膜鼓气/吸收法连续脱溴过程

以开发节能高效的新型提溴工艺为目的,设计了以中空纤维疏水膜作为布气装置的膜鼓气/吸收( MA-B/A)法连续脱溴过程.压缩空气经过布气装置(U型PVDF中空纤维疏水膜组件)以微小气泡的形式分别进入串联的各级鼓气膜组件,与料液(模拟海水)形成对流传质,实现溴素的连续脱除.考察了鼓气膜组件级数、组件装填密度、料液流量、鼓气...     

絮凝-超滤集成预处理对反渗透浓水膜蒸馏过程的影响

采用聚偏氟乙烯(PVDF)中空纤维疏水膜,利用减压膜蒸馏(VMD)技术,对天津某钢铁厂反渗透(RO)处理后的浓水进行深度浓缩处理,研究了一次絮凝-超滤集成、二次絮凝-超滤集成、分步二次絮凝-超滤集成等预处理方法对RO浓水COD的去除效果,及其对膜蒸馏性能及膜清洗效果的影响,并采用扫描电镜(SEM)和X射线能谱仪(EDS)分析膜表面形貌及污染物组成。结果表明,聚合氯化铝(PAC)絮凝-超滤预处理及PAC絮凝-超滤后再进行阴离子型聚丙烯酸钠(PAAS)二次絮凝-超滤预处理对RO浓水COD的去除效果均能达到40%。在预处理对VMD浓缩过程性能影响的试验研究中表明,经过一次絮凝-超滤集成预处理后,VMD浓缩过程中通量有所提高。浓缩至7～8倍时,较预处理前,通量衰减率降低20%以上。经过PAC絮凝-超滤预处理的RO浓水进行VMD浓缩到约8倍时再进行PAAS二次絮凝-超滤处理后,通量能够提高10%。经过预处理后的废水VMD浓缩过程膜清洗通量恢复效果较无预处理废水好。     

深度混炼对纳米SiO2/低密度聚乙烯复合材料分散性与直流电性能影响

利用同向平行双螺杆挤出机对纳米SiO₂/低密度聚乙烯（LDPE）复合材料进行深度混炼,采用SEM、直流击穿强度试验及变温空间电荷试验研究了该工艺对纳米SiO₂/LDPE复合体系中纳米SiO₂颗粒分散性、直流击穿强度和空间电荷特性的影响,综合评估了纳米SiO₂颗粒分散性改善和纳米SiO₂/LDPE复合材料熔融状态下机械剪切降解对电性能的影响。结果表明,随着混炼次数的增加,纳米SiO₂颗粒在LDPE中分散的更加均匀;深度混炼与单次混炼相比,SiO₂/低密度聚乙烯复合材料直流击穿强度上升,室温下达到433.1 kV/mm;随着混炼次数的增加,SiO₂/低密度聚乙烯复合材料低温时抑制空间电荷能力变强,但60℃以上高温时抑制能力变差。混炼次数的增加改善了纳米SiO₂颗粒的分散性,使其与LDPE基体的界面增多,同时,纳米SiO₂颗粒还使SiO₂/低密度聚乙烯复合材料的片晶