Zr/Nb薄膜材料的制备及界面结构研究

通过直流磁控溅射法在单晶Si(100)基底上制备了Zr/Nb/Si薄膜材料。X射线衍射(XRD)研究表明Zr薄膜以多晶形式存在,而Nb薄膜则形成了(110)晶面择优生长。薄膜中Zr和Nb晶粒大小分别为14,6 nm。扫描电镜研究表明形成的薄膜表面平整光滑,没有微裂纹存在。扫描俄歇电子能谱及X射线光电子能谱的研究表明,Zr/Nb/Si薄膜样品具有清晰的界面结构。在薄膜表面形成了致密的氧化层物种,而在膜层内部少量氧则以吸附态形式存在。     

浅析我国钢结构企业的发展与对策

伴随着我国大力提倡建筑节能和建设节约型社会,钢结构住宅工程愈来愈多,钢结构企业已步入良好的发展期。但是,目前多数钢结构企业发展还很缓慢,存在着核心竞争力不强、专业技术同质化现象严重等问题。结合山东省钢结构企业的实际问题,谈一些看法,以供商榷。     

气相色谱对气相甲醛的快速测定

应用气相色谱仪,以N_2气为载气,以氢火焰为检测器,并改进进样系统来测定气体甲醛含量。通过标定甲醛,可以直接得到混合气体中气体甲醛浓度。这种方法应用与光催化甲醛浓度的测定和汽车尾气中甲醛浓度测定取得了很好的效果,其准确度可以达到1ppm,最低能够检测5ppm的甲醛气体。     

层状结构碳材料与Ar离子束的相互作用

利用XPS分析技术原位研究了层状结构的石墨碳及碳纳米管材料与Ar离子束的相互作用机理，以及对层状碳材料电子结构的影响。研究结果表明，Ar离子束与层状碳材料作用后，构成层状结构的以sp2杂化为基础的C－C共轭π键被Ar离子束打断，形成了新的C－C键。原有的层状结构也被破坏，形成了无定形结构。Ar离子束的作用是通过与C－C共轭π键作用，促进C-C共轭π键的断裂，而不仅仅是单纯的剥离作用。     

氮化硅薄膜材料的表面结构和热稳定性研究

研究了三种方法制备的氮化硅薄膜的组成、表面结构、热氧化稳定性以及抗离子束损伤等性能。研究发现APCVD法制备氮化硅薄膜的Si3N4含量最高，PRSD法制备的薄膜次之，而PECVD法制备的薄膜Si3N4含量最低。在PRSD薄膜中没有N－H键存在，仅有少量的Si－H键存在，薄膜的热氧化稳定性和抗离子束损伤性能最好。APCVD薄膜中含有少量的N－H和Si－H键，虽然膜层的热稳定性很好，但由于膜层具有较多的缺陷，因此其抗氧化性较差，抗离子束损伤性能也不好。对于PECVD薄膜，由于其形成温度较低，膜层中含有大量的N－H和Si－H键，因此膜层的热稳定性和抗离子束损伤性能最差。此外，还发现XPS获得的N／Si原子比和膜层的真实成分校一致，而RBS和AES由于离子束损伤效应，其结果偏低。氮化硅薄膜热稳定性差和离子束损伤的本质均因氯化硅的脱氮分解。热氧化的本质是膜层中自由硅和气氛中残余氧的氧化反应。     

PZT／Si界面氧化反应机理及动力学研究

运用俄歇电子能谱深度剖析和线形分析研究了ＰＺＴ／Ｓｉ界面氧化反应的机理和动力学过程，研究结果表明，在ＰＴ／Ｓｉ样品的热处理过程中，环境气氛中的氧可以透过ＰＺＴ薄膜层扩散到ＰＴ／Ｓｉ界面，并与硅基底反庆形成ＳｉＯ２界面层，界面氧化反应由氧在ＰＴ层和ＳｉＯ２层中的扩散过程所控制。     

俄歇化学位移影响因素分析

对几种硅化物及金属氧化物的俄歇化学位移作了实验研究。基于现有的化学位移的两个理论模型（电荷势模型和弛豫能模型），提出了俄歇化学位移的半经验计算关系式。概括了俄歇化学位移与元素的化合价、相邻原子的电负性差以及极化能（离子有效半径）之间的关系，实验结果与理论计算相一致。     

Cr/SiO_2界面还原反应研究

利用俄歇电子能谱研究了Cr／SiO2薄膜在热处理过程中的界面扩散反应机理、界面反应动力学过程及界面反应产物。研究结果表明，Cr／SiO2体系的界面还原反应主要是Cr与SiO2的反应，其还原反应产物是CrSix和Cr2O3物种。界面还原反应的速度与反应时间的平方根成正比，其界面还原反应过程受Cr向SiO2层的扩散过程所控制，界面还原反应的表观活化能为72．5kJ／mol（约0．75eV）。