计算机技术和网络技术在机房管理中的应用研究

当前,科技技术在我国的发展迅速,尤其是计算机技术、互联网技术的发展速度更是突飞猛进,之所以其发展迅速,实质上是因为其能够为广大的群众提供丰富且全面的信息资源。当前,社会迫切需要的就是具有信息技术水平高等方面的复合型人才,那么,当前怎样才能将机房自身具有的作用充分的发挥,怎样对机房进行科学合理且有效的管理,以促进机房管理标准性、高效益性,这些问题都是当前机房管理工作中急需要解决的首要任务。     

转向节端盖产品质量攻关

针对呋喃树脂宝珠砂铸造工艺手工生产的产品出现产品尺寸不稳定,加工后内部质量缺陷的现象,在铸造工艺设计、现场操作及模具设计等方面优化改进,从而解决批量生产中存在的质量问题。从技术管理、质量管理、生产管理的角度介绍了产品的生产过程,强调了只有加强现场精细化管理和严密的过程控制、细致的工序培训和提高员工的质量意识,才能有效的保证产品的质量稳定和持续的提高。     

含香豆素功能基聚合物的合成及荧光性能

以邻羟基苯甲醛、邻氨基巯酚、丙二腈为原料合成了有机光致发光材料6-氯甲基-3-(2-苯并噻唑基)-香豆素,将这种新型香豆素与甲基丙烯酸甲酯(MMA)、甲基丙烯酸二甲胺基乙酯(DM)的共聚物(CPA)进行季铵化反应,制得侧基上带有不同配比香豆素的新型发光高分子化合物(C-CPA)。通过差示扫描量热法(DSC)、凝胶色谱法(GPC)、FT-IR和UV-Vis证明了接枝反应是成功的。同时研究发现接枝香豆素的高分子化合物具有很好的荧光性能,这为合成具有优异发光性能的接枝型高分子功能材料提供了一条新的途径。     

卷扬筒铸件工艺优化

从卷扬筒产品铸件的技术要求出发,对呋喃树脂宝珠砂和覆膜砂结合的铸造工艺生产的卷扬筒产品出现变形,表面砂气孔的现象,在铸造工艺设计等方面优化改进,从而解决批量生产中存在的质量问题。从技术管理、质量管理、生产管理的角度介绍了产品的试制验证过程,强调了只有加强现场精细化管理和严密的过程控制、细致的工序培训和提高员工的质量意识,才能有效的保证产品的质量稳定和持续的提高。     

缓速器转轮铸造工艺的优化

针对缓速器转轮产品铸造生产中经常出现的变形以及砂眼、气孔的现象,分析了原工艺存在的问题,从型砂、冒口等方面对铸造工艺进行了优化并改善了装备条件。通过对生产过程中制芯、配模、熔炼、浇注和热处理等关键工序质量的重点控制,显著提高了铸件成品率和铸造质量,降低生产成本,并保持产品质量的稳定。     

PTT纤维在半精纺混色纱中的应用

阐述了半精纺生产中PTT纤维的应用,以及色纺生产中控制色差、色点的技术措施和应注意的问题,探讨了粘胶/PTT混色纺纱各纺纱工序主要工艺参数和关键技术措施及质量控制。     

寓环保教育于化学教育中

作为当今的中职生、明日国家的建设者,对化学理论和环境污染的认识,将对祖国未来建设产生影响。而环境教育要从现在抓起,从学生抓起。所以,我们每一个教育工作者有必要在教学工作中曹环保教育于化学教育中。     

预应力混凝土大空间住宅的可行性

发展大空间住宅是社会进步的需要,是体现尊重个性的需要.从承重结构形式与大跨度楼板的特点,特别是叠合板、SP板和后张预应力混凝土板的特点以及经济性方面的问题,说明大空间住宅发展的可行性.     

