制用传感器，它同以往的产品相比，具有灵敏度高、精度高、便于远传和体积小等优点。特别是随着计算机技术的发...     

扩散硅传感器硅油充灌装置的研究

在高精度扩散硅传感器的生产中,急需采用一种净化好、充灌效率高的硅油充灌装置来满足生产需要。该装置解决了扩散硅传感器的硅油净化和充灌问题,满足了传感器隔离膜片对感受到的介质压力进行无损传递的要求,提高了扩散硅传感器的精度,特别是扩散硅传感器的温度特性和长期稳定性。本文介绍了该装置的工作原理、结构和几个技术问题。     

科技新成果信息

科技新成果信息ＢＰ８００扩散硅压力变送器由江苏金湖县计量仪器厂研制开发的ＢＰ８００扩散硅压力变送器于１９９３年１１月２９日在南京通过了由江苏省科委组织的新产品鉴定。该变送器采用了硅精蚀技术和硅晶片叠合技术相结合的ＩＣ传感器作为感测元件，质量可靠、性能...     

扩散硅固体压力传感器

扩散硅固体压力传感器是七十年代出现的新型仪表组件。本文介绍扩散硅压力传感器的特点及用途,传感器的设计理论和计算方法,压阻器件的设计原理,量程估计的简易公式,以及传感器的性能指标与应用结果等。该传感器经鉴定,精度达到千分之一。     

SOI高温压力传感器研究进展及应用

常规扩散硅压阻式压力传感器依靠PN结实现敏感电阻间的电学隔离,基于单晶硅良好的弹性形变性能和显著的压阻效应进行压力测试,以其特有的体积小、灵敏度高、工艺成熟等优点,成为应用最广泛的压力传感器。不过,当工作温度超过125℃时,电阻与衬底间的PN结漏电加剧,使传感器特性严重恶化以至失效,不能准确测量压力。因此,把能在高于125℃条件下工作的硅压阻式压力传感器,称为扩散硅高温压力传感器。     

扩散硅压力传感器现场使用存在问题和解决对策

扩散硅压力传感器是目前给排水行业普遍采用测量现场管网压力和水池、水箱水位的电气设备。一般情况下,安装在地下窨井、管廊、车间及露天等潮湿、雨淋甚至存在有害气体的环境,对传感器测量精度、稳定性及使用寿命造成很大影响。实际应用中,采取有效措施确保恶劣环境下传感器的测量精度、稳定性和寿命,具有重要意义。为解决扩散硅压力传感器现场使用出现的问题,本文介绍一种大气压平衡隔离装置,该装置能完全隔离现场有害和潮湿空气与测量元件的直接接触,有效提高扩散硅压力传感器测量稳定性和使用寿命。     

对线性半导体温度计设计方法的探讨

一、概述用扩散硅制作压力传感器,这在国内外已被广泛采用,而且技术水平不断提高,而用扩散硅制作温度传感器或温度——压力多功能传感器,国内外对其报道得都很少。本文着重对线性化输出扩散硅温度计的设计及计算方法进行了探讨。该方法运用了三点定值法,实现三点线性化输出。文中还对以桥路输出mV数直接表示温度、量程扩展和零     

扩散硅传感器、变送器型号规格介绍

我所现已批量生产的扩散硅传感器变送器有: NT870系列投入式扩散硅液位变送器 NT570、NT370系列扩散硅压力变送器 NT270系列扩散硅差压变送器 其中NT370、NT270系列变送器性能     

耐高温压阻式压力传感器研究与进展

传统的硅扩散压阻式压力传感器用重掺杂4个P型硅应变电阻构成惠斯顿电桥的力敏检测模式，采用PN结隔离，高温压阻式压力传感器取消了PlN结隔离，与半导体集成电路平面工艺兼容，符合传感器的发展方向。根据力敏材料的分类，分别介绍了多晶硅中高温压力传感器、SiC高温压力传感器和单晶硅SOI（silicon on insulator）高温压力传感器的基本工作原理和国内外的发展现状，重点论述了BESOI（bonding and etch-backSOI）、SMARTCUT和SIMOX（separation by implanted oxygen）技术的SOI晶片加工工艺。以及由此晶片微机械加工成的芯片封装的高温微型压力传感器部分特性，对此领域的发展作了展望。     

