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本文以郑州矿区"三软"煤巷为工程背景,分析了锚网支护在软岩巷道支护中的作用机理,利用UDEC数值模拟软件研究了郑州矿区煤巷锚杆支护不同锚杆长度、锚固长度、支护密度下的应力分布规律。白坪煤矿22031上付巷现场实测表明,上述支护参数能够满足安全生产要求。 相似文献
4.
在超浅层稠油水平井套管下入过程中,由于套管管柱与井眼间的侧向力较大,引起较大摩阻,而直井段较短,没有足够的驱动力使套管下行,套管入井困难,要求有套管外部加压装置的辅助。本文较详细地介绍了所研制的下套管外部加压装置的尺寸选取、设计过程,结构及作用机理、强度校核,所能施加的压力及现场试验及应用。结果表明:该加压装置能满足浅层井下套管的需要。 相似文献
5.
接插件在成品机制作中已经大量使用,它以其方便、简捷等诸多优点,受到越来越多的设计者和维修者的青睐。而以基础电子技术理论学习、验证为目的的电子小制作中,如果合理、有机的运用接插件也会取得非常良好的实验效果。接插件分插头和插座,通常配套使用。他们的种类很多。本文谈到的是二孔到十几孔的排插座在电子小制作中的实际运用。一、在电子小制作中,当电路较复杂的情况下,考虑合理的运用接插件进行连接,使之成为多路输出、输入接口, 相似文献
6.
应用静态吸附、动态吸附、程序升温脱附和程序升温还原等实验方法,考察了噻吩在Ni基非晶态合金上的吸附和脱附行为。常温下,噻吩分子首先吸附在清洁的Ni表面,并立刻被活化,发生氢解反应,C-S键断裂,释放出烃类部分,S留在Ni原子上。噻吩可以在Ni基非晶态合金表面发生强度不同的化学吸附。弱化学吸附的噻吩可以脱附;强化学吸附的噻吩不会脱附,而在高温下发生氢解反应。 相似文献
7.
GaN-MOCVD设备反应室流场的CFD数值仿真 总被引:11,自引:2,他引:9
采用计算流体力学方法对生长半导体材料GaN的重要设备MOCVD(金属有机物化学气相沉积)反应室中的流场结构进行了三维数值仿真.数值模拟采用基于非交错网格系统的SIMPLE算法,用有限体积方法对控制方程进行离散,并采用改进的压力-速度耦合方法进行求解.数值仿真给出了具有复杂几何结构和运动方式的GaN-MOCVD反应室中的流场结构,研究了改变几何尺寸和运行参数对MOCVD反应室流场结构的影响,对正在试制开发中的MOCVD设备的几何结构的改进和运行参数的优化提出了指导性建议. 相似文献
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10.
综采工作面底板破坏深度的研究 总被引:9,自引:0,他引:9
在地应力观测的基础上,采用理论计算和有限元模拟相结合的方法,计算了显德汪煤矿9z煤层底板破坏深度,得到了煤层底板最大破坏深度计算公式。 相似文献