AlCrTaTiZrV高熵合金氮化物扩散阻挡层的制备及其热稳定性

为研究氮气含量的变化对AlCrTaTiZrV高熵合金薄膜性能的影响,检验在最佳氮气含量下厚度为15 nm的(AlCrTaTiZrV)N扩散阻挡层的热稳定性。采用直流磁控溅射设备在N型Si(111)基底上溅射不同氮气含量的高熵合金氮化物;选取最佳氮气含量为制备条件,在硅基底上沉积15 nm厚的AlCrTaTiZrVN₁₀高熵合金氮化物为扩散阻挡层,并在阻挡层顶部沉积50 nm厚度的Cu膜,最终形成Si/AlCrTaTiZrVN₁₀/Cu三层堆叠结构。利用真空退火炉将Si/AlCrTaTiZrVN₁₀/Cu薄膜体系在500 ℃下进行不同时间的退火处理,用以模拟恶劣的工作环境。利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)及四探针电阻测试仪(FPP)对试样的表面形貌、粗糙度、物相组成及方块电阻和进行表征。试验结果为:当氮气含量低于10%时,高熵合金氮化物薄膜为非晶结构。当氮气含量为20%时,高熵合金氮化物薄膜呈现FCC结构,并随着氮气含量的增加,薄膜的结晶性得到提高。薄膜表面的粗糙度在氮气含量为10%时最低,R_a仅为0.124 nm。三层堆叠结构500 ℃退火8 h后,Cu表面发生团聚,薄膜的方阻维持在较低的0.070 Ω/□,且并未发现Cu-Si化合物。厚度为15 nm的非晶结构AlCrTaTiZrVN₁₀薄膜在500 ℃退火8 h后,依旧可以抑制Cu的扩散,表现出了优异的热稳定性及扩散阻挡性能。     

高熵合金AlCrTaTiZrRu/(AlCrTaTiZrRu)N0.7扩散阻挡层的制备与性能研究

目的 验证15 nm厚度AlCrTaTiZrRu/(AlCrTaTiZrRu)N0.7的势垒层热稳定性和扩散阻挡性能。方法 采用直流磁控溅射技术在n型Si(111)基片上真空溅射沉积15 nm的AlCrTaTiZrRu(3 nm)/(AlCrTaTiZrRu)N0.7 (12 nm)双层阻挡层,随后在双层AlCrTaTiZrRu/(AlCrTaTiZrRu)N0.7薄膜的顶部沉积50 nm厚的Cu膜,最终制得Cu/AlCrTaTiZrRu/(AlCrTaTiZrRu)N0.7/Si复合薄膜试样。将样品在真空退火炉中分别进行600~900 ℃高温退火30 min,以模拟最恶劣的应用环境。用场发射扫描电镜(FE-SEM)、X射线衍射仪(XRD)、能谱分析仪(EDS)、四探针电阻测试仪(FPP)以及原子力显微镜(AFM)对试样的表面形貌、物相组成、化学成分、方块电阻和粗糙度进行表征分析。结果 沉积态AlCrTaTiZrRu/(AlCrTaTiZrRu)N0.7薄膜呈现非晶结构,与Cu膜和Si衬底的结合良好。在800 ℃退火后,Cu/AlCrTaTiZrRu/(AlCrTaTiZrRu)N0.7/Si薄膜系统结构完整,膜层结构界面之间未出现分层现象,表面Cu颗粒团聚现象加剧,Si衬底和Cu膜表面未发现Cu-Si化合物生成,薄膜方阻保持在较低的0.070 ?/sq;900 ℃退火后,薄膜系统未出现层间分离和空洞现象,Cu膜表面形成孤立的大颗粒Cu-Si化合物,薄膜电阻率大幅上升。结论AlCrTaTiZrRu/(AlCrTaTiZrRu)N0.7双层结构在800 ℃退火后仍能有效抑制Cu与Si相互扩散,其非晶结构增强了Cu/HEA/HEAN0.7/Si体系的热稳定性和扩散阻挡性。