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1.
用于频率合成器的低损耗声表面波滤波器   总被引:2,自引:2,他引:0  
简述了产生声表面波滤波器插入损耗的主要机理和获得低损耗的原则;介绍了根据此原则对100~500MHz5种滤波器的研制过程和结果。实验表明,采用镜像阻抗连接换能器结构可达到3~4dB的低损耗,并成功地应用于频率合成器中。  相似文献   
2.
傅金桥  曹亮 《压电与声光》1998,20(2):73-76,84
声表面波滤波器因其在电子系统中的使用和使用环境的不同,具有不同的指标要求。文章介绍了一种窄带,高矩形度声表面波滤波器的设计过程,制作出了中心频率为140.9~145.1MHz四路器件,其相对带宽0.39%;矩形系数小于2.5,并成功应用于整机系统。  相似文献   
3.
一种实现高带外抑制声表面波滤波器结构   总被引:2,自引:2,他引:0  
为了获得高的带外抑制,我们设计了一种单相单向换能器与镜像阻抗连结换能器结合的滤波器结构。该结构由双通道组成,每通道上由一个电级宽度控制单相单向端变迹加权换能器和一个抽指加权换能器组成,它具有带外抑制高、插损小、体积小和制作容易等优点,克服了常规滤波器级联带来的插损大,难匹配的问题。最后给出了我们制作在127.86°Y-XLiNbO_3基片上的高带外抑制声表面波滤波器结果,其中心频率为70MHz,带宽为1.5MHz,带外抑制大于70dB,插损小于13dB,芯片尺寸小于5mm×10mm。  相似文献   
4.
采用叉指换能器的脉冲响应模型,建立了三指群和四指群分组单指无内反射结构换能器的脉冲响应解析表达式,并在此基础上通过付氏级数分解,分析了该结构的频谱特性,最后给出了实验验证结果.  相似文献   
5.
曹亮  傅金桥 《压电与声光》1994,16(2):11-15,32
本文介绍了体声波的产生和抑制;叙述了我们在研制工作频率为10.7MHz、40%带宽的低频宽带滤波器过程;给出了补偿体波效应所采取的措施,以及试验结果。  相似文献   
6.
介绍了一种用于相控阵雷达的高相位一致性声表面波(SAW)滤波器,该种滤波器采用谐振型5换能器结构,基片材料为42°Y-X切型LiTaO3。通过对结构优化,提高了矩形系数,改善了群延时波动。制作出一款频率为500MHz,插入损耗1.2dB的滤波器,并该设计满足了相控阵雷达对声表面波滤波器高幅相一致性的要求,生产成品率提高。  相似文献   
7.
采用分组单指结构的高性能声表面波滤波器   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了一种无指间反射的分组单指换能器结构,它具有分裂指相同的TTS效果,而工艺难度得以降低。首次将变迹加权用于该结构,制作了高带外抑制的滤波器,并给出了试验结果。中心频率418MHz,相对带宽2‰,阻带抑制优于38dB,插入损耗18dB。  相似文献   
8.
用谐波制作的高频声表面波滤波器   总被引:1,自引:2,他引:1  
高频声表面波滤波器工作在基波时,叉指换能器指条和间隙仅为亚微米的几何尺寸,为了减小光刻工艺难度,滤波器可以用高效  相似文献   
9.
傅金桥  肖燕 《压电与声光》1994,16(5):1-4,11
声表面波二重模滤波器具有极窄带宽和高阻带抑制的频率特性,应用于现代化移动通信系统中。本文介绍了二重模滤波器的设计方法及试验结果,报道了制作四极二重模滤波器在162.8MHz频率下获得了0.9‰的相对带宽和约60dB阻带抑制。  相似文献   
10.
用铌酸锂基片研制国产东芝型彩电滤波器   总被引:1,自引:1,他引:0  
本文介绍了用LiNbO_3基片代替LiTaO_3基片研制国产东芝型彩电中频滤波器的可行性。详细地讨论了提高阻抗、插入损耗的各种可能途径和工艺调试适应性等问题。同时介绍了国产东芝型SAW滤波器的具体设计及性能,给出了可靠性试验及使用结果。结果表明,国产东芝型LiNbO_3彩电滤波器可以在不改变原电路情况下,直接替代东芝LiTaO_3滤皮器,实现从材料开始的彩电滤波器完全国产化。  相似文献   
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