OLED背光源技术研究进展

有机电致发光二极管(OLED)因其白光材料的多样性、制程的简单性和成本低廉性,特别是其面光源的属性,相较于电致发光二极管(LED)的点光源,更有望成为未来液晶显示器件背光源的主角。介绍了OLED背光源关键技术的最新进展,分别阐述了白光OLED发光效率的提升,OLED器件稳定性和寿命的提高,OLED制备的最新工艺,偏极化的OLED技术,OLED背光源与液晶显示面板匹配技术,还介绍OLED背光源产业发展及发展现状,并对OLED背光源技术的发展趋势进行了展望。     

GaN压电效应对载流子浓度的影响

在ＮＨ３源ＧＳＭＢＥ生长的ＧａＮ中观察到较大的双轴张应变．随着张应变的增加光致发光谱带边峰展宽，Ｈａｌ测试得到的背景电子浓度增大．本文应用ＧａＮ的压电效应对此进行了解释．     

水平连铸夹板式拉坯机的运动和结构分析

对比夹辊式拉坯机，简要分析了水平连铸工艺夹板式拉坯机的运动曲线、运动精度、结构特点及铸坯受力情况。结果表明，夹板式拉坯机有广阔的发展前景。     

决策表用于MIS开发的初探

本文简述了决策表的结构、特点,计算机实现方法以及在管理信息系统(MIS)开发中的应用。     

粉煤灰挤塑泡沫复合砌块保温性能的优化研究

介绍粉煤灰挤塑泡沫复合砌块产品原型构造及热工性能,分析其传热过程特点,针对其不足提出几种优化改进方案,并通过计算机数值仿真计算对比各方案的改进效果,结合产品制造和使用要求确定实际选用方案。     

微功耗红外通信口设计

为了减小能源消耗,要求仪器、仪表及传感器以低功耗或超低功耗方式工作,其组成的每一个环节都必须以低功耗或微功耗方式运行,本文阐述了一种超低功耗的智能化红外通信接口设计方法,并提出具体的硬件和软件方案。     

GSMBE GaN膜的电子输运性质研究

用ＮＨ３作氮源的ＧＳＭＢＥ方法在晶向为（０００１）的α－Ａｌ２Ｏ３衬底上生长了非有意掺杂的单晶ＧａＮ外延膜，ＧａＮ膜呈Ｎ型导电，室温时的最高迁移率约为１２０ｃｍ２／（Ｖ·ｓ），相应的非有意掺杂电子浓度为９．１×１０１７ｃｍ－３．对一些ＧａＮ膜进行了变温Ｈａｌ测试，通过电阻率、背景电子浓度以及Ｈａｌ迁移率随温度的变化研究了ＧａＮ外延膜的导电机理．结果表明，当温度较低时，以电子在施主中心之间的输运导电为主；当温度较高时，以导带中的自由电子导电为主．     

PRG型文件格式处理程序

解释型dBASEⅢ是一种应用广泛的结构化高级语言。为了使PRG型文件清单清晰明了,在程序编写时人们都将各程序行排列成所谓“阶梯”式,这对加强程序可读性和以后的调试、修改工作无疑是有益的。可是实际应用中,当由键盘输入这种格式的(尤其是一些较长的、多重嵌套的)程序,既费时又不易使格式规范。另外,由于dBASEⅢ的语法检验功能较弱,不能检查诸如DO WHILE…ENDDO,IF…ENDIF等等语句的配对状况,在调试和运行过程中,一旦遇到不成对的情况,计算机就将“乱了套”,且不回显错误信息。以上两点给大、中规模的程序设计工作带来很大不便。     

不随输入频率变化的不失真限幅放大器

<正> 一、引言在电路系统中,有时需要将某一信号进行限幅放大。限幅放大的传统方法是将信号通过一个非线性放大器,利用元器件的饱和特性达到限幅的目的。图1为一典型的限幅电路,信号ν_1以R_1/R_1的放大倍数放大,当ν_0的幅值到达稳压管D_1、D_2的导通值时,ν_0被限定在D_1、D_2的导通值上,成为梯形波。这样不管输入信号幅值多大(只要不超过运算放大器的允许输入电压),输出电压总被限制在一定的幅值上。很显然,信号经过这样限幅以后,变得严重失真了,对于某些电路这是无关紧要的,而有些电路却是不允许的。在这种情况下,我们只能采用滤波的办法,滤掉高次谐波来保持原信号的形状,可是这种方法有两个     

中国LED配光技术专利分析

选择"七国两组织"中文专利数据库,采集1985年1月1日到2008年12月31日期间的LED配光技术专利文献,建立专利数据库。再选择广东专利信息服务平台分析系统分别从专利申请总量、重点专利技术和重点专利持有人等方面,对LED配光技术专利进行了深入的分析,并对比分析了国内外LED配光技术专利现状,提出了发展我国LED配光技术的专利策略。