GaAs/AlGaAs多量子阱结构中的电子干涉

由电子波干涉的观点出发,理论分析指出:多量子阱结构势垒以上的电子存在一些分立的弱干涉非定域态.通过红外光激发,量子阱中基态电子可以跃迁到这些态上形成一些吸收峰.理论计算出的吸收峰位置与实验测量到的结果相当一致,并且理论估计的吸收峰强弱也与实验结果一致.     

超晶格界面的电子反向及引起的光电流特性

测量了GaAs/AlGaAs超晶格在T＝77K时的光电流谱,发现在波数～↑υ=1589cm^-1存在一个强电流峰,理论分析认为,该电流峰与超晶格界面的电子反射有关,据此算出的电流峰位置与实验观测结果一致。     

掺杂GaAs/Al0.3Ga0.7As超晶格的光致发光特性分析

在室温下,通过光致发光实验研究了用MBE生长的GaAs/Al0.3Ga0.7As超晶格材料的光致发光特性,对测得的发光峰进行了指认.理论计算和实验结果符合很好.     

量子阱红外探测器能带结构的计算

利用电子波在阱与垒的界面上的反射及干涉效应，计算了量子阱红外探测器(QWIP)的能带结构，并对其适用性进行了分析和讨论。通过与K-P模型比较发现，本方法对计算较宽势阱(阱宽大于4nm)的量子阱结构的电子态适合。在垒宽和阱宽不变条件下，用两种方法计算得到的AlGaAs／GaAs量子阱材料中Al组分x与吸收峰值波长λp的关系曲线基本相同。结果说明，在较宽的范围内，本方法对QWIP能带结构的计算是适用且简便的。     

基于电子波干涉红外探测器的研究

电子波干涉法是一种新的量子阱探测器能带结构计算方法,该方法是基于电子波在量子阱界面的反射和干涉效应提出的。利用电子波干涉法,设计了一种新型的宽带量子阱红外探测器。对这种探测器的能带结构进行了计算,分析了这种新型探测器的响应带宽和暗电流特性。理论计算表明:电子在干涉形成的分离能级间跃迁可形成多个响应带,这些响应带之间相互交叠可实现宽带响应;器件的暗电流在微安量级且随温度的变化不大。共振隧穿电流随温度的变化较小,是暗电流的主要组成部分;而热离子激发电流随温度的变化较大,但对暗电流的影响不大。     

调制掺杂Al0.27Ga0.73As/GaAs多量子阱结构的光致发光

在调制掺杂（Si）Al0.27Ga0.73As／GaAs多量子阱结构的光致发光谱中，观测到一个强发光峰及多个低能弱发光峰．强发光峰是量子阱中基态电子与重空穴复合，即激子复合形成的，其低温发光线形可用Voigt函数拟合.低能弱峰是势垒层Al0.27Ga0.73As中DX中心能级上的电子跃迁到SiAs原子而引起，由此确定DX中心有四个能级，其激活能分别为0．35、037、0．39、0．41eV     

MOCVD生长GaAs／AlxGa1—xAs多量子阱子带间红外吸收特性

对ＭＯＣＶＤ生长的ＧａＡｓ（４０Ａ）／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ（３００Ａ）多量子阱结构观察到阱内电子从基态到第一激态跃迁引起的红外吸收。用Ｂｒｕｋｅｒ红外光谱仪测量，发现了一个峰值在９８６ｃｍ＾－１（１０．１μｍ）带宽为２３７ｃｍ＾－１（９～１１．５μｍ）的强吸收峰，该峰位置与阱内电子从基态到第一激发态跃迁所计算的吸收峰位置基本一致。     

用消光式椭圆偏振光谱法测量掺钇a-Si:H膜的光学性质

用消光式椭圆偏振光谱法测量了不同掺杂浓度下,掺钇a-Si:H膜的光学性质随波长的变化关系。利用有效介质近似理论计算了样品中钇的体积百分比,并与能谱法测量结果加以比较,两者相符。     

掺钇非晶硅的电特性

由射频溅射技术将稀土元素钆掺入非晶硅，制备聘种新的Ｎ型半导体材料，掺Ｙ低于９％时，在测量温度范围内ｌｏｇσ－Ｔ＾－１呈线性关系；当掺Ｙ高于１３％时，ｌ９ｌｏｇσ－Ｔ＾－１关于系可拟合成有一个拐点的两条直线；当掺Ｙ达－３０％时，发生由半导体向金属的转变。