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基于CRD对741双极型通用集成运放进行改进研究,通过CRD替代双极型集成运算放大器(OPAMP)输入级及偏置电路中做为恒流源的双极型器件,并利用Multisim 10和Cadence进行设计与仿真。结果表明,当电源电压改变时,双极型运算放大器输入级电流在0.290 mA到0.433 mA变化,而基于CRD的差分输入级电流恒定在0.239 mA到0.244 mA之间,且电流变化只有0.005 mA。当电源电压恒定在13 V时,双极型运算放大器偏置电流达到0.739 mA,而基于CRD偏置电路电流只有0.222 m。由此可知,基于CRD的运算放大器能实现更低功耗。 相似文献
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超导薄膜实现布图布线工艺是制备超导电子元件的必要步骤。报道了两种二硼化镁超导薄膜布图布线的湿法刻蚀技术:一种是先利用双氧水(H2O2)刻蚀前驱体硼薄膜,然后将刻蚀的样品放入钽坩埚中在镁蒸气下高温退火,实现了对超导薄膜二硼化镁(MgB2)布图布线的刻蚀;另一种是选用氢氟酸(HF)和硝酸(HNO3)的混合溶液直接在二硼化镁超导薄膜上进行图形刻蚀。通过上述两种方法刻蚀出的MgB2薄膜图形精确度高,超导转变温度Tc都在38K以上,临界电流Ic约为1×106 A/cm2。 相似文献
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本文基于SMIC40nmCMOS工艺,设计了一款输入频率范围25~20MHz,输出频率范围2.4~4GHz的电荷泵锁相环(CPPLL).介绍了电荷泵锁相环的整体电路框架,叙述了各子模块电路的设计、仿真验证与整体电路的设计与仿真验证,重点介绍压控振荡器的设计与仿真优化.版图后仿真结果表明,电荷泵电流失配在直流情况下达到0.3%@0.4-1.3 V;压控振荡器的输出频率范围为0.3~4 GHz、在输出频率1 MHz时相位噪声为-93.4 dB@1MHz、锁定时间为1 μs、绝对抖动为1 ps、典型值时的功耗为30 mW、面积为300×300 μm. 相似文献
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构建了一个半径为0.05μm的圆柱体,用于模拟单粒子辐射功率VDMOS器件的粒子径迹,且圆柱体内新生电子和新生空穴的数目沿圆柱体的半径方向呈高斯分布。考虑到功率VDMOS器件的SEB效应与寄生NPN具有直接关系,提出了一种畸变NPN模型,并通过合理假设,推导出功率VDMOS器件在单粒子辐射下安全漏源偏置电压的解析式。结果表明,使用解析式计算得到的SEB阈值与TCAD仿真结果吻合较好。该模型可被广泛用于功率VDMOS器件SEB效应的分析和评价,为抗辐射功率VDMOS器件的选型及评价提供了一种简单和廉价的方法。 相似文献
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集成电路设计具有涉及面广、综合性强和技术更新快等特点,传统的教学模式已不能实现高质量和高效率的教学效果。本文提出了关于"集成电路设计"课程教学改革的几点意见,针对涉及面广和综合性强的特点,应充分利用现代信息技术,建设数字化教学资源库;设计性课程普遍存在入门难和学生容易厌学的问题,需采用启发式、探究式、讨论式、参与式、翻转课堂等教学模式来充分调动学生学习积极性;设计课程免不了实践环节,应加强实践教学;由于集成电路技术更新快,教学中既要做好基础理论讲授,又需要向学生输送大量的学科前沿信息,以便学生掌握行业动态。通过教学改革,做到理论联系实践、基础和前沿并举、鼓励创新和协作,充分调动学生的学习积极性,实现高质量、高效率的教学效果。 相似文献
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