扩散硅压力传感器自动测试补偿系统设计

采用“一桥两测”技术，以微机为核心设计了扩散硅压力传感器的自动测试补偿系统，并编制了相应的软件     

OEM硅压力传感器温度补偿技术研究

ＯＥＭ硅压力传感器除具有普通扩散硅压力传感器的灵敏度高、稳定性好等优点外,还具有体积小、人格低廉易于批量生产等特点,成为市场的主导产品,文中对多种ＯＥＭ硅压力传感器的温度特性曲线及其补偿电路进行测试、比较、分析,对传感器温度曲线可补偿性进行研究,实现了低温度系数厚膜网络温度补偿。     

基于ZMD31150的扩散硅传感器一体化设计及其应用

为了解决扩散硅传感器补偿和信号调理等方面存在的问题,提出了一种基于ZMD31150的扩散硅传感器一体化应用。通过专用的传感器结构、信号调理电路及信号校准系统,解决了扩散硅传感器的补偿和信号调理中存在的问题,实现了对扩散硅传感器的数字补偿和非线性修正。实验结果表明:该传感器简化了测量电路设计,实现了传感器信号输出伏级,极大地提高扩散硅传感器的应用。     

基于BP神经网络的压力传感器误差补偿算法研究

采用BP神经网络来建立扩散硅压力传感器的输出输入模型,其网络模型具有三层结构,采用改进型的差分进化算法来优化BP神经网络的权值和阀值,并在MATLAB中进行了仿真。经训练得到补偿后扩散硅压力传感器的输出满量程误差可达到0．035％,结果表明采用基于改进型差分进化算法的BP神经网络建模对提高智能差压传感器的测量准确度具有参考价值。     

硅杯工艺与设备

本文叙还了扩散硅压力传感器的硅杯制造工艺和设备的研制情况。对工艺中存在的几个问题与解决方法,硅杯机的性能和工艺参数等方面进行了说明。     

扩散硅应变片及其固体压力传感器成果鉴定会

受第一机械工业部委托,由一机部沈阳仪器仪表工艺研究所主持的扩散硅应变片及其固体压力传感器成果鉴定会于1978年12月3日到7日在沈阳举行。来自科研、生产、使用等单位的代表50余人参加了鉴定会。到会代表对扩散硅应变片及其固体压力传感器的有关资料测试性能报告等进行了审查。认为一机部沈阳仪器仪表工艺研     

电容式压力传感器的开关电容接口

引言目前,扩散硅压阻式桥路和离子注入式硅膜片集成压力传感器的线性都很好,但它们的温度特性差,功耗也较大。相比之下,电容式压力传感器的温度特性要好得多,功耗也小。它的灵敏度是压阻桥路压力传感器的10～20倍,正在研制中的开关—电容(SC)接口非常适用于     

SG—75扩散硅压力传感器

本文介绍了工业压力变送器用全固态结构的SG-75扩散硅压力传感器的研制。传感器压力范围0.16～50MPa,满量程输出120～230mV/0.78mA,精度0.2％F·S,工作温区-30～90℃。该传感器现已批量生产。     

用BP神经网络法对压力传感器进行温度补偿

压阻型扩散硅压力传感器在测试压力时,容易受到环境温度的影响。为了消除温度所带来的影响,需要对压力传感器进行温度补偿。神经网络技术中的BP神经网络算法可以在压力试验中对压力传感器进行温度补偿。此方法将压力传感器和温度传感器所采集到的电压信号进行数据融合,削弱了温度对压力传感器所产生的干扰,补偿后比补偿前得到压力传感器灵敏度温度系数和满量程时相对误差都分别提高了2个数量级。