CMOS兼容近红外Si0.7Ge0.3/Si p-i-n(SOI)光电探测器

报道了一种采用UHV/CVD锗硅工艺和CMOS工艺流程在SOI衬底上制作的横向叉指状Si0.7Ge0.3/Si p-i-n光电探测器.测试结果表明:其工作波长范围为0.7～1.1μm,在峰值响应波长为0.93μm,响应度为0.38A/W.在3.0V的偏压下,其暗电流小于1nA,寄生电容小于1.0pF,上升时间为2.5ns.其良好的光电特性以及与CMOS工艺的兼容性,为研制能有效工作于近红外光的高速、低工作电压硅基光电集成器件提供了一种新的尝试,在高速光信号探测等应用中有一定的价值.     

便携式无线通信中的陶瓷技术

重点讨论了现代无线通信中关键元器件之一滤波器的发展进程,中、高频及微波滤波器的主要类型及性能特点。低损耗、高介电常数陶瓷在RF和IF滤波器中的应用,能够实现无线设备的微型化。对制备滤波器的介质陶瓷材料的要求是:在所使用的波段内,相对介电常数r要大,可缩小介质元件的尺寸;品质因数Q要高,可获得良好的滤波特性及通讯质量;谐振频率的温度系数f接近于零或可调节,以达到整机电子回路的要求。     

Co-Cr垂直记录软磁盘的研究

本文论述了用射频磁控溅射方法制备Co-Cr垂直记录软盘及其特性。Co-Cr介质的耐磨性与淀积期间的氩气压(PA_r)有很强的依赖关系。我们研制成功的3.5英寸聚酰亚胺/CoCr软盘,当写入电流为4mA时,读出幅度对于500 kHZ频率为320～350 mV,对于1 MHz频率为300 mV。分辨力为85％～93％。     

纳米Al2O3的制备及红外吸收研究

用溶胶凝胶法制备了不同晶型和晶粒尺寸的Al2O3纳米粉末样品，分析了反应过程中各因素对产物形态的影响。对所制得样品的红外吸收能力进行了研究。结果表明，样品的红外吸收能力对其晶型和晶粒尺寸具有一定的依赖性。     

非晶Sm-Co溅射膜的垂直各向异性

非晶稀土(RE)-过渡金属(TM)膜的一个共同特征是具有单轴各向异性,这个单轴各向异性的强度和取向,主要取决于非晶膜的成分、基片温度和膜的制造方法。非晶Sm_(25)Co_(75)溅射膜在控制溅射条件下可获得大的垂直各向异性。非晶膜的磁各向异性的起源可以有若干个机构,主要有磁各向异性微结构和原子对有序(短程有序)机构等。本文具体讨论了非晶Sm-Co溅射膜的垂直各向异性的来源可能有三个方面:(1)柱状微结构的形状各向异性;(2)负偏压的作用导致原子对有序和柱状微结构的细化;(3)垂直静磁场感生的垂直单轴各向异性。     

一类非齐次树上马尔可夫链的强偏差定理

强偏差定理一直是概率论研究的中心问题之一.通过构造一非负鞅,利用Doob鞅收敛定理给出了一类特殊非齐次树上可列状态马尔可夫链的若干强偏差定理.     

溶剂生产中醪塔的优化模拟

针对丙酮-丁醇精馏工艺过程中醪塔分离性能差和能耗高的问题,提出了优化方案,增加了醪塔塔高,添加一个侧线采出位置.应用PRO/Ⅱ化工流程模拟软件对优化后的醪塔进行模拟,考察了醪塔理论板数,侧线采出位置、进料位置等因素对醪塔分离性能和蒸汽消耗量的影响.优化后经模拟确定了醪塔理论板教为40块,进料位置为第18块理论塔板处,侧线采出位置为第10块理论塔板处.该条件下,醪塔塔顶馏出物中水含量由47.09%降到13.23%;侧线采出产物轻相中丁醇的含量为73.07%,而优化前在醪塔塔顶产物中丁醇的含量为34.19%;能耗与原工艺相比降低了38.74%;醪塔塔釜废醪液中总溶剂含量降为0.013%.工业醪塔试车运行结果与模拟结果吻合良好.     

乌东德水电站表孔体型优化研究

乌东德水电站坝址处河谷狭窄,覆盖层深厚,施工详图设计阶段拱坝厚高比增加,表、中孔相对位置发生变化,存在表孔自由溢流水体击打中孔弧门、表中孔水舌碰撞后形成的横向溅水冲击透水边坡及水垫塘底板冲刷较深等问题。通过1〖DK(〗∶〖DK)〗50水工整体模型试验及方案比选,对表孔出口位置、型式进行了优化研究,使表孔水舌横向扩散,纵向分层明晰,表中孔碰撞消能后水垫塘底板冲刷轻微,边坡横向溅水强度基本与自然降水相当。研究成果可为工程设计及安全运行提供技术支撑。     

层状岩体横观各向同性劣化模型研究

层状岩体呈现出明显的横观各向同性力学特征,为此,将层状岩体视作层间岩石与层面组成的复合材料,分别就层间岩石力学性质建立相应的力学模型,并提出了劣化模型的弹模裂化极限取值统一限定条件。可考虑层状岩体强度及弹性模量在峰后随塑性应变增大而减小的现象,更能准确地模拟层状岩体洞室开挖的力学响应。在乌东德水电站陡倾层状岩体洞室的围岩开挖稳定性分析的应用中,计算结果与现场监测结果吻合,证明该模型适用性。