低速爆轰管对黑火药的点传火性能研究

文章采用中心点火管结构的实验装置研究了黑火药的点传火性能。用低速爆轰 (L VD)中心点火管来点燃黑火药时 ,1# ～ 3# 大粒黑药的传火速度为 70 0 m· s-1～ 80 0 m· s-1数量级 ,燃烧波宽度在 3.1ms～ 3.5 ms,最大压力峰值 :1# 为 36 .4 MPa,2 # 为 2 4 .0 MPa,3# 为 38.0 MPa。用普通中心点火管点燃黑火药时 ,2 # 、3# 和钝化 2 # 大粒黑的传火速度分别为 6 1.2 m· s-1、6 8.2 m·s-1和 4 0 .1m· s-1,最大燃烧波宽度分别为 9.2 ms、6 .3ms和 9.5 ms。燃烧波表明 ,L VD中心传火管与普通中心传火管相比较 ,在传火管的不同位置处 ,前者的 P- t曲线一致性远高于后者。     

封装材料对单触发开关的性能影响研究?

针对单触发开关高导通电流和高导通速率的要求,本文在制备肖特基二极管(SBD)单触发开关的基础上,采用环氧类树脂胶、有机硅胶以及端羟基聚丁二烯(HTPB)橡胶3种不同类型的材料封装单触发开关,分析比较其对开关峰值电流、延迟时间和上升时间的影响。试验结果表明,对于3种封装材料,单触发开关的峰值电流大小的顺序为:AB胶HTPB橡胶704胶;同时,AB胶封装的开关延迟时间最短,分析原因是其能够约束住肖特基二极管电爆炸产生的电弧。封装材料对开关的上升时间没有显著影响。     

钝感猛炸药金属导爆索安全性试验研究

研究了作为爆轰传递与延期主体的小直径钝感猛炸药金属导爆索 ,在生产、使用、贮存与应用等环节中所涉及的诸如燃烧、烤爆、殉爆、弯曲、拉伸、撞击等作用后的安全可靠性。试验证明 ,外径为 0 .85mm,药芯直径约为 0 .45mm,装药量 0 .45g/ m的含有 HNS炸药的金属导爆索具有较高的安全性能。     

激光驱动飞片技术的研究进展

激光驱动飞片技术具有产生的飞片速度高、装置简单、成本低等传统动高压加载技术无法取代的优点。在飞片的激光驱动原理、靶材结构、激光驱动飞片的性能测试和表征,以及激光驱动飞片技术在高压物理学、空间科学、材料微成形技术和炸药快速起爆技术中的应用等方面的研究进展进行了评述,指出了未来激光驱动飞片技术的研究和应用的发展方向。     

激光点火技术的发展

介绍了激光点火系统的主要构成及研究进展,对激光点火过程及药剂点火特性的各种数 值模拟方法进行了评述,对激光点火装置的应用进行了展望。     

CuO-Zr复合膜的制备及其反应光声光谱研究

以CuO和Zr为靶材,利用磁控溅射技术,采用最佳工艺条件,在载玻片衬底上沉积了Zr/CuO和CuO/Zr复合膜.利用X射线衍射、扫描电镜和反应性光声光谱技术分别对薄膜样品的晶体结构、表面形貌和反应特性进行了分析和表征.结果表明:复合膜中的Zr和CuO均以晶相形式存在,复合膜由近似球状的纳米粒子构成,在激光能量的刺激下CuO-Zr复合薄膜发生了氧化-还原反应.     

HNS溶解度与介稳区的光流控测定方法研究

为了获得炸药晶体的溶解度、介稳区宽度等结晶热力学参数,提出了一种基于光流控的炸药结晶热力学参数的测定方法,并以六硝基茋（HNS）炸药为样本验证了该种方法的适用性。以5 K为步长,测定了HNS自318.15 K至353.15 K,在体积比为10∶0,7∶3,5∶5,3∶7,0∶10的DMSO/DMF溶剂体系下的溶解度及HNS在以上DMSO/DMF溶剂体系,318.15 K至333.15 K下的介稳区宽度。采用Apelblat模型、λh模型对收集到的溶解度数据进行拟合,研究了溶剂体系对介稳区宽度的影响,并对结晶参数进行了筛选。根据经典成核理论计算了HNS的表观成核级数m,并对HNS的降温结晶成核机理进行了分析。结果表明,基于光流控的结晶热力学参数测定方法对HNS晶体有着很好的适用性。随着温度的升高与体系内DMSO体积比例的增加,HNS的溶解度增大。随着体系内DMSO体积比例的增加,介稳区宽度变窄。得到最佳结晶条件：以纯DMSO作为溶剂,溶液温度设置为333.15 K,溶质浓度为0.029 g·mL-1。m的值约为4,受起始温度的影响不大,可以推测HNS的成核机制属于连续成核。     

SMD石英晶体抗高过载性能的研究

为了研究SMD石英晶体的抗高过载能力,采用自由式霍普金森压杆对7050、6035、5032、3225、3225(一级加固)、3225(二级加固)六种型号SMD石英晶体进行高过载环境下的动态加载测试。结果表明,在高过载条件下,SMD石英晶体的抗高过载性能随尺寸减小而不断提高,并且产品经历高过载环境后电气参数的不良率逐步降低。未经过加固处理的各型号SMD石英晶体(7050、6035、5032、3225)经过高过载试验(50 000~80 000 g)后,电气参数均出现超差,不能满足武器系统的要求。经过加固处理的SMD石英晶体样品(3225一级加固、3225二级加固)经过高过载试验可以正常工作。     

特殊加固SMD晶振的抗高过载性能研究

为了研究经过特殊加固的SMD石英晶振的抗高过载能力,选取同批次15只SMD石英晶振样品,利用自由式霍普金森压杆对样品进行高过载环境下的动态加载测试。结果表明,特殊加固处理的SMD石英晶振样品经过高过载试验可以正常工作,电气参数变化满足正常使用要求,频率变化率、阻抗变化分别在±5×10–6,±5Ω以内。     

硅烷偶联剂对多孔硅的稳定化研究

为了将多孔硅应用于含能材料的制备,采用电化学双槽腐蚀法制备了平均孔径4.3 nm,厚度超过100μm的不龟裂多孔硅薄膜,利用硅烷偶联剂(KH550,KH560,KH570)对此多孔硅薄膜进行表面处理,采用红外光谱(FTIR)技术研究了三种硅烷偶联剂对多孔硅处理前后红外光谱的变化。结果显示,三种硅烷偶联剂均大大降低了多孔硅表面的Si—Hx键的数量,使不稳定的Si—H键转化成更加稳定的Si—OR键。其中KH550和KH570消除悬挂键的效果优于KH560。