磷酸三丁酯从盐湖卤水中萃取锂的机理研究

以磷酸三丁酯（TBP）为萃取剂,磺化煤油为稀释剂,在六水合三氯化铁存在的条件下,从盐湖卤水中萃取锂。研究了TBP浓度对萃取率的影响,得到TBP最佳浓度为80%TBP+20%磺化煤油。通过斜率法、化学分析法、紫外光谱与红外光谱法,证实了锂离子（Li+）在溶液中与铁络阴离子（FeCl4-）形成铁氯络酸盐（LiFeCl4）,LiFeCl4与TBＰ中的PO键作用配位形成二溶剂化物LiFeCl4·2TBP,从而达到与其他组分分离的目的。利用空腔理论阐述了萃取过程。     

a-Si:H,a-SiC:H和a-SiN:H合金系统中g值的理论计算(英文)

The g-values of the ESR signals caused by dangling bonds in a-Si:H, a-SiC:H and a-SiN:H alloy systems have been calculated for a cluster by using the CNDO method, and compared with the observed g-values. The detailed formula for the calculation of g-values was derived from the formula of A.J.Stone. It is found that the g-values for dangling bonds on Si atoms are affected by the surrounding C or N atoms in a-SiC:H or a-SiN: H alloy systems and the calculated results are in good accordance with the observed ones. Some usefull discussions have also been made.     

Optical Absorption Properties of Electron Beam Evaporated a-Si_(1-x)Gd_x Films

Optical absorption properties of electron beam evaporated a-Si films(a-Si_(1-x)Gd_x films)are studied forvarious composition x.It is shown from the experimental results that variation of chemical composition in thiskind of materials will lead to a change in near infrared absorption.For 0.1 at%相似文献   

浅析减少光纤接续熔接损耗的措施

光纤接头熔接损耗是光纤熔接后光线传到接头处产生的损耗。在光纤熔接中要减少光纤线路损耗首先要降低光纤接头熔接损耗；本文从理论上分析了影响光纤熔接损耗的一些主要因素，根据理论分析和实践提出了减小熔接损耗的方法。     

国产大豆粉末磷脂产品质量隐患分析

国产大豆粉末磷脂产品质量隐患主要是丙酮残留和乙醚不溶物超标;可通过选择合格原辅料及优化制备工艺过程,消除这些不安全隐患。     

光纤多普勒测速仪位移模式数据处理新方法

针对窗口傅里叶变换和连续小波变换方法对于低速缓变过程速度分辨不足的缺点,提出了一种基于傅里叶变换的位移模式数据处理新方法。该方法不是通过分析信号频率获得速度,而是采用改进的傅里叶变换方法直接分析信号相位得到位移,进而求导得到速度信息。用新方法对电炮平面碰撞实验数据进行处理,很好地反映了铁样品的低压弹塑性过程。新方法不仅充分利用了原始数据的信息量,而且在低速段具有较高的速度分辨能力,可以作为窗口傅里叶变换方法和连续小波变换方法的有益补充。     

同时线成像和分幅面成像任意反射面速度干涉仪测速技术

研制了一套线面同时成像任意反射面速度干涉仪(VISAR)用于激光驱动飞片速度场时空分辨测量。将传统VISAR改为成像干涉结构,用变像管扫描相机和高速光电分幅相机分别记录作为信号载体的梳状干涉条纹,实现靶面一条线上各点速度历史和多个时刻二维靶面上所有点速度的测量。所研制的线面同时成像VISAR具有小于10μm的空间分辨和约15m/s的速度分辨能力,线成像VISAR时间分辨小于50ps,面成像VISAR曝光时间小于5ns。用其测量了激光驱动带约束刀口铝膜飞片的速度场,给出了高时空分辨全场速度分布,从中可以清晰看出飞片的演化发展过程。实验结果表明,线面同时成像VISAR将是各种飞片产生技术及相应加载手段中全场速度诊断的有力工具。     

非晶态As_(40)S_(60-x)Se_x薄膜光黑化效应的研究

本文主要研究了As_(40)S_(60-x)Se_x系列蒸发薄膜可逆的光黑化效应和光致结构变化,测量了光黑化的程度与样品组分、温度、入射光强及波长等因素的关系。讨论了光黑化现象的起因,认为光黑化效应是由结构无序度的变化引起的,而结构无序度的变化则是由光照后缺陷态的变化引起的。