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1.
合成2,5─二甲基呋喃的简便方法郭志新,王桂君,赵福群(清华大学化学系,北京100084)2,5-二甲基呋喃是一种重要的有机合成试剂及中间体。通常它是用Paal-Knorr合成法,以2,5-己二酮为原料,并用无水氯化锌做脱水剂制得的[1]:这种方法产...  相似文献   
2.
研究了4种杂多酸(磷钨酸、硅钨酸、磷钼酸和硅钼酸)对甲醛和甲酸甲酯偶联反应的催化作用;对反应条件进行了考察。结果表明,磷钨酸和硅钨酸对该反应具有较高的催化活性;而氧化性强的钼系杂多酸的活性较低。水对甲醛和甲酸甲酯的偶联反应具有不利影响。将杂多酸在300℃进行热处理后,其活性显著增强。  相似文献   
3.
PZT/Si界面氧化反应机理及动力学研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
运用俄歇电子能谱深度剖析和线形分析研究了PZT/Si界面氧化反应的机理和动力学过程,研究结果表明,在PT/Si样品的热处理过程中,环境气氛中的氧可以透过PZT薄膜层扩散到PT/Si界面,并与硅基底反庆形成SiO2界面层,界面氧化反应由氧在PT层和SiO2层中的扩散过程所控制。  相似文献   
4.
缩醛类香料的合成研究   总被引:7,自引:0,他引:7  
王倩  王芹珠 《精细化工》1994,11(4):14-15
研究了三种合成缩醛的简单方法:CaCl_2法、对甲苯磺酸法和格氏试剂法,并给出了详细的合成步骤。  相似文献   
5.
利用俄歇电子能谱研究了Cr/SiO2薄膜在热处理过程中的界面扩散反应机理、界面反应动力学过程及界面反应产物。研究结果表明,Cr/SiO2体系的界面还原反应主要是Cr与SiO2的反应,其还原反应产物是CrSix和Cr2O3物种。界面还原反应的速度与反应时间的平方根成正比,其界面还原反应过程受Cr向SiO2层的扩散过程所控制,界面还原反应的表观活化能为72.5kJ/mol(约0.75eV)。  相似文献   
6.
染料中间体废水多相催化臭氧氧化中几种催化剂的筛选研究   总被引:19,自引:0,他引:19  
对于高浓度染料中间体废水多相催化氧化处理工艺的催化剂进行了研制,选择了染焙间体废水中的吐氏酸废水为处理对象。结果表明,过渡金属氧化物中Ni2O3与MnO2是具有较高催化活性组分,Cu、Fe等金属的氧化物没有明显的催化活性,但与Ni、Mn等组分相混合,却能体现较高的催化活性,而且添加少量的K2O具人的助催化作用。对COD为1500mg/L左工酸废水,在O3投加量达1g/L时,COD去除率超过50%。  相似文献   
7.
本文通过重氮化反应设计、合成了鲁米诺偶联的氨基锌酞菁,对其电子吸收光谱和荧光光谱性质进行了研究,结果表明该分子激发单重态可能以振动驰豫的方式使大部分能量耗散,鲁米诺偶联前后,氨基取代锌酞菁的荧光光谱有明显差别,为进一步开发酞菁类荧光光存储材料提供了理论依据.  相似文献   
8.
研究了根据酮麝香、1,3-二甲基-2,4-二硝基-5-叔丁基苯晶体生长速度的不同,从对二者均达到饱和的溶液中分离得到1,3-二甲基-2,4-二硝基-5-叔丁基苯晶体的过程,计算了晶体生长速度并进行了实验验证。  相似文献   
9.
渗透汽化汽油脱硫技术研究进展   总被引:3,自引:0,他引:3  
随着环保法规的日益严格,世界各国对清洁汽油中硫含量做出了严格的规定,汽油的低硫化甚至无硫化已成为一种必然趋势,汽油的深度脱硫技术已成为各石油公司和相关研究者的研究热点。渗透汽化是一种新型高效的膜分离技术,其在汽油深度脱硫技术方面具有独特优势。介绍了渗透汽化汽油脱硫技术的基本原理、工艺特点及国内外有关研究进展情况。  相似文献   
10.
掺锰BaTiO3 PTCR陶瓷的电子顺磁共振研究   总被引:2,自引:1,他引:2  
利用电子顺磁共振(EPR)方法对Mn掺杂的BaTiO3 PTCR陶瓷在120-450K的温度范围内进行了研究,研究结果表明:高自旋Mn^2 离子的6重谱线非常明显,表征谱线位置的g因子为2.009 9,Mn^2 离子信号弱弱与BaTiO3晶体结构密切相关,Mn^2 离子信号的温度分布呈U型,即在三方相和立方相时,信号强度较强,而在四方相和斜方相时信号很弱,这是因为在四方相和斜方相中,由于BaTiO3晶体结构的扭曲和畸变,导致Mn^2 和Vo空位缔合生成Mn^2 -Vo复合缺陷,未成对电子的消失以及复合缺陷n^2 -Vo的生成最Mn^2 在四方相和斜方相(200-380K)消失的主因,实验中没有发现Mn^3 和Mn^4 的信号,而与实验的环境条件一致,掺Mn后样品Curie点的漂移可能是Mn进入晶格的一个判据,此外,由于试样的n(Ba)/n(Ti)=1,因而没有发现钡空位VBa及其它的复合缺陷(如:VBa-Mn^2 ,Mn^3 -Vo,La^3 -Mn^3 等),Mn^2 离子等电子陷阱的生长是Curie温度处电阻骤然增加的主要原因。  相似文献   
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