直流电动机参数测定

根据直流电机的可逆原理并利用常规的实验仪表，可以简便、准确地测出直流电动机的主要参数－电磁转矩、输出转矩和效率．     

脱硫灰渣的排放方式及利用

火电厂产生的脱硫灰渣的组成和性能与其排放方式有着密切关系。为使其得到较好的处置与利用 ,本文从排放方式方面进行探讨 ,并略述各种脱硫灰渣的性能与利用前景     

复合纳米载体TiO2-ZrO2负载NiB催化剂的制备及其加氢性能研究

采用溶胶-凝胶法制备复合载体TiO2-ZrO2，并通过金属诱导化学镀法制备负载型催化剂Ni-B/TiO2-ZrO2，以松香加氢为探针反应，通过单因素实验对载体制备过程、催化剂制备过程进行了优化，得到适宜的载体制备条件为：Zr/Ti物质的量比为0.6、焙烧温度为550℃、焙烧时间4h；催化剂制备条件：催化剂制备温度为50℃、微波升温时间为3min、n(Ni):n(B)=1:2。结果表明：该条件下制备的催化剂用于松香加氢反应，枞酸型树脂酸转化率达99%以上，且可重复使用7次。以XRD、XPS、TEM、BET为表征手段，对催化剂失活前后的结构与性能进行了分析，结果表明：Ni-B以非晶态的形式负载在TiO2-ZrO2载体上，分散性较好，平均粒径约为25 nm。而失活催化剂上Ni0、B0含量均下降，出现活性组分流失、氧化等现象，这可能是导致催化剂失活的主要原因。     

球形钴颗粒的制备及吸波性能研究

以CoSO4?H2O为钴源,C4H4KNaO6?H2O为络合剂,N2H4?H2O为还原剂,NaOH为pH调节剂,CTAB为形貌控制剂,通过液相还原法成功制备出了具有特殊形貌的球形钴颗粒。采用扫描电子显微镜（SEM）,X-射线衍射仪（XRD）,振动样品磁强计（VSM）以及矢量网络分析仪对钴颗粒形貌、晶体结构、静磁性能以及微波频段内的电磁参数进行表征。研究表明钴颗粒的比饱和磁化强度为123emu/g, 矫顽力为176Oe。钴颗粒在9.8GHz、15GHz时出现明显介电损耗峰。钴颗粒复磁导率实部随着频率增加逐渐降低,显示了良好的频散特性,而虚部在微波频段内呈现宽化的共振峰,经分析为自然共振和交换共振共同作用所致。根据传输线原理计算反射损耗,发现当厚度为5.5mm时在12.4GHz处得到最大反射损耗-13.2dB,此时有效损耗频宽（≤-10dB）为1.6GHz,制备的钴颗粒具有良好的吸波特性。     

基于UML的远程家电控制软件系统的设计

远程家电控制软件是一套综合性的应用软件系统,要能体现出信息家电的网络化、信息化、智能化的特点。在设计时采用UML技术对远程家电控制进行了设计和分析,并在此基础上进行了实现。     

单晶硅反应激波刻蚀试验研究

提出基于脉冲超声波聚焦的反应激波刻蚀加工方法,采用大功率压电陶瓷激波发生器,在液体介质中产生聚焦脉冲超声波(频率1 MHz),由于传输过程中形成的非线性效应形成高能、瞬时压力激波,结合化学腐蚀方法,利用物理和声化学作用,使位于聚焦区域的材料迅速蚀除.采用激波、超声波和磁力搅拌3种不同方式对单晶硅进行刻蚀试验,结果表明反应激波刻蚀速率最快.在此基础上,进一步分析研究了腐蚀剂浓度、反应温度及激波功率等不同工艺参数对刻蚀速率的影响,并对反应激波刻蚀硅加工基本规律进行了探讨,为后续研究提拱了理论和试验基础.     

论“年款禁令”与清康熙民窑款识品牌意义

康熙十六年颁布的年款禁令直接促成了康熙民窑款识的丰富多彩。康熙民窑款识种类繁多、设计精巧、内涵丰富,富有个性化特色,具备了品牌意义。在款识品牌意识的推动下,康熙民窑进入了大发展时期。     

融合新媒体 迎接新挑战

阐述了在全媒体运营的趋势下,为了应对新媒体技术给广电行业带来的机遇与挑战,台州广播电视总台整合、扩展组织架构和业务,以及建设业务平台的一些实际工作和思路.表达了广电机构需要融合新媒体和向全媒体运营商的角色转变的意向,以期达到充分发挥广电核心竞争力的目的.     

基于概率神经网络信息融合的拟声波构建方法

本文介绍一种基于概率神经网络(PNN)的拟声波曲线构建方法。首先论述了基本PNN的数学模型,在此基础上,设计了适合于多源测井信息融合的多输入、单输出PNN网络拓扑结构,并利用PNN的插值功能以拟合误差最小为准则推导出新模型的输出;最后利用该模型对实际测井资料进行处理,能够快速、自适应构建拟声波曲线。通过对处理结果的分析,验证了该方法的合理性和有效性。     

氮化镓肖特基结紫外探测器的异常特性测量

测量了CaN肖特基结紫外探测器在有、无光照下的I-V异常特性。分别用362nm和368nm光束对有源区进行横向扫描,得到了光照不同部位时探测器在无偏压、2V反向偏压下的电流。紫外光照到肖特基结压焊电极附近及透明电极边沿附近区域时,探测器在反向偏压下有较大增益,空间响应均匀性变差,在禁带内有两个增益响应峰波长——364nm和368nm。探测器在810nm光照射下,反向偏压下的光响应增益、持续光电导存在光淬灭现象。探测器紫外光照完后,俘获中心及表面陷阱所俘获的部分电荷在高反向偏置电压下老化可以通过隧穿或发射效应释放出来,经过高反向偏置电压老化完后的探测器在同一低反向偏置电压下暗电流比老化前的要小。测量结果为GaN器件的研制提供了参考数据。