RSO诊断技术原理分析及应用

随着发电机单机容量的不断增大,对转子绕组的可靠性要求也日益增高。发电机转子绕组匝间短路故障在转子电气绝缘事故中占有较大比例,且危害很大。例如,匝间短路会导致不对称电流以及功     

500kV变电站实行无人值守运行管理模式的探讨

探讨了国内500kV变电站实行无人值守或少人值守运行模式的可行性。介绍了变电站运行模式改革的方向,比较了国内500kV变电站与220kV变电站、国内外500kV变电站的异同点。以苏州地区500kV变电站为例,从变电站设备缺陷、跳闸事故处理和工作量等几个方面着手,分析了决定变电站运行模式改革的各要素。分析表明,对现有变电站,条件成熟的地区可以实现变电站的少人值守,二次设备能否实现远方操作对变电站实现无人值守至关重要。     

电信业发展：快并和谐着

电信业是基础性、先导性和战略性行业，不但在经济发展中发挥着不可替代的作用，而且在国家安全中扮演者举足轻重的角色。因此，虽然电信行业具有较高的投资回报率和对私人资本具有较强的回报率，大多数国家对电信行业的私有化和对外开放都抱着非常谨慎的态度。然而，在技术迅速进步和世界经济全球化和一体化不断加速的背景下，电信行业的国际化又是一种不可扭转的趋势。[第一段]     

百林通信国际通信展获圆满成功

近日百林通信参加了在北京举办的中国国际通信设备技术展，此次展会获得预期成果。     

组织型号项目靶场综合试验初探

本文简要叙述了型号项目靶场综合试验的重要性，阐述了型号项目综合试验内容、技术、人员、环境等特点以及制定综合试验计划、试验方案预案；建立健全试验组织机构及制度；加强组织管理，协调好各种关系，调动各方面积极性；发挥激励机制的功能等；简述了组织型号项目靶场综合试验的浅显体会和启示。     

采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善(0001)GaN表面形貌

使用分子束外延方法,采用In束流保护下的调制中断生长技术,在(0001)蓝宝石衬底上生长GaN薄膜.利用反射式高能电子衍射(RHEED)对生长进行实时监控,并用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)法对GaN外延薄膜的表面形貌和晶体质量进行分析.实验结果表明:采用该技术生长的Ga极性GaN外延薄膜中的晶体表面残留Ga滴密度大大降低,GaN外延薄膜的表面形貌得到改善,其均方根粗糙度(RMS)由3nm降低为0.6nm,同时XRD双晶摇摆曲线测试的结果表明,GaN外延层的晶格质量也得到改善.     

一种InGaAs/InP复合沟道高电子迁移率晶体管模拟的新方法

采用一种新方法对InGaAs/InP复合沟道高电子迁移率晶体管进行了模拟.该方法通过流体力学模型和密度梯度模型的联合求解,得到了沟道内的电子密度分布.与一些传统方法相比,该方法收敛性更好,速度更快,且同样适用于其他类型高电子迁移率晶体管器件的模拟.利用仿真对InGaAs/InP复合沟道高电子迁移率晶体管进行了深入研究.     

功率增益截止频率为183GHz的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As HEMTs

通过合理的外延层材料结构设计和改进的器件制备工艺,制备出功率增益截止频率(fmax)为183GHz的晶格匹配InP基In0.53Ga0.47As-In0.52Al0.48As HEMT.该fmax为国内HEMT器件最高值.还报道了器件的结构、制备工艺以及器件的直流和高频特性.     

截止频率为218GHz的超高速晶格匹配In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管

报道了截止频率为218GHz的晶格匹配的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管.这是迄今为止国内报道的截止频率最高的高电子迁移率晶体管.器件直流特性也很优异:跨导为980mS/mm,最大电流密度为870mA/mm.文中的材料结构和所有器件制备工艺均为本研究小组自主研制开发.     

激光在大气中传输衰减特性研究

激光在大气中传输特性的研究是激光探测与制导、激光通信等光电系统设计中的一个主要问题.利用衰减的经验模型和Mie理论,分别计算了不同大气能见度下的霾粒子对激光大气传输产生的衰减,并对这两种方法计算的结果进行比较分析;再根据Mie理论和云雾的尺度分布模型计算了云雾的激光衰减.结果表明,在近红外波段对于对流层大气中霾粒子的衰减预测应用Mie理论计算更合理;云雾引起的衰减一般较大,并且随着能见度的减小,衰减增加较快.因此,当Vb＜15km时,霾引起的衰减需要考虑;当Vb较小时,云雾的激光衰减是限制系统性能的主要因素.