Ti掺杂MoS2薄膜的抗氧化性和电学性能

用磁控溅射在硅片上制备MoS₂和Ti-MoS₂薄膜,并将其在恒温恒湿箱中在AT 30℃、RH 70%条件下存储360 h。使用XRD谱、XPS谱和紫外-可见分光光度计、四探针测试仪表征分析薄膜的结构、在恒温恒湿条件下存储前后的表面化学状态和电学性能,研究了Ti掺杂对薄膜抗氧化性和电学性能的影响。结果表明：Ti掺杂影响MoS₂薄膜的晶体取向。随着Ti靶电流的增大薄膜的结晶性变差,Ti靶电流为0.6A时薄膜呈无定型结构且禁带宽度减小、电导率提高;在恒温恒湿条件下存储后薄膜的部分氧化而呈MoS₂与MoO₃的复合状态,随着Ti靶电流的增大I_Mo-O/I_Mo-S比提高、禁带宽度略有增大,Ti靶电流为0.4A的Ti-MoS₂薄膜其化学稳定性较高。     

硝酸诱导金纳米带的晶种法制备及光谱表征

采用硝酸诱导的晶种法制备金单晶纳米带,利用TEM、HRTEM和UV-vis技术对产物进行形貌、结构表征和吸收性能分析。发现产物的形态有纳米带、纳米片和纳米颗粒,但以纳米带为主。纳米带为面心立方结构金单晶。UV-vis显示,产物的微弱吸收峰位于550nm和强吸收峰位于975nm,分别起源于纳米带横轴直径与长度方向的表面等离子体共振。金纳米带的生长机制进是,小尺寸纳米片在硝酸诱导作用下通过表面偶极作用进行自组装。     

半导体/SiO2纳米复合材料的溶胶-凝胶制备

总结了溶胶-凝胶法制备半导体/SiO2纳米复合材料的研究进展。目前,通过该方法已制备了镶嵌在SiO2玻璃中的II-VI族I、II-V族I、-VII族和IV族等半导体;形态上,除玻璃块体和薄膜外,还出现了核壳结构的纳米颗粒和同轴纳米电缆。     

In_2O_3介孔微米片的水热法制备及生长机理研究

利用水热法结合热处理技术,以In(NO_3)3、蔗糖和Na_2SO_4为原料制备了In_2O_3六边形微米片。微米片为立方相多晶结构,直径达到十余个微米、厚度仅有100~150 nm,内部多孔。微米片的氮气吸脱附等温线表明材料属于介孔材料,孔径分布于25~125 nm,产物的BET比表面积只有12.8 cm3/g,可能是表面颗粒覆盖了内部孔洞造成。分析了材料的生长机理,认为SO_42-的配位作用既减缓了前驱体的生长速度,又使前驱体颗粒相互组装形成微米片,蔗糖改善了分散性。     

铁酸钴纳米团簇模拟酶的制备及其应用研究

利用微波多元醇法制备了具有大比表面积的铁酸钴纳米团簇,通过透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)、X-射线衍射仪(XRD)、振动样品磁强计(VSM)等表征手段对其形貌、结构和性能进行了表征和分析,深入研究了其模拟氧化物酶的催化性能,并利用该性能建立了一种简单灵敏且能可视化检测食品添加剂亚硫酸盐的新方法。在最优条件下,该方法对亚硫酸根离子(SO■)的检测线性范围在10.0～500.0μmol/L之间,检测限为0.8μmol/L,实际食品样品的加标回收率为96.9%～104.7%,能够满足快速简便和可视化检测食品添加剂的实际要求,其有望在食品安全领域得到广泛应用。