面向21世纪的纳米电子学

评论了纳米电子学的沿革路程,介绍了纳米电子学的研究内容,并预测了它的发展趋势。进而指出,纳米电子学的崛起与发展将会对21世纪的量子计算机、量子通信以及量子信息处理等产生革命性的影响。     

放电等离子体中XeI准分子的形成过程

研究了Xe/I2 混合气体 (气压 70～ 1330Pa)在直流辉光放电情况下XeI 准分子的形成过程 ,得到了XeI 准分子在 2 40～ 2 70nm波长范围内的荧光发射谱。并对XeI (B→X)跃迁谱线强度随混合气体压力的变化进行了实验研究 ,发现气压为 333Pa时荧光最强 ;此条件下 ,放电等离子体的电子温度为 13 2eV ,表明低气压放电等离子体中主要反应通道为快电子碰撞Xe使其跃迁至 3 P ,随之与I2 碰撞形成 XeI(A ,B ,C)。     

铁电态-顺电态双层薄膜的高介电调谐

基于Landau-Devonshire自由能理论建立了热力学模型,对生长在(001)SrTiO3衬底上的PbZr0.4Ti0.6O3(PZT)/SrTiO3(STO)双层异质外延结构铁电薄膜以及不受约束的双层薄膜的介电响应与调谐率进行了研究。结果表明,在两层薄膜为无约束的自由薄膜情况下,STO厚度占双层薄膜总厚度的百分比为30%时,相对介电响应达到最大值约3.3×105,当两薄膜为异质外延结构时,其百分比为51%时,相对介电响应达到最大值约4×105。同时,调谐率还随外加电场的增大而增大,在临界百分比时,调谐率可达到约99%。     

脉冲激光退火纳米碳化硅薄膜的拉曼散射研究

采用XeCl准分子激光实现了碳化硅薄膜的脉冲激光晶化,对退火前后薄膜样品拉曼散射谱特征进行了分析,探讨了激光能量密度对纳米碳化硅薄膜结构和物相特性的影响.结果显示晶态纳米碳化硅薄膜的拉曼散射峰相对体材料的特征峰显著宽化和红移,并显示了伴随退火过程存在着硅和碳的物相分凝现象.随着激光能量密度的增大,薄膜的晶化度提高,晶化颗粒增大,而伴随的分凝程度逐渐减小.     

硅基纳米微粒的激光烧蚀沉积及可见光发射特性

简要介绍了激光烧蚀沉积硅基纳米微粒的基本方法、沉积原理及其可见光发射特性等 ,并对其发展前景作了初步展望。     

纳米6H-SiC薄膜的等离子体化学气相沉积及其紫外发光

采用螺旋波等离子体化学气相沉积技术在Si(100)衬底上制备了具有纳米结构的碳化硅(SiC)薄膜.通过X射线衍射、傅里叶红外吸收和扫描电子显微镜等技术对所制备薄膜的结构、形貌以及键合特性进行了分析,利用光致发光技术研究了样品的发光特性.分析表明,在500℃的衬底温度和高氢气稀释条件下,所制备的纳米SiC薄膜红外吸收谱主要表现为SiC TO声子吸收,X射线衍射显示所制备的纳米SiC薄膜为6H结构.采用氙灯作为激发光源,不同氢气流量下所制备的样品在室温下呈现出峰值波长可变的紫外发光.     

曝光强度对卤化银微晶中载流子行为及其陷阱效应的影响

针对卤化银感光材料潜影形成过程中光作用动力学问题，分析了曝光强度对光生载流子行为和电子陷阱效应的影响，认为伴随着曝光强度的增加，影响光电子衰减的因素由电子陷阱起主要作用演化到电子陷阱和复合中心共同起作用进而演化到复合中心起主要作用．     

立方体溴化银颗粒光谱增感的电子转移超快动力学研究

本文利用皮秒时间分辨条纹相机技术检测了3种染料在立方颗粒溴化银上吸附后形成聚集体的荧光光谱,分析了3种染料在不同染料浓度下对染料聚集体到溴化银导带的超快电子转移过程的影响,进而分析其对增感效率的影响关系,并探讨了增感过程的微观机理.实验结果表明,荧光衰减的动力学曲线与一个双指数函数拟合得相当好,存在一快一慢两个衰减成分,快衰减成分占拟合较大比例,表明其源于与荧光衰减相竞争的从激发态染料聚集体到AgBr导带的电子转移.光致电子转移的速率及增感效率随着染料相对浓度的增加表现出一定的变化趋势,染料浓度增加,增感效率减小.     

氧压对脉冲激光沉积Si基ZnO薄膜性能的影响

采用脉冲激光沉积法在Si(111)基片上制备了ZnO薄膜.利用X射线衍射、光致发光、扫描电子显微镜等表征技术研究工作氧压对ZnO薄膜的结晶特性和光学性能的影响.研究结果表明,氧压的增大,有助于更多的氧原子进入晶格,有效减少薄膜中的缺陷和应力,使ZnO薄膜结构趋于完整,但是过高的氧压将严重地影响薄膜的沉积速率,加剧衬底Si的氧化,从而使薄膜的结晶质量恶化.所有的ZnO薄膜均显示出较强的紫外发光蜂,并且结晶性与发光特性有很好的一致性.