泊松方程数值解法的加速收敛法

用数值方法对泊松方程求解时，往往要对迭代的中间结果作适当的压缩处理，以加快收敛速度和避免溢出。本文提出一种单一指数因子的非线性压缩法。一维数值模拟结果表明，平衡态时不必进行压缩处理。而在非平衡态时，最佳指数压缩因子的大小与杂质浓度有关。参考本文给出的数值计算结果，根据给定器件的杂质浓度分布，选定一最佳指数压缩因子，可以使泊松方程的数值求解过程具有最快的收敛速度。     

一种高效率稳定的PWM-PSM双模调制技术

提出了一种新型的PWM-PSM双模调制技术,通过检测大功率器件驱动信号的占空比来判断系统负载的轻重,从而控制模式间的转换;在降低对取样电路精度要求的同时,有利于实现控制模块的数字化,提高转换效率。另外,为了提高驱动信号的稳定性,采用一个5位的DAC来实现锯齿波信号的数字化,增大噪声容限。仿真结果验证了设计的正确性。该控制方法已经成功应用于一款多功能的集成汽车电子调节器中。     

MgB2/Mo多层膜的制备与超导性质的研究

本文采用磁控溅射技术(MS)和混合物理化学气相沉积法(HPCVD)在单晶Al₂O₃基底上制备MgB₂/Mo多层膜。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和标准四线法对样品的表面形貌、晶体结构和超导特性进行了测量研究。实验结果表明随着后续MgB₂沉积温度的增加各膜层结晶程度进一步提高,晶粒尺寸不断增大,各自保持着良好的物质稳定性。在730℃温度下生长的MgB₂薄膜的超导转变温度T_con和零电阻温度T_c0分别为39.73K~39.53K,剩余电阻率~0.77μΩcm,表明样品处于干净极限。     

RRAM的氧空位与金属细丝机制SPM的比较

应用扫描探针显微镜(SPM)技术实现了氧化物阻变薄膜局部区域高低阻态的互相转变。通过电激励、编程和擦除等操作,控制细丝的产生和断裂,实现了阻变薄膜局域的重复编程/擦除操作。用该方法分别研究了氧空位机制与金属导电细丝机制的氧化物薄膜的阻变特性,对两种机制做了对比研究。结果表明:在阻变存储器(RRAM)中氧空位机制在导电细丝和数据密度方面要高于金属细丝机制。同时,金属细丝机制阻变薄膜部分区域因编程/擦除操作发生了永久性形貌变化,可能对阻变器件的电极产生永久性破坏,这说明氧空位机制阻变薄膜在未来的高密度存储上具有较好的应用前景。     

汽车电压调节器集成电路芯片版图设计

介绍了基于4μm双极型对通隔离工艺的汽车电压调节器功率集成电路芯片的版图设计。版图设计的主要出发点是高精度、大调整电流和高可靠性三方面。版图中各模块采用了热对称设计和等温线设计,关键元件的匹配采用了中心对称设计,大功率调整管采用了宽发射极窄接触条和圣诞树型结构相结合的方案。芯片测试结果表明,电压调节器的调节精度为14.2±0.15V,最大调节电流为5A,较好地实现了预定电路功能。芯片成品率达80%。     

一种大电流高精度集成汽车电压调节器

介绍了一种大电流高精度集成汽车电压调节器的设计原理及电路结构.该集成汽车电压调节器由基准电压源、比较放大器、保护电路和调整管等单元组成.该电路采用硅双极型对通隔离功率IC工艺研制,具有过流/过压、过热保护功能,以及电压调节精度高、调整电流大等特点.     

高性能双极型集成电路晶体管

本文讨论作为集成电路元件的高性能双极型晶体管的现状和有关的工艺问题。     

两种二硼化镁超导薄膜布图布线的湿法刻蚀技术(英文)

超导薄膜实现布图布线工艺是制备超导电子元件的必要步骤。报道了两种二硼化镁超导薄膜布图布线的湿法刻蚀技术:一种是先利用双氧水(H2O2)刻蚀前驱体硼薄膜,然后将刻蚀的样品放入钽坩埚中在镁蒸气下高温退火,实现了对超导薄膜二硼化镁(MgB2)布图布线的刻蚀;另一种是选用氢氟酸(HF)和硝酸(HNO3)的混合溶液直接在二硼化镁超导薄膜上进行图形刻蚀。通过上述两种方法刻蚀出的MgB2薄膜图形精确度高,超导转变温度Tc都在38K以上,临界电流Ic约为1×106 A/cm2。     

0．5um CMOSI艺下GCNMOSESD保护电路设计

分析GCNMOS的特点和工作机理,设计一种基于CSMC0．5um2P3MCMOSiE艺下改进的ESD保护电路,并对版图设计进行了优化。测试结果表明,芯片的抗EsD能力达到3600V,实现了对芯片的全方位ESD保护。     

MOS电流模逻辑分频器设计

用参数已经优化的MCML(MOS电流模逻辑)电路设计了锁存器,对锁存器的功耗及延迟进行了仿真分析;基于该锁存器分别设计了一个二分频和四分频电路,二分频电路的最高工作频率达到7.7GHz.四分频电路采用两个二分频电路直接级联,由于无缓冲连接,不仅减小了第一级的输出节点电容,同时减小了芯片的面积.电路仿真均在SMIC 0.13μmCMOS工艺下完成.