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1.
《电子工业专用设备》2004,33(7):45-46
日本原子能研究所与独立行政法人产业技术综合研究所(以下简称产综研)，日前成功地联合开发出了采用碳化硅半导体底板的晶体管。作为晶体管性能指标的沟道迁移率(电子活动的难易度)，突破了实用化所要求的标准 相似文献
2.
3.
Peter Singer 《集成电路应用》2007,(3):38-38
Robert J.Mears是用于宽带互联网的铒掺杂光纤放大器(EDFA)的发明者。他在寻找将光器件和波导结合到硅中的方法时,发现了一个有趣的结果:一种特殊的硅超晶格结构可以加速某一个 相似文献
4.
5.
6.
正弦平方势和形变超晶格的沟道特征 总被引：2，自引：2，他引：0
本文利用我们曾提出的粒子-晶体相互作用势(正弦平方势)讨论了带电粒子在形变超晶格中的运动行为,导出了共振退道时的退道系数,指出了用沟道技术研究形变超晶格的灵敏性、可靠性和重要性。 相似文献
7.
椭圆沟道截形几何设计的实质是在给定的约束条件下,确定椭圆的长半轴和短半轴。文中就椭圆参数方程和约束条件的建立进行了分析与计算。附图2幅,参考文献2篇。 相似文献
8.
9.
在阐述鄂尔多斯高原多沙粗沙区水土流失特点的基础上，运用几条流域坝系建设的典型调查资料，分析和论证了沟道坝系建设在水土流失治理中的不可替代性和速效性，展望了其发展前景。 相似文献
10.
针对我国黄土高原地区沟道坝地利用方式单一、利用期滞后和效益尚未充分发挥的问题,提出坝地利用应按沟道坝系、坝型及不同时期坝地形成特点,选择不同的坝地利用方式、相应的防洪保收设计洪水频率及工程布局形式,从而实现沟道坝地优化利用,并提出坝地优化利用方式的选择原则、主要利用方式类型. 相似文献