SiCp/A1复合材料研究进展

SiCp／Al复合材料具有较高的比强度、比刚度、弹性模量、耐磨性和低的热膨胀系数,制造成本低,可用传统的金属加工工艺加工,碳化硅铝基复合材料在航空航天、军事领域及汽车、电子仪表等行业中显示出了巨大的应用潜力。如美国DWA特种复合材料公司用25vol％SiCp增强6061铝合金基复合材料代替7075铝合金生产航空结构导槽、角材,其密度下降了17％,SiCp增强的2124铝合金、8090Al-Li合金复合材料制作飞机和导弹零件用薄板材、挤压件、锻件,其拉伸模量达到100Ga以上。     

SiC边界层陶瓷电容器的制备和性能特点

陶瓷电容器,尤其是边界层陶瓷电容器由于具有许多优良的性能,而越来越受到人们的重视.通常用于陶瓷电容器的材料是具有弛豫铁电性能的钛酸盐类材料.本文则介绍了将SiC材料用于制备陶瓷电容器,结果发现,电容器的介电常数高达2 910 000,远远高于传统材料;而同时,其介质损耗也非常高.在此,对降低损耗的工艺过程进行了探讨.     

基于加工特征的轴类零件三维建模方法

提出一种基于加工特征的三维建模方法,增强模型特征与加工工艺之间的关联性,以期形成轴类零部件的建模规范。通过确立特征独立性、基于加工顺序建模的两个基本建模要求,将工艺知识以建模规范的形式嵌入三维建模过程中,降低工艺人员对三维模型的辨识难度。最后,对机械轴进行三维建模,验证了该方法的可行性和有效性。     

烧结工艺对SiC/Cu-Al复合材料的力学性能及断裂行为的影响

以Cu包裹SiC颗粒为增强体,分别采用真空热压烧结和常压氩气气氛保护烧结方式制备含5%(体积分数)SiC颗粒的SiC/Cu-Al复合材料.研究了不同烧结温度对样品密度、Vickers硬度和弯曲强度的影响.采用X射线衍射、扫描电镜对样品的晶相组成和结构进行了测定.结果表明:热压制品相对常压烧结制品的晶相组织均匀,晶粒细小.热压烧结可以大大提高SiC/Cu-A1复合材料的致密度,最高达到理论密度的99.9%.热压烧结的制品的硬度得到提高,550℃热压烧结的制品硬度最高可达到65MPa,575℃烧结时,其最大抗弯强度为190MPa,断裂机制主要是增强的颗粒断裂和基体撕裂.     

不同工艺对SiC/Cu复合材料界面结合的影响

采用包裹法和机械合金法制备了SiC∶Cu为20∶80(体积比)的SiC/Cu复合材料.采用XRD,SEM及EDAX能谱对粉体和烧成样品的物相、断口显微形貌及断口物质成分进行了表征.结果表明:采用包裹法在制备复合粉体过程中出现Cu2O,其含量在烧结过程中减少,包裹法制备的烧成样品SiC颗粒和Cu结合成"核-壳"结构,两相分布比机械合金法更均匀,界面结合更好,强度更高.     

热等静压在金属陶瓷制备中的应用研究进展

金属陶瓷复合材料是一种新兴的高性能材料。由于现有制造工艺等因素的制约,大大限制了其应用前景。热等静压技术的引入,使制造优良性能的金属陶瓷找到了新的突破口。经过热等静压制备金属陶瓷,可以大大提高金属陶瓷的密度、硬度、屈服强度、抗弯强度等性能,并解决了制备形状复杂的工件问题,减小了对于制品的机械加工。本文详细介绍了HIP技术在金属陶瓷制备中的应用情况,并就HIP工艺的技术关键及注意事项等问题作了简要的分析和总结。     

放电等离子体烧结SiC/Cu金属陶瓷复合材料研究

选用SiC/Cu包裹复合粉体,采用最新型的放电等离子体烧结方式制备了SiC/Cu金属陶瓷复合材料.分别采用XRD、SEM等方法对烧成样品进行表征.结果表明,放电等离子体烧结过程中,由于等离子体的作用,不同的烧成温度使得烧成样品中的物质及相应的含量发生变化.样品的密度随温度升高而增大,而硬度在730℃左右出现最大值,这是采用放电等离子体烧结制备SiC/Cu金属陶瓷复合材料的最佳烧成温度.由于SiC的增强作用,使得SiC/Cu金属陶瓷复合材料的硬度远远高于Cu.     

烧结工艺对SiC/Cu–Al复合材料的力学性能及断裂行为的影响

以Cu包裹SiC颗粒为增强体,分别采用真空热压烧结和常压氩气气氛保护烧结方式制备含5%(体积分数)SiC颗粒的SiC/Cu–Al复合材料。研究了不同烧结温度对样品密度、Vickers硬度和弯曲强度的影响。采用X射线衍射、扫描电镜对样品的晶相组成和结构进行了测定。结果表明热压制品相对常压烧结制品的晶相组织均匀,晶粒细小。热压烧结可以大大提高SiC/Cu–Al复合材料的致密度,最高达到理论密度的99.9%。热压烧结的制品的硬度得到提高,550℃热压烧结的制品硬度最高可达到65MPa,575℃烧结时,其最大抗弯强度为190MPa,断裂机制主要是增强的颗粒断裂和基体撕裂。     

碳化硅微粉应用新领域--半导体线切割

碳化硅是传统的磨料磨具材料。在材料磨削加工领域得到了广泛的应用。本主要介绍碳化硅微粉新的应用领域——半导体线切割．主要用于切割各种尺寸的半导体硅单晶材料。     

不同工艺对SiC／Cu复合材料界面结合的影响

采用包裹法和机械合金法制备了SiC：Cu为20：80（体积比）的SiC／Cu复合材料。采用XRD，SEM及EDAX能谱对粉体和烧成样品的物相、断口显微形貌及断口物质成分进行了表征。结果表明：采用包裹法在制备复合粉体过程中出现Cu2O，其含量在烧结过程中减少，包裹法制备的烧成样品SiC颗粒和Cu结合成“核．壳”结构，两相分布比机械合金法更均匀，界面结合更好，强度更高。