基于阻抗控制的硬脆材料阵列微小孔超声加工研究

阐述了基于阻抗的超声加工控制策略,构建了实验平台,并以玻璃、氧化锆等硬脆性材料为对象开展阵列微小孔超声加工研究。实验结果表明:等效阻抗可用来间接反映加工状态,不同材料的等效阻抗阈值的初值不同,且随着孔深的增加,等效阻抗阈值也需适时调整,才能保证加工的稳定。     

脉冲放电和高能球磨组合制备纳米硅颗粒的储锂性能研究

按照一种高质高效、自上而下的纳米硅制备方法,以P型重掺杂晶体硅和N型重掺杂晶体硅为原料,探究不同重掺杂类型对电化学性能的影响。采用脉冲放电和高能球磨组合法制备纳米硅颗粒,获得平均粒径(D50)约为100 nm且尺寸分布均匀的硅颗粒。结果表明:P型重掺杂纳米硅的首次充电比容量为1646.5 m Ah/g、库伦效率为65.92%,经过50圈循环,其可逆比容量保持为1353.7 m Ah/g;N型重掺杂纳米硅的首次充电比容量为1730.7 m Ah/g、库伦效率为66.04%,经50圈循环,其可逆比容量保持为1400.1 m Ah/g。     

基于嵌入式Linux的OBU发行终端设计

OBU是ETC系统中的车载单元模块[1],高效、准确、便捷地读写OBU数据高速发展的智能交通系统所需。在以S3C6410为处理器的硬件平台上,对u-boot、Linux内核移植,制作Yaffs2根文件系统和移植QT4类库。最后,根据ETC技术要求设计了OBU发行程序,实现对OBU高效的发行操作。     

重掺杂硅微球的脉冲放电法制备研究

硅微球的制备是开发新型薄膜太阳能电池和选择性发射极电池的关键技术之一。采用重掺杂单晶硅(电阻率为0.01Ω·cm),在液体介质中利用脉冲放电方法产生局部瞬时高温,制备球状硅微粒。对比电火花线切割和电火花成形两种加工方法,通过对放电区域的温度场分布进行数值模拟,并采用SEM/EDS方法对其微观形貌和成分进行表征和分析,初步掌握了硅微球的形成机理。利用成形加工方法,成功制备出0.5～2μm的硅微球。     

微能放电电蚀量的数值模拟与试验研究

为了定量研究微能放电电蚀量与电极极性和放电能量的关系,根据热传导基本理论和微能放电的实际情况,建立微能放电热传播模型,借助ANSYS分析软件,对微能放电中正负两极的单脉冲放电温度场进行了数值模拟;然后采用两根直径20μm且互相垂直的钨丝进行侧面放电,测量正负两极放电凹坑直径和深度并分别计算其电蚀量,验证仿真结果的正确性...     

基于GIS和RS的矿区土壤侵蚀动态研究

文章以GIS为平台,利用Landsat TM和ASTER DEM数据,根据《土壤侵蚀分类分级标准》模型,研究了淮南矿区的土壤侵蚀.结果表明:淮南矿区1987年和2000年两时期的土壤侵蚀均以微度侵蚀、轻度侵蚀和中度侵蚀为主,并伴有少量的高强度侵蚀;受地下开采活动及降水变化等的影响,相比1987年,2000年的侵蚀强度正...     

激波辅助纯钛微细群孔光刻电解试验研究

随着微机电系统(MEMS)技术的发展,近年来钛及钛合金的微细群孔加工成为国内外研究的热点。虽然光刻电解加工结合了光刻技术和电解加工两者的优点,可实现高效、高精度金属微细群孔加工。但由于钛及钛合金表面极易钝化,常规电解加工难度很大。采用有机电解液有效地解决了加工过程中的表面钝化问题。此外,为克服电解加工过程中产物难以排出造成的腐蚀不均匀等难题,进行了激波辅助纯钛微细群孔光刻电解试验研究,在厚100μm纯钛薄板上进行了群孔加工,平均孔径为371μm,材料蚀除速率达到35μm/min。实验结果表明,通过激波产生的瞬时压力扰动,能显著改善极间状态,有效提高加工稳定性和表面质量,尺寸一致性好。     

进电方式对太阳能级硅体电阻影响的基础研究

电火花加工太阳能级硅,硅的体电阻是影响加工效率的决定因素,而不同的进电方式会使硅有不同的体电阻.基于欧姆定律的均匀柱形导体电阻公式和电导公式,推导出硅点、线、面等不同进电方式下的体电阻计算公式,发现点接触形式下体电阻与点附近的材料性质、接触形式密切相关,增加线的长度可减小线接触体电阻,而减小材料尺寸是减小面接触体电阻的有效方法.最后用27 V恒压电源伏安法测量硅的通电电流,电阻的计算结果与点-点接触之间的体电阻计算值相符.     

太阳能硅片切割技术的研究

简述了太阳能硅片常用的切割方法及特点,指出电火花线切割由于其适合大厚度、超薄切割等特点,将成为太阳能硅片切割的一个研究热点.但因半导体特殊的电特性,目前常规电火花线切割工艺还不能胜任太阳能硅的切割.研究了太阳能硅材料的放电加工模型,提出了电火花线切割太阳能硅片的思路和工艺方法,并采用改进的脉冲电源首次对电阻率为2.1 Ω*cm的P型太阳能硅进行了切割试验,切割效率大于100 mm2/min.     

硅阵列通孔微细电火花加工试验研究

硅通孔技术是MEMS封装和垂直集成传感器阵列实现电气互联的重要途径之一,采用微细电火花的方法可实现硅通孔加工的高深宽比,并满足表面完整性要求.设计了具有单脉冲检测功能的微能脉冲电源,将厚180 μm、电阻率0.01 Ω·cm N型单晶硅工件倒置在数控微位移平台上,通过微细电火花的方法加工出边长约为200 μm方形硅阵列通孔.该方法加工过程与材料晶向无关、热影响区小、加工精度高,可实现工件电极的微量蚀除和工具电极的少、无损耗,以达到硅通孔的高效、精密、微细和低成本加工.