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1.
2.5GHz低相位噪声CMOS LC VCO的设计 总被引:5,自引:2,他引:3
用0 .35μm、一层多晶、四层金属、3.3V的标准全数字CMOS工艺设计了一个全集成的2 .5 GHz L C VCO,电路采用全差分互补负跨导结构以降低电路功耗和减少器件1/ f噪声的影响.为了减少高频噪声的影响,采用了在片L C滤波技术.可变电容采用增强型MOS可变电容,取得了2 3%的频率调节范围.采用单个16边形的对称片上螺旋电感,并在电感下加接地屏蔽层,从而减少芯片面积,优化Q值.取得了在离中心频率1MHz处- 118d Bc/ Hz的相位噪声性能.电源电压为3.3V时的功耗为4 m A. 相似文献
2.
着重从力学性能和材料方面分析了螺旋埋弧焊管在端面密封条件下进行水压试验时发生变形的主要原因,提出了高钢级钢管在高压力下采用端面密封水压试验时水压值确定的原则.指出静水压试验压力应按照API SPEC 5L<管线钢管规范>4.3.3附录K计算值确定. 相似文献
3.
4.
螺旋焊管在线自动测径装置 总被引:3,自引:1,他引:2
螺旋焊管在线测径是生产高标准焊管的重要检测装置,可以实时监控钢管管径。选用CCD传感器与计算机连接,组成钢管测径装置,能够较好地达到对钢管管径实时监控的目的。 相似文献
5.
6.
济钢燃气厂针对济钢转炉煤气储存加压系统的设备现状,组织了一次设备大修,大修后煤气柜升降速度提高到了1.0m/min,并解决了加压机前负压等问题。 相似文献
7.
8.
DO浓度对SUFR系统同步硝化反硝化的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
采用螺旋升流式反应器(SUFR)处理生活污水,考察了好氧反应池中DO浓度对其同步硝化反硝化的影响。结果表明,在好氧反应池上部溶解氧浓度为3.0~3.5mg/L时,发生了明显的同步硝化反硝化现象,其对TN的去除量占SUFR系统对TN去除总量的16%左右;好氧反应池中的同步硝化反硝化反应只发生在池的下部,其中、上部只进行了好氧硝化反应;SUFR系统中好氧反应池上部的最佳溶解氧浓度范围为3.0~3.5mg/L,此时系统的硝化和反硝化效果最佳,好氧反应池中的脱氮效果也较好,系统对TN的去除率〉84%。 相似文献
9.
关于粉体成球机盘体几何形状的研究 总被引:2,自引:2,他引:0
通过对粉体小球在粉体成球机盘底上运动轨线的研究,利用Euler定理,结合其参数特点,得到了不同几何形状的盘底在成球过程中对粉体小球运动的影响,球面盘底较平面盘底更有利于成球的结论。 相似文献
10.
螺旋翅片管的换热计算 总被引:1,自引:0,他引:1
本文引入区域平均表面传热系数的概念。在实验研究的基础上进行了肋基和肋端温度分布预测及肋片换热数值计算。 相似文献