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杨烁陈坤张衡王贵林黄海宾袁吉仁 《南昌大学学报(工科版)》2021,43(3):217
采用热丝CVD法在N型体硅上以全程真空环境镀膜与IN镀膜后破真空再镀IP的不同形式,分别生长IN-IP非晶硅膜层,用WCT-120对薄膜钝化性能进行分析,并用wxAMPS软件模拟样品电池效率。比对结果表明:全程真空环境镀膜样品的反向饱和电流密度(J0)和理论开压(iVOC)分别为5.12×10-15 A·cm-2和0.731 V,模拟效率为23.15%;IN-IP破真空镀膜样品的J0和iVOC分别为9.06×10-14 A·cm-2和0.654 V,模拟效率为20.24%。因此,热丝CVD全程真空环境相对于IN-IP破真空镀膜具有更优的膜层生长方法。 相似文献
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3.
具有RHEED在线监控功能的超高真空CVD系统及3″硅片低温外延研究 总被引:3,自引:1,他引:2
本文报道了自己研制的一台超高真空化学汽相溶积系统,本底真空达10^-7Pa。该系统配有反射高能电子衍射仪,可对衬底表面清洁状况、外延层厚度等进行在线监控。 相似文献
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本文综术了集成电路工艺的Cu布线中Cu薄膜化学气相沉积(CVD)的研究背景,详细介绍了CVD生长Cu金属薄膜的国内外研究进展及CVD对前趋物的要求,并对前趋物的一些物理、化学性质进行了总结,最后,对薄膜沉积的计算机摸拟作了简要介绍。 相似文献
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本文从应用出发,选择光学石英为衬底,采用热丝辅助射频化学气相沉积的方法沉积BPxN1—x薄膜,对样品进行了X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外—可见等测试。XRD、SEM结果显示薄膜多晶态,表面形貌随时间变化,最终为胞状;紫外—可见光光谱结果显示BPxN1—x薄膜的紫外吸收边随沉积时间的加长、PH3流量的增加而向长波长方向移动。因此,该材料的光学能隙可以通过生长工艺适当调整。另外,BPxN1—x薄膜与液晶层能较好匹配等特性更使其适用于紫外空间光调制器。 相似文献
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立方氮化硼(cBN)是一种具有广泛应用价值的Ⅲ-Ⅴ族二元化合物,其优异性质可与金刚石相比拟或胜之.立方氮化硼的制备与性能研究是近二十年来材料领域关注的焦点之一.我们用热丝辅助ECR CVD方法制备了cBN薄膜,并初步探讨了热丝对cBN形成的作用.偏压并不是cBN形成的唯一主要条件,活性粒子也有非常关键的作用. 相似文献