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研究了BaF2添加对高温超导氧化物YBCO先驱粉末的热力学行为及对织构组织和超导性能的影响。DTA分析结果表明,添加BaF2使YBCO先驱粉末升温过程中的包晶分解温度有所降低,同时使YBCO的包晶反应温度降低,对织构生长的温度区间影响不是很明显。SEM测量发现,YBCO的显微组织结构基本不变,说明BaF2的添加没有显著影响YBCO的织构生长和Y211在基体中的分布。磁化率测景表明,当BaF2含量小于10%(质量分数)时超导转变温度略有降低。 相似文献
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为了提高多芯MgB_2超导线材中芯丝相互之间的结合强度和超导芯丝的致密度,将传统的热挤压技术引入到MgB_2线材制备过程中。采用挤压工艺制备180芯导体结构的多芯MgB_2/Nb/Cu超导线材,Φ64mm的复合包套通过单道次挤压工艺加工到Φ20 mm。挤压后的线材通过冷拉拔和中间退火热处理最终加工到Φ0.81 mm。对加工不同阶段的复合线材进行了微观结构分析,发现多芯线材中MgB_2超导芯丝分布良好,Nb阻隔层厚度分布较为均匀,无破损现象。通过该工艺已成功制备出百米量级长度的多芯MgB_2超导线材。该技术为MgB_2超导长线的制备提供了新途径。 相似文献
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为了提高多芯MgB2超导线材中芯丝相互之间的结合强度和超导芯丝的致密度,将传统的热挤压技术引入到MgB2线材制备过程中。采用挤压工艺制备180芯导体结构的多芯MgB2/Nb/Cu超导线材,Φ64mm的复合包套通过单道次挤压工艺加工到Φ20 mm。挤压后的线材通过冷拉拔和中间退火热处理最终加工到Φ0.81 mm。对加工不同阶段的复合线材进行了微观结构分析,发现多芯线材中MgB2超导芯丝分布良好,Nb阻隔层厚度分布较为均匀,无破损现象。通过该工艺已成功制备出百米量级长度的多芯MgB2超导线材。该技术为MgB2超导长线的制备提供了新途径。 相似文献
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本文通过基于共沉淀工艺的双粉法制备了Bi1.76Pb0.34Sr1.93Ca2.0Cu3.06O8+d (Bi-2223)前驱体粉末。在这一过程中,首先单独制备了Bi1.76Pb0.34Sr1.93CaCu2.06O8+d (Bi-2212)和CaCuO2(实际相组成为Ca2CuO3和CuO)粉末,并分别进行了烧结。通过调节共沉淀工艺过程中的pH值,获得了颗粒尺寸不同的CaCuO2粉末,然后将Bi-2212与其按照相组成相组成为1:1进行混合,并装入Ag包套中,通过一系列的旋锻、拉拔和轧制工艺,获得设计尺寸的Bi-2223带材。比表面积测试表明随着pH值从3.0增加到5.0和6.5,获得CaCuO2粉末的平均颗粒尺寸从1.1减小到0.75和0.60 mm。通过扫描电镜对不同尺寸CaCuO2颗粒制备的Bi-2223生带、第一次热处理和后处理之后带材的相组成和分布进行了表征。结果表明,适当尺寸的CaCuO2颗粒可以避免团聚现象的出现,因此有利于高载流性能带材的获得。最终通过进一步调节带材的尺寸,1#带材的性能最高,达到了12200 Acm-2。 相似文献
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MgB2超导体临界温度为39 K,具有价格低廉和临界转变温度相对较高等优点,具有工程应用前景,然而其大尺度应用还依赖于超导性能的改善。经过系统的研究发现高能球磨和元素掺杂是提高MgB2磁场下Jc性能最有效的方法。本文介绍了采用高能球磨法制备MgB2的研究现状,采用高能球磨能有效细化晶粒,有利于提高超导芯丝的致密度,强化MgB2晶粒的连接性,同时晶粒细化形成的更多晶界能形成钉扎中心,进一步提高线/带材在高磁场下的临界电流密度。我们还介绍了通过分步反应法和高能球磨在常压条件下合成MgB2,高能球磨法可以减少MgB2长线中的孔洞并提高粉体密度。 相似文献
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以NdBCO为基体,添加适量的MgO粉末,制备了自发形核生长的多畴样品。然后选用Nd-Ba-Cu-Mg-O为籽晶成功制备了具有单畴形貌的PMP-SmBCO块材。利用DTA、XRD和SEM分析了粉末的融化温度、晶体取向及微观组织形貌。结果表明添加质量分数1%MgO的NdBCO前驱粉末最高熔化温度比SmBCO粉末高了40℃以上,NdBaCuMgO籽晶与SmBCO样品晶体完全共格。 相似文献
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超导体在加工过程中必须保持其稳定性,否则会因相分解而引起性能退化.关于超导材料性能稳定性的研究工作已经广泛开展.通过研究YBCO和BSCCO在不同温度下与水的反应,发现它们在水中会因分解而失去超导性能. 相似文献
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日本东京工业大学的研究小组发现一种新的铁砷化合物超导体系。在此基础上,中国几个研究小组已经另外发现了临界温度高达55K的超导体,目前这个体系已经有4种不同的超导体被发现。 相似文献
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本文采用一种改进型镁扩散法成功制备出密度达到1.95g/cm3的MgB2超导块材。论文研究了不同的热处理条件对MgB2块材的超导转变温度(Tc)和临界电流密度(Jc)性能的影响。采用最佳热处理条件制备的MgB2超导体Tc和Jc分别达到了38.1K和0.53MA/cm2(10K,自场)。为了改进镁扩散法MgB2超导体中弱的高场磁通钉扎性能,本文还研究了nano-Pr6O11和C掺杂对MgB2超导体的临界电流密度和不可逆场(Hirr)的影响。结果表明C掺杂的MgB2超导体临界电流密度在10K,6T下达到了104A/cm2,该结果比未掺杂MgB2超导体在同样条件下性能提高了两个量级,甚至比固态反应法制备的nano-C掺杂MgB2超导体性能更好。利用该方法制备的nano-Pr6O11掺杂的MgB2超导体在10K,2T下也比未掺杂样品Jc提高达9.4倍。根据大量的实验结果和理论分析我们提出基于改进型镁扩散法和化学掺杂,包括纳米粒子和C掺杂,很有可能是一种制备高性能MgB2超导体非常有效的途径。 相似文献
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