氢等离子体辅助固相晶化多晶硅薄膜的初步研究

提出一种氢等离子辅助固相晶化(hydrogen plasma assisted solid phase crystallization,H-SPC)多晶硅的新颖技术。这一晶化技术能够明显缩短晶化时间,同时有效钝化多晶硅薄膜的缺陷态。首先对氢等离子辅助SPC技术与传统SPC技术进行比较分析,进而研究了晶化过程中各种工艺条件对多晶硅晶化质量的影响并进行了物理机制的初步分析。     

对棒多晶硅还原炉高频加热系统研究

介绍了一种新型多晶硅还原炉加热电源的工作原理、系统构成和实验结果。该型加热电源采用相控整流和高频逆变技术。根据多晶硅硅棒在生长过程中的伏安特性,设计了与工频加热电源交互的控制逻辑以及逆变电流控制方法。通过实验验证了硅棒中交变电流的趋肤效应在多晶硅硅棒加热过程中的作用,并对比了工频加热电流与高频加热电流的幅值差异。实验表明,该型多晶硅还原炉高频加热电源在节电率、单炉生产时间和产出硅棒直径上,均比传统的工频加热电源有较大提升。     

多晶硅薄膜太阳电池的研究与进展

从薄膜的沉积方式和沉积温度以及衬底材料等几方面综合分析了多晶硅薄膜制备工艺的特点及多晶硅薄膜太阳电池的最新研究进展。并以颗粒硅带(SSP)为衬底，采用快热化学气相沉积(RTCVD)法制备了多晶硅薄膜，随后制得的多晶硅薄膜太阳电池的效率达到6．05％。     

性能优良的RCA微波功率晶体管

首次采用多晶硅发射区 RCA技术制备出微波功率晶体管。在工作频率为 3 .1 GHz时 ,该器件输出功率达到 6W,功率增益达到 1 0 d B。与普通多晶硅发射区 HF晶体管相比 ,此种晶体管具有电流增益 h FE随温度变化小、并且在一定温度下达到饱和的优点 ,从而可以在一定程度上抑制微波双极功率晶体管由于温度分布不均匀导致的电流集中。文中还讨论了不同的杂质激活条件对 RCA器件直流增益的温度特性的影响及对微波性能的影响     

NH3/SiH4流量比对多晶硅/氮化硅复合层电池光电性能的影响研究

SiN薄膜因为具有良好的减反射性质和钝化作用, 越来越广泛地应用于晶硅太阳电池的制造工艺中。用等离子体化学气相沉积(PECVD)法, 通过改变流量比、气体总量及基底温度等工艺参数沉积SiN薄膜, 研究了流量比对在多晶硅太阳电池上所沉积的氮化硅薄膜性能的影响。实践表明, NH3/SiH4气体流量比为11.5∶1时电池材料具有最佳的光电性能。     

V型电热硅微致动器动态频率特性

提出了V型电热硅微致动器的弯曲振动力学模型。考虑到微米尺度上的硅梁难以简化为质量块、弹簧振动模型,采用了连续体建模,据此可进行其模态分析及动态频率特性的理论研究。利用自行设计制造的在线动态测试机构,测试了V型电热硅微致器在不同激励电压驱动下的响应输出,结果表明其位移输出也是随交变驱动电压的变化而非同步地发生变化。     

多晶硅微型电极阵列的研制

讨论了pn结对制作硅微电极阵列的局限性,提出了一种在沟道侧壁制作多晶硅电极阵列的设计和制作方法.实验结果表明,利用该方法研制的微电极阵列不仅克服了pn结的影响,能够为MEMS芯片器件提供所需的工作电压,而且也为一些小型化电极的设计及研制提供了新的思路和方法.     

Luminescent chemically-etched porous poly-crystalline silicon on insulating substrates

Polycrystalline silicon deposited on insulating substrates has been chemically-etched to form thin films of porous material exhibiting room temperature visible photoluminescence with emission wavelengths of around 650 nm. Material of 4000 ? thickness was quickly converted to porous silicon within 15 s of etching, with an etch rate of 1–1.5 μm/h. In contrast to anodization, chemical-etching parameters have little effect on modulating the resultant peak wavelength. Peak photoluminescence intensity was achieved 8–12 s of etching in 1:3:5 parts HF:HNO₃:H₂O at room temperature with ambient lighting. The chemical etching process and its etch characteristics have been discussed in relation to its suitability for large area thin film devices.     

多晶硅超薄沟道薄膜晶体管研制

提出了一种新结构的低温多晶硅薄膜晶体管 ( poly- Si TFT) .该 poly- Si TFT由一超薄的沟道区和厚的源漏区组成 .超薄沟道区可有效降低沟道内陷阱密度 ,而厚源漏区能保证良好的源漏接触和低的寄生电阻 .沟道区和源漏区通过一低掺杂的交叠区相连接 .该交叠区使得在较高偏置时 ,靠近漏端的沟道区电力线能充分发散 ,导致电场峰值显著降低 .模拟结果显示该TFT漏电场峰值仅是常规 TFT的一半 .实验结果表明该 TFT能获得好的电流饱和特性和高的击穿电压 .而且 ,与常规器件相比 ,该 TFT的通态电流增加了两倍 ,而最小关态电流减少了3.5倍 .     

硅材料除硼处理

对金属硅进行除硼处理,以解决定向凝固提纯硅对分凝系数大的硼的分离效果不明显难题。高温条件下向经过酸处理的硅粉通入蒸汽,硼经扩散与蒸汽反应。通过实验确定了硅粉粒径、反应温度和反应时间与除硼效果的关系。