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1.
2.
In this work, the composition-dependent point defect types and formation energies of RE2Hf2O7 (RE = La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu and Gd) as well as the oxygen diffusion behavior are systematically investigated by first-principles calculations. The possible defect reactions and dominant defect complexes under stoichiometric and non-stoichiometric conditions are revealed. It is found that O Frenkel pairs are the predominant defect in stoichiometric pyrochlore hafnates. Hf-RE cation anti-site defects, accompanied by RE vacancies and/or oxygen interstitials, are stable in the non-stoichiometric case of HfO2 excess. On the other hand, RE-Hf anti-site defects together with oxygen vacancies and/or RE interstitials are preferable in the case of RE2O3 excess. The energy barriers for the migration along the VO48f - VO48f pathway of pyrochlore hafnates were calculated to be between 0.81 eV and 0.89 eV. Based on these results, a defect engineering strategy is proposed and the pyrochlore hafnates investigated here are predicted to exhibit potential oxygen ionic conductivity.  相似文献   
3.
燕麦为西藏自治区典型牧草之一,由于种植区地域辽阔,灌溉试验结果受限,西藏燕麦主要种植区的灌溉定额尚不明确。本文在西藏燕麦主要种植区内选取28个典型站点进行资料收集,遵循农业气候相似原则进行区域划分,基于水量平衡法揭示了西藏燕麦主要种植区灌溉定额的空间分布特征,并根据统计学原理分析了其影响因素。研究表明:燕麦主要种植区的灌溉定额呈由西藏中部至东部呈现先递增后递减的趋势,50%水文年下的燕麦灌溉定额在56~265 mm之间变化。降雨量是影响研究区内燕麦灌溉定额的主要因素(R2为0.515),ET0次之(R2为0.152);其它气象因素中,日照时数对研究区燕麦灌溉定额影响较大(R2为0.462),且呈正相关关系;相对湿度对燕麦灌溉定额影响较小。西藏燕麦主要种植区的灌溉定额及其空间分布可为西藏自治区灌溉用水管理提供支撑。  相似文献   
4.
5G系统将移动通信服务从移动电话、移动宽带和大规模机器通信扩展到新的应用领域,即所谓对通信服务有特殊要求的垂直领域。对使能未来工厂的5G能力进行了全面的分析总结,包括弹性网络架构、灵活频谱、超可靠低时延通信、时间敏感网络、安全和定位,而弹性网络架构又包括对网络切片、非公共网络、5G局域网和边缘计算的支持。希望从广度到深度,对相关的理论及技术应用做透彻、全面的梳理,对其挑战做清晰的总结,从而为相关研究和工程技术人员提供借鉴。  相似文献   
5.
全膜电容器边缘处的电场畸变是影响电容器元件击穿的重要因素之一.为研究浸渍情况和压紧系数对全膜电容器电场分布的影响,对电容器端部进行建模,通过改变浸渍情况和压紧系数,计算不同参数下电容器端部的电场分布情况,结果表明:未浸渍情况下电场最大值集中在折边处两侧,浸渍情况下场强在折边圆弧处分布较为均匀.同时发现,在浸渍情况下增大压紧系数K可以明显改善全膜电容器端部电场的分布情况.  相似文献   
6.
介绍了高分子材料导热性能影响因素研究进展,重点阐释了聚合物基体的结构特性(链结构、分子间相互作用、取向、结晶度等)、导热填料(种类、含量、形态、尺寸等)以及制备方法等对高分子材料导热性能的影响。  相似文献   
7.
马慧  汤庸  何怀文 《电子学报》2021,49(11):2273-2278
在公交时间表下给定起始和目标站点,路径规划查询返回一组到达时间早和换乘次数少的帕雷托最优路径.现有的索引方法需要大量运行时内存.本文提出主存空间高效的索引方法(a-)PAINT.(a-)PAINT对每个站点v预计算一组标签,使得对于从站点s到站点d的查询可以通过匹配s和d相关的标签高效地生成查询结果的一条路径.PAINT对任意查询返回最优路径.a-PAINT只需要很小的预处理开销,但可能返回多一趟换乘的次优路径.用真实的公交时间表与模拟查询测试,PAINT具有合理的预处理开销.a-PAINT需要更少量的预处理开销,在大规模公交网络下准确率达90%.  相似文献   
8.
9.
Ce:Y3Al5O12 transparent ceramics (TCs) with appropriate emission light proportion and high thermal stability are significant to construct white light emitting diode devices with excellent chromaticity parameters. In this work, strategies of controlling crystal-field splitting around Ce3+ ion and doping orange-red emitting ion, were adopted to fabricate Ce:(Y,Tb)3(Al,Mn)5O12 TCs via vacuum sintering technique. Notably, 85.4 % of the room-temperature luminescence intensity of the TC was retained at 150 °C, and the color rendering index was as high as 79.8. Furthermore, a 12 nm red shift and a 16.2 % increase of full width at half maximum were achieved owing to the synergistic effects of Tb3+ and Mn2+ ions. By combining TCs with a 460 nm blue chip, a warm white light with a low correlated color temperature of 4155 K was acquired. Meanwhile, the action mechanism of Tb3+ ion and the energy transfer between Ce3+ and Mn2+ ions were verified in prepared TCs.  相似文献   
10.
Laminated Si3N4/SiCw ceramics were successfully prepared by tape casting and hot-pressing. Its mechanical properties were measured and the impact resistance was discussed. The toughness of the laminated Si3N4/SiCw ceramics was 13.5 MPa m1/2, which was almost 1.6 times that of Si3N4/SiCw composite ceramics, namely 8.5 MPa m1/2. Moreover, the indentation strength of laminated Si3N4/SiCw ceramics was not sensitive to increasing indentation loads and exhibited a rising R-curve behaviour, indicating that the laminated Si3N4/SiCw ceramics had excellent impact resistance. The improved toughness and impact resistance of laminated Si3N4/SiCw ceramics was attributed to the residual stress caused by a thermal expansion coefficient mismatch between the different layers, resulting in crack deflection and bridging of SiC whiskers in the interface layer, thus consuming a large amount of fracture work.  相似文献   
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