浸渍剂和压紧系数对全膜电容器端部电场分布的影响研究

全膜电容器边缘处的电场畸变是影响电容器元件击穿的重要因素之一.为研究浸渍情况和压紧系数对全膜电容器电场分布的影响,对电容器端部进行建模,通过改变浸渍情况和压紧系数,计算不同参数下电容器端部的电场分布情况,结果表明:未浸渍情况下电场最大值集中在折边处两侧,浸渍情况下场强在折边圆弧处分布较为均匀.同时发现,在浸渍情况下增大压紧系数K可以明显改善全膜电容器端部电场的分布情况.     

智能玩具赛车赛道图像的畸变校正问题研究

本次图像畸变研究主要针对智能玩具赛车的赛道图像。赛道图像信息由智能玩具赛车采集,采集到的图像呈现出近宽远窄的梯形畸变。针对此梯形畸变,首先采用几种不同的边缘检测算子对图像进行边缘检测及轮廓提取,再使用连接点法对处理后的图片进行畸变校正,然后针对现有方法中出现的问题提出调整改进。最后通过MATLAB仿真实验仿真分析,该方法能够有效地实现赛道的畸变校正,为后续对赛道图像的进一步处理奠定了基础。     

支柱瓷绝缘子表面缺陷的电场分析与检测

高压支柱瓷绝缘子断裂而引发系统断电及设备损毁在电力系统中并不罕见。文中在充分统计故障规律的基础上,确定了断裂易发生位置,并针对断裂发生前期出现的表面缺陷状态进行了三维有限元分析,得出其表面电场变化的规律性,并依据该规律性设计了相应的故障检测方法。最后,文中讨论了该方法的灵敏度及抗干扰能力。     

电路电磁兼容建模与仿真

提出了对暴露在任意外场中的传输线进行时频分析的新方法，这种方法非常稳定，它能够与任意的传输线模型和电路仿真方法兼容，并且使用这种方法得到的仿真值和实际值之间的差别小于1％。     

含氮金刚石结构中Jahn-Teller畸变效应的计算

研究了由J.Bourgoin和M.Lannoo提出的半导体内Jahn-Teller畸变效应的计算理论。应用Bourgoin和Lannoo的方法研究了含中心氮杂质金刚石结构的Jahn-Teller畸变问题,计算了34C+N簇团的T2模耦合沿%111&晶向的Jahn-Teller畸变效应,结果与实验相符。     

铁电存储器的研究进展

介绍了铁电存储器的存储原理,同时对两种铁电存储器(铁电随机存取存储器和铁电场效应晶体管存储器)的研究进展、当前存在的问题以及我国目前在这一领域的研究现状进行了简单介绍,并对今后的技术发展进行了展望。     

纵向泵浦Cr∶ Nd∶GSGG激光棒的热透镜效应研究

对纵向泵浦Cr∶Nd∶GSGG激光棒的热透镜效应进行了详细的理论分析。对温度分布的函数表达式 ,进行了讨论 ;分析了热引起的应力 ,得到了激光棒破裂的临界功率公式 ;最后对光学畸变进行了分析与讨论 ,推导了光程差计算公式     

梯度材料电场辅助自蔓延燃烧合成机理研究

采用电场辅助自蔓延高温合成技术制备了SiC-TiC-xNi梯度功能材料.利用电场的焦耳加热效应,使那些通过单一自蔓延高温合成(SHS)技术难以进行或不能进行的反应物的制备得以实现;电场加快离子的扩散与迁移速度,减少晶体缺陷,使反应更加充分.实验发现,随着电场强度的增大,反应体系的温度升高、电流值变大.     

高功率脉冲水中放电的应用及其发展

首先介绍了高功率脉冲水下放电的机理，然后综合论述了其应用和研究的状况，从较为成熟的脉冲水处理技术到医疗领域的ESWL应用技术，以及在脉冲电场食品杀菌和水下目标探测方面的最新发展和研究，最后指出了高功率脉冲电技术应用前景以及进行更系统和深入研究的必要性。