一种应用于半导体的钽板制备工艺研究

磁控溅射吸附器应用于半导体制造的金属化工艺,其作用是在溅射过程中起到聚焦和净化的作用。由于需要在表面进行均匀一致的滚纹处理,所以对其坯料的板形以及同板差有非常严格的要求,同时对内部组织也有较高要求。为了制备满足其要求的钽板,本文主要从锻造工艺以及轧制工艺进行讨论,最终得到适宜于批量生产的加工工艺,使钽板满足小于0.15mm的同板差的要求,同时晶粒尺寸在200~300μm之间,并且均匀一致。     

深冲铌带工艺研究

深冲铌带主要应用于电解电容器行业,深冲铌带不但要满足内部晶粒尺寸的要求,而且要满足其后续加工的力学性能要求。深冲铌带要经过多次的拉伸,对铌带的生产工艺提出了很高的要求。本文研究了锻造、轧制、热处理3个关键工艺,确定了能够满足电解电容器行业用深冲铌带的生产加工工艺。     

钽薄壁管GTA焊接接头晶粒细化机理

为了得到性能良好的纯钽焊接接头,并对Ta的晶粒大小进行控制,测得了纯钽晶粒长大的温度区间,并采用厚度为0.56mm的Ta1在钨极氦弧焊条件下,进行了钽薄板对接焊以及钽薄壁管的焊接试验,讨论了压力对纯钽金属焊缝凝固结晶的影响.利用金相显微镜、扫描电镜(SEM)对纯钽焊接接头组织进行分析,结果表明,纯钽晶粒长大的温度区间为1 150～1 300℃;在钽薄壁管辊压成形条件下,焊接接头晶粒明显细化,其最大晶粒尺寸约为平板对接焊条件下的一半;钽薄壁管在焊接过程中受滚轮压力作用,使焊缝结晶形核数、成核速度增加,在钽金属内部形成大量位错,位错的增殖和交互作用,降低了晶界表面能,同时造成生长中的晶粒破碎,使焊缝以及热影响区晶粒细化.     

旋转镀膜铌靶材加工工艺研究

研究了靶材不同加工工艺的组织,通过多向锻造,在变形量为80%,热处理工艺为1 050℃×90 min,制得的靶材具有均匀的等轴晶组织,晶粒尺寸40—100μm。     

溅射镀膜用铌靶材晶粒尺寸控制工艺研究

铌靶材主要应用于表面工程材料,如船舶、化工、液晶显示器(LCD)以及耐热、耐腐蚀等镀膜行业。作为被溅射的基材,为了获得均匀一致的薄膜淀积速率,对溅射铌靶材的主要要求是均匀的组分、合适的颗粒尺寸以及具体的结晶学取向。本文主要研究在实际生产中,锻造工艺、轧制工艺以及热处理工艺对溅射镀膜用铌靶材晶粒尺寸的影响。通过多次试验,得到合理的锻造工艺、轧制工艺以及热处理工艺,从而对铸锭晶粒进行彻底的破碎和再结晶,最终得到晶粒尺寸小于100μm,且均匀一致的等轴晶组织,满足了溅射镀膜用铌靶材要求的晶粒尺寸和均匀等轴晶组织。     

Ta/Cu真空扩散焊工艺及界面研究(英文)EI北大核心CSCD

研究了工艺参数对Ta/Cu真空扩散焊的影响。利用扫描电镜(SEM)、能谱分析(EDS)、显微硬度等测试方法对结合面微区进行了分析。结果表明:采用真空扩散焊工艺,在焊接压力为10 MPa及焊接时间为60 min的工艺参数下,界面孔洞随着焊接温度的升高而减少,在焊接温度达到1000°C时,结合面内孔洞基本消失,结合面扩散区域宽度为3～5μm;加工硬化导致硬度升高,焊合区的硬度值要比未焊合区的硬度值稍高。     

炼油企业“三泥”的脱油试验与分析

浮渣、罐底泥、（简称“三泥”）等有害废弃物的处理,是炼油企业久而未决又亟待解决的难题。通过对“三泥”的脱油试验,本文对试验过程及试验结果进行了分析,并对“三泥”的处理进行了初步的探讨。