超薄W-Si-N 作为铜与硅之间的扩散阻挡层

研究了W-Si-N三元化合物对铜的扩散阻挡特性.在Si(100)衬底上用离子束溅射方法淀积W-Si-N,Cu/W-Si-N薄膜,样品经过高纯氮气保护下的快速热退火,用俄歇电子能谱原子深度分布与X射线衍射以及电流-电压特性测试等方法研究了W-Si-N薄层的热稳定性与对铜的阻挡特性.实验分析表明W-Si-N三元化合物具有较佳的热稳定性,在800℃仍保持非晶态,当W-Si-N薄层的厚度仅为6nm时,仍能有效地阻挡铜扩散.     

130：88808f 铜薄膜阻挡层的薄型无电电镀

铜金属的无电电镀制成的阻挡层沉积能给人们带来很多好处。在其中，有对双向导电的选择性，有再沉积一种无定形合金的可能性，有通过加入一种第三组份而使二元合金的性质增强化的好处，有高可靠性和低成本费用。在集成电路的结构中在铜和钴的面上，在碱性溶液中常沉积一层富钴的钴——钨——磷三元合金。合金中磷的成分较高(以重量计约11％)，低的第三组份钨(约以重量计占2％)。     

碳纤维电沉积铜解决碳纤维／铝复合材料界面问题

碳纤维／铝复合材料界面相容性差，界面反应生成Ａｌ＿４Ｃ＿３。为此采用连续三步电沉积法对碳纤维电沉积铜获得碳／铜复合丝，使界面结合强度得到改善。本文对碳纤维／铝复合材料界面问题及连续三步电沉积工艺，作了初步分析讨论。     

钛合金的银脆,镉脆敏感性及其控制

利用慢应变速率拉伸技术（ＳＳＲＴ），并结合恒载实验，较全面地研究了Ｔｉ－６Ａｌ－４Ｖ合金的银脆行为、固态与液态镉脆行为，确定了应变速率、接触条件、热处理制度、试样取向、温度等因素对Ｔｉ－６Ａｌ－４Ｖ合金银脆与镉脆敏感性的影响，探讨了Ｎｉ阻挡层对控制Ｔｉ－６Ａｌ－４Ｖ合金和ＴＣ１１合金银脆开裂的作用。     

发射极δ掺杂的InGaAs/InPDHBT的特性分析

设计了一种新结构的InGaAs/InP双异质结晶体管(DHBT),其中发射结采用δ掺杂和阻挡层结构,集电极采用N+掺杂复合结结构.考虑隧穿作用和发射结空间电荷区复合电流的影响,计算了δ掺杂浓度和N+、n-层厚度等参数变化对InGaAs/InP DHBT电流、I-V输出特性、电流增益的影响,计算结果表明,随着这些参数值增大,InGaAs/InP DHBT输出特性逐渐改善.当δ掺杂浓度大于2×1012cm-3时,电流增益趋于饱和.     

铝电解槽中耐火材料阻挡层最佳化的基本原则

本项工作的主要目的是说明成份大范围变化的硅酸铝耐火材料作为阻挡层大砖在铝电解槽中的操作原则。已经作为阻挡层耐火材料、或源于其它冶金或化学工业应用领域的耐火产品、以及为了适应目前需要而专门开发的耐火产品都将进行考虑。在一系列实验中，几乎完全以相同方式涵盖了Al2O3-SiO2系统，以实验测得的参数为基础说明了抗冰晶石性能、应用和质量的最大相关性参数与化学矿物学的成份及耐火材料的结构属性之间的关系。根据这些实验结果，考虑到富含氟化钠冰晶石熔融物及作为结果最后次级形成物的使用模式，区分和讨论了各种类型的反应。说明的另外一个因素是生产技术参数、成型方法、施加压力及烧成温度对抗冰晶石参数的影响。     

固体氧化物燃料电池Ce0.8Mo0.2O2+δ阴极阻挡层研究

采用Pechini方法分别合成Ce0.8Mo0.2O2+δ(CMO)和Ce0.8Gd0.2O2-δ(CGO)两种阴极阻挡层粉体,并通过X射线衍射光谱法(XRD)等手段对粉体进行表征,结果表明CMO粉体主晶相呈萤石型结构,粉体中还含有Ce8Mo12O49杂质.将CMO和CGO分别应用于3％(摩尔分数)Y2O3稳定氧化锆(3YSZ)电解质支撑单电池的阴极阻挡层,进行了单电池的电化学性能测试,基于CMO阻挡层单电池的性能远低于基于CGO阻挡层单电池的性能,电化学阻抗谱表明电池呈现高的欧姆阻抗.显微结构分析发现,3YSZ/CGO之间的元素扩散仅在界面发生,而3YSZ/CMO之间的元素扩散主要是Mo扩散至3YSZ层形成固溶体,CMO和CGO未能有效阻挡Sr的扩散.     

电弧离子镀沉积Cr-O-N活性扩散阻挡层

采用电弧离子镀技术在NiCoCrAlY涂层与高温合金基材DSM11间沉积不同成分的Cr-O—N薄膜作为扩散阻挡层，研究了900℃下氧化1400h后DSM11／Cr—O—N／NiCoCrAlY体系中Cr-O-N层阻挡合金元素互扩散的行为以及阻挡层对涂层氧化动力学曲线的影响．结果表明，Cr-O-N层在高温氧化过程中生成与涂层和基材有良好结合的富Al氧化物层，可以阻挡DSM11基体与NiCoCrAlY涂层间的元素互扩散，起到活性阻挡层的作用；Cr-O-N层中。和N含量影响生成富Al氧化物层的连续性和致密性，从而影响其阻挡元素互扩散的性能．几种成分的Cr-O-N活性扩散阻挡层对NiCoCrAlY涂层900℃下的高温氧化性能都有一定的改善作用，改善程度与阻挡层阻挡合金元素互扩散的程度保持一致．     

Zr-Si-N扩散阻挡层及其热稳定性的研究

用反应磁控溅射法在不同偏压下沉积了Zr-Si-N扩散阻挡层,结果表明:Zr-Si-N膜的Si含量、电阻率随偏压的升高而降低;Zr-Si-N膜的晶体相随溅射偏压的升高而增加;Zr-Si-N扩散阻挡层的热稳定性高,在850℃时仍能有效阻挡Cu的扩散.     

扩散阻挡层对Cu-Zr纳米合金膜电阻率与残余应力的影响

用磁控溅射和离子束溅射共沉积的方法分别在以单晶硅为基体的TiN,TaN,ZrN扩散阻挡层上沉积了Cu-Zr合金膜,膜在400℃氮气中退火1h.结果表明扩散阻挡层对膜的晶体取向、电阻率和残余应力有很大影响.沉积态的膜具有强的（111）取向,且峰型严重展宽;退火后峰型明显锐化,出现（200）等晶体取向;对应TiN,TaN;ZrN三种扩散阻挡层,膜的电阻率在沉积态时分别达108,327和478μΩ·cm,退火后降至正常的数个μΩ·cm;扩散阻挡层亦可明显降低膜的残余应力,无扩散阻挡层时膜的退火应力达475MPa,有ZrN扩散阻挡层后退火应力降至149MPa.