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GaN材料在光电子器件领域的广泛应用前景使得金属与其欧姆接触的研究成为必然。本对Si基n型GaN上的A1单层及Ti/Al双层电极进行了研究。通过对不同退火条件下的I—U特性曲线,X射线衍射以及二次离子质谱分析,揭示了界面固相反应对欧姆接触的影响,提出了改善这两种电极欧姆接触的二次退火方法。 相似文献
4.
超深冲IF钢退火过程中织构变化的ODF分析 总被引:5,自引:0,他引:5
采用ODF分析方法对IF钢冷轧板在退火过程中织构变化进行了分析。结果表明,随退火时间的延长,冷轧IF钢板在呔α,γ取向线上的{100}〈110〉,{112}〈110〉,{111}〈110〉,{111}〈112〉织构有所增减,其中{111}〈112〉织构明显增加。最终形成以{111}〈110〉,{111}〈112〉为主的退火织构。这正是使IF钢获得优良深冲性能必要条件。 相似文献
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高质量ZnO薄膜的退火性质研究 总被引:3,自引:0,他引:3
在LP-MOCVD中,我们利用Zn(C2H5)2作Zn源,CO2作氧源,在(0002)蓝宝石衬底上成功制备出皮c轴取向高度一致的ZnO薄膜,并对其进行500℃-800℃四个不同温度的退火。利用XRD、吸收谱、光致发光谱和AFM等手段研究了退火对ZnO晶体质量和光学性质的影响。退火后,(0002)ZnO的XRD衍射峰强度显著增强,c轴晶格常数变小,同时(0002)ZnOX射红衍射峰半高宽不断减小表明晶粒逐渐增大,这与AFM观察结果较一致。由透射谱拟合得到的光学带隙退火后变小,PL谱的带边发射则加强,并出现红移,蓝带发光被有效抑制,表明ZnO薄膜的质量得到提高。 相似文献
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