掺V和Ag的TiAl合金中缺陷和电子密度的正电子湮没研究

测量了Ti50Al50，Ti50Al48V2，Ti50Al48Ag2合金和充分退火的Ti，Al，Ag，V金属的正电子寿命谱，利用正电子寿命参数分别计算了合金基体和缺陷态的自由电子密度。TiAl合金的脆性与其基体和晶界缺陷处的自由电子密度较低有关。在富Ti的TiAl合金中加入V，V原子比Al和Ti原子能提供较多的自由电子参与形成金属键，因而提高了合金基体和晶界缺陷处的自由电子密度；在TiAl合金中加入Ag也有类似的效应。在TiAl合金中加入V和Ag，有利于提高合金的韧性。     

配水泵站的水泵测试

深圳市水务集团对所辖4座水厂配水泵站(以下简称A,B,C,D)的36台离心泵机组(其中4台调速,6台切削)的特性进行了测试。分析了水泵的日常工作点,提出了改进水泵效率的措施。     

过渡金属元素中d和f电子行为的正电子湮没研究

采用双探头符合技术,大幅度地降低了正电子湮没辐射Doppler展宽谱的本底,使谱线的峰高与本底之比高于104,从谱线的高能端提取正电子与过渡金属原子中d或f电子湮没的信息.测量了Zr、Nb、Mo、Ag、Hf、Pt、Au等纯金属和单晶Si样品的符合Doppler展宽谱,并以单晶Si样品为参考作出了这些金属的商谱.结果表明:金属Zr、Nb、Mo、Ag的商谱随原子的4d电子数目的增多而升高;金属Hf、Pt、Au的商谱出现了双峰,其峰高均随原子序数的增加而升高.     

用正电子湮没技术研究Zr和Nb在TiAl合金中的行为

测量了ＴｉＡｌ,Ｔｉ５０Ａｌ４８Ｚｒ２和Ｔｉ５０Ａｌ４８Ｎｂ２的正电子寿命谱,并利用正电子寿命参数分别计算了合金基体和缺陷态的自由电子密度。ＴｉＡｌ合金基体的自由电子密度比金属Ｔｉ和金属Ａｌ基体的低,当Ｔｉ和Ａｌ组成ＴｉＡｌ合金时,Ｔｉ原子和Ａｌ原子的部分价电子被局域化,ＴｉＡｌ合金中金属健和共键共存。ＴｉＡｌ合金晶界缺陷的开空间较大,晶界缺陷处的自由电子密度较低,金属键结合力较弱,材料易发生沿晶     

Zn-40Al合金中微观缺陷和3d电子的正电子湮没

测量Zn单晶、Al单晶、铸态Zn60Al40合金以及冷轧Zn、Al、Zn60Al40的符合正电子湮没辐射多普勒展宽谱和寿命谱.结果表明,单晶Zn和铸态Zn60Al40合金的商谱在约17.4×10-3 m0c处出现一个峰,主要是正电子与Zn中3d电子湮没的作用;当Zn原子和Al原子形成Zn60Al40合金时,Zn原子和Al原子间主要以金属键结合;轧制Al的商谱明显低于单晶Al的商谱,冷轧Zn60Al40合金商谱略低于铸态Zn60Al40合金商谱;而单晶Zn和轧制Zn的商谱几乎重叠;Al、Zn金属和Zn60Al40合金经冷轧后,由于样品中产生了缺陷,而导致正电子平均寿命增加,轧制Al的增幅最大,轧制Zn60Al40合金的增幅次之,而轧制Zn的增幅最小.     

Fe-40Al及Zn-40Al合金中微观缺陷和高动量电子行为的正电子湮没研究

测量了Fe、Zn和Al单晶,Fe-40Al、Zn-40Al合金以及冷轧Fe、Zn、Al和Zn-40Al合金的符合正电子湮没辐射多普勒展宽谱和寿命谱。实验发现,在二元Fe-40Al合金中,Al原子的3p电子与Fe的3d电子形成了局域的共价键,正电子与Fe的3d电子湮没概率较低。当Zn和Al原子形成Zn-40Al合金时,Zn原子和Al原子间主要以金属键结合。铸态Fe-40Al合金中的结构空位浓度较高,且存在开空间大的晶界缺陷。轧制铝的商谱明显低于单晶铝的商谱,冷轧Zn-40Al合金商谱略低于铸态Zn-40Al合金商谱,而单晶锌和轧制锌的商谱几乎重叠。Al、Zn金属和Zn-40Al合金经冷轧后,由于样品中产生了缺陷,而导致正电子平均寿命增加:轧制铝的增幅最大,轧制Zn-40Al合金增幅次之,而轧制锌的增幅最小。     

给水管网图形信息系统的研究

本文介绍了给水管网图形信息系统（ＧＰＧＩＳ）的设计思想、总体结构及关键技术；阐述了利用ＡＵＴＯＣＡＤ的二次开发功能开发ＧＰＧＩＳ系统时，应考虑的几个问题：图形管理、属性信息管理及图形与属性信息的链接。对ＧＰＧＩＳ系统中专业化的水力平差计算，管网故障分析等功能进行了说明。     

La_2O_3掺杂对ZnNb_2O_6陶瓷微观缺陷和介电常数的影响

通过测量不同La2O3含量的ZnLa2xNb2(1-x)O(6-2x)微波介质陶瓷的介电常数、符合正电子湮没辐射多普勒展宽谱和寿命谱,研究不同La2O3含量对该陶瓷介电常数和微观缺陷的影响。结果表明,x0.20时,随着La2O3含量增加,样品正电子平均寿命τm和缺陷浓度减小,致密度、商谱谱峰和介电常数εr升高。x=0.20时,样品正电子平均寿命τm和缺陷浓度最小,致密度、商谱谱峰和介电常数εr最高。x≥0.30时,样品正电子平均寿命τm和缺陷浓度升高,致密度、商谱谱峰和介电常数εr降低。     

微观缺陷和3d电子对La2/3Ca1/3Mn1-xFexO3陶瓷磁电阻性能的影响

用符合正电子湮没辐射Doppler展宽技术研究了La2/3Ca1/3Mn1-xFexO3陶瓷的缺陷和3d电子行为。结果表明:对x≤0.33的样品,随着样品中Fe含量的增加,3d电子数量增加,样品的商谱谱峰升高;对x>0.50的样品,随着样品中Fe含量的增加,样品中有新相生成,体系缺陷增加,样品的商谱谱峰降低。测试了La2/3Ca1/3Mn1-x-FexO3多晶陶瓷的磁电阻性能,讨论了微观缺陷和3d电子对La2/3Ca1/3Mn1-xFexO3多晶陶瓷磁电阻性能的影响。     

用正电子湮没技术研究不同化学成分的二元TiAl合金中的微观缺陷

测量了铝含量从47at%到53at%的二元TiAl合金的正电子寿命谱。结果表明：所有测试合金晶界缺陷的开空间均在于金属Al单空位的开空间。富Al的TiAl合金，其晶界缺陷的开空间随Al含量的增加而增大，晶界处的电子密度随Al含量的增加而降低。富Ti的TiAl合金，随着Ti含量的增加，其晶界（或相界）缺陷的开空间减小，晶界处的电子密度增高，使得晶界结合力增强。富Ti的TiAl合金中形成了α2(Ti3Al) γ（TiAl)层状结构双相组织使相界面增多，导致正电子陷阱数增加。讨论了合金的微观结构对其力学性能的影响。