MOCVD法生长（Al,Ga）As碳掺杂机理研究

分析了 MOCVD 生长(Al,Ga)As 非有意和有意碳掺杂的气相和表面过程,认为表面和表面附近由于甲基化合物异相分解生成的 CH_3~-自由基是碳掺杂的主要物种,表面原子氢和含氢自由基AsH_m(m≤3)的浓度是影响 CH_3自由基进入晶格的主要因素。在碳掺杂理论模型的基础上讨论了温度、压力、Ⅴ/Ⅲ比、有机源种类对碳掺杂的影响。指出了在引入和不引入掺杂源的情况下,控制碳掺杂的途径。     

MOCVD Growth of Doped GaAs/AlGaAs Quantum Heterostructures

The influences of growth techniques of AP-MOCVD GaAs/AlGaAs silicon-doped multi-quantum wells(MQWs), heterostructure bipolar transistors (HBTs), double barrier resonant tunneling diodes(DBRTDs) ontheir structures and performances were studied. Continuously grown MQWs, that is, no growth interruption atthe heterointerfaces, shown blue-shifted, narrower and stronger photoluminescence(PL) compared withinterruptedly grown ones.TEM examination of the interrupted interfaces revealed a bright line correspondingto the compositional fluctuation and impurity adsorption, and indicated noncommutative structures ofAlGaAs/GaAs and GaAs/AlGaAs interfaces. High performance HBTs and DBRTDs were obtained bycontinuously grown method while growth interruption caused performance degradation. It was concluded thatgrowth interruption may cause accumulation of residua1 impurities in the ambient as well as compositionalfluctuation while continuous growth at very low growth rates can overcome such problems.     

MOCVD制备GaAs/AlGaAs异质结和异质结双极晶体管(HBT)的研究

本文应用MOCVD技术制备出高质量的GaAs,AlGaAs外延材料以及GaAs/AlGaAs异质结和多量子阱结构.首次成功地用该技术生长了微波HBT全结构材料,并获得了较高性能的器件结果:300K时直流增益(β)为15～40,77K时为60,截止频率大于10GHz,最高振荡频率为5.5GHz.     

巧做铜质导电环

我厂铜质导电环(见图1)损坏后,需重新更换新件,按常规的加工方法,每个导电环的成本费用在1200元以上,且加工困难,需制做专用夹具。 为降低生产成本,我们采用如下工艺,可使每个导电环的成本费用不超过200元。现将工艺介绍如下。 1.下料 下4块厚度为8mm,尺寸如图2所示的铜环     

GaAs/AlGaAs多量子阱结构中的电子干涉

由电子波干涉的观点出发,理论分析指出:多量子阱结构势垒以上的电子存在一些分立的弱干涉非定域态.通过红外光激发,量子阱中基态电子可以跃迁到这些态上形成一些吸收峰.理论计算出的吸收峰位置与实验测量到的结果相当一致,并且理论估计的吸收峰强弱也与实验结果一致.     

铝管换热器的失效及对策

ＣＯ＿２压缩机组段间铝管换热器是一种轻型高效换热设备，但其冷却水侧的铝管多发生腐蚀穿孔。本文分析了铝管换热器的失效原因，并提出了相应的改进措施。     

提高换热器胀接气密性能的方法

在冷换设备制造中,机械胀接是一种应用较广的管子与管板连接工艺,但现行标准规定的强度极限限制了它的应用范围。本文分析了影响胀接气密性能的主要因素,找到了提高气密试验压力极限的方法。     

浅谈日本甜菜单产提高主要措施

本文阐述了日本提高甜菜单产的主要措施；政府扶植、规模化种植、机械化生产、科学技术的推广与应用－－推广甜菜纸筒育苗移植栽培法，科学施肥、合理密植、保松整地、加强植物保护、更新品种、针对性指导。     

MOCVD Growth of GaAs / Al_xGa_(1-x) As Superlattices

ＭＯＣＶＤＧｒｏｗｔｈｏｆＧａＡｓ／Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）ＡｓＳｕｐｅｒｌａｔｔｉｃｅｓＸｕＸｉａｎ＇ｇａｎｇ；ＨｕａｎｇＢａｉｂｉａｏ；ＲｅｎＨｏｎｇｗｅｎ；ＬｉｕＳｈｉｗｅｎａｎｄＪｉａｎｇＭｉｎｈｕａ（徐现刚）（黄柏标）（任红文）（刘士文）（...