水环式压缩机的改造

本文对水环式压缩机的设计、使用及出现的打量不足,主轴、轴承损坏等影响运转周期的问题,进行了分析,并提出了改进方法,使运行周期由不足三周提高到五个月以上,对辅助设备提出了设计,大大节约了资源。     

氮流量对掺氮氧化亚铜薄膜性能的影响

氧化亚铜在光伏及光催化等领域有潜在应用,掺氮能增加其空穴浓度从而提高电导率,但氮在氧化亚铜的状态仍未被深入研究.在溅射压强等参数不变的条件下,逐步增加氮气流量,制备了一系列纯相的氮掺杂的氧化亚铜,并用X射线衍射、台阶仪、扫描电子显微镜、能量色散谱仪、拉曼光谱、X射线光电子能谱仪、霍尔效应及分光光度计等方法对所得样品进行分析.霍尔效应测试结果表明,氮掺杂能使氧化亚铜薄膜空穴浓度提高1个数量级.禁带宽度随氮气流量的增加而逐渐减小,氮在氧化亚铜中以β-N(氮原子)、α-N2(分子态氮,—N■N—)及γ-N2(分子态氮,N≡N)3种形式存在,随着氮流量的增加,β-N的结合能的峰强不断增强,而α-N2的结合能的峰强不断减弱.氮流量为2标准立方厘米每分钟(sccm)时所得样品的电阻率最小.     

液氧泵回流阀爆裂事故原因分析

介绍一起液氧内压缩流程中液氧泵回流阀爆裂事故的经过和破坏情况,初步认为事故的原因可能是阀门制造缺陷导致升压过程中上阀体破裂后高压液氧泄漏,进而引发化学性爆炸。最后提出了防止液氧泵回流阀燃爆的预防措施。     

电化学沉积非晶NiOxHy膜的电致 变色特性及其机理

研究了用电化学方法在SnO2基底上沉积的NiOxHy膜电致变色特性,该膜是一种富氧结构,具有优良的变色特性,其透射式光密度ΔOD在可见光区可达1以上．NiOxHy膜在KOH电解液中的电致变色行为是由质子的注入或萃取所决定．H+注入并占据Ni空位,会使一部分Ni3+转化为Ni2+,Ni3+的减少将导致光透性增强,这是因为Ni的d电子能级在NiO6八面体晶场中被分裂为t2g和eg能级．H+的注入使Ni3+的t2g能级被电子填满,变为Ni2+,导致光学透明．反之,H+的萃取使t2g能级出现空穴,即形成Ni3+,导致光吸收．     

压缩机阀门锁紧螺母改造

介绍M53-0．5/220型二氧化碳压缩机三段阀门的改造。     

离子束溅射制备CuInSe_2薄膜的研究

利用离子束溅射沉积技术,设计三元复合靶,直接制备CuInSe_2(CIS)薄膜.通过X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和分光光度计检测在不同衬底温度和退火温度条件下制备的CIS薄膜的微结构、表面形貌和光学性能.实验结果表明:使用离子束溅射沉积技术制备的CIS薄膜具有黄铜矿结构,在一定的条件下,适当温度的热处理可以制备结构紧密、颗粒均匀、致密性和结晶性良好的CIS薄膜,具有强烈的单一晶向生长现象.     

泡生法蓝宝石晶体生长工艺的探讨

为了研究工艺参数对泡生法蓝宝石晶体生长过程及其晶体质量的影响,在自行研制的泡生法蓝宝石晶体生长炉上进行了试验.调整籽晶热交换器水流量及进水温度,并在等径生长期间采用不同的维持功率下降速度,结果表明:热交换器冷却强度对引晶及放肩阶段晶体生长有显著影响,并逐步减弱;维持功率下降速度直接影响等径生长阶段的晶体生长速度和晶体质...     

水环式压缩机的改造

本文对水环式压缩机的设计、使用及出现的打量不足，主轴、轴承损坏等影响运转周期的问题，进行了分析，并提出了改进方法，使运行周期由不足三周提高到五个月以上，对辅助设备提出了设计，大大节约了资源。     

工艺参数对离子束溅射ZnO∶Al薄膜结构与性能的影响

以ZnO(掺杂2%Al2O3)陶瓷靶作为靶材,采用离子束溅射技术在BK7玻璃基底上制备AZO透明导电薄膜。研究不同工艺参数对ZnO∶Al(AZO)薄膜结构与光电性能的影响。结果表明,不同等离子体能量下制备的AZO薄膜均出现ZnO(002)特征衍射峰,具有纤锌矿结构且c轴择优取向;AZO薄膜的结晶质量和性能对基底温度有较强的依赖性,只有在适当的基底温度下,可改善结晶程度且利于颗粒的生长,呈现较低的电阻率;不同厚度的AZO薄膜均出现较强的ZnO(002)特征衍射峰且随着厚度的增加,ZnO(110)峰强度不断加强,相应晶粒尺寸变大,但缺陷也随之增多;同时得出利用离子束溅射方法制备AZO薄膜的最佳工艺为:等离子体能量为1.3 keV、基底温度200℃和沉积厚度为420 nm,该参数下制备的薄膜结晶程度较高、生长的颗粒较大,相应薄膜的电阻率较低且薄膜透射率在可见光区均达到80%以上。     

微生物絮凝剂产生菌的筛选及培养条件的研究

从活性污泥及污水中筛选出一株产絮凝剂的霉菌,该菌所产絮凝剂对高岭土的絮凝活性接近90％。该菌的培养实验表明,其适宜生长的碳源为葡萄糖或蔗糖,氮源为豆芽汁或马铃薯汁：适宜的初始pH值为6．0：生长与分泌絮凝剂的合适温度范围为30—35℃;受培养温度的影响,絮凝效果最好的培养时间在50—60h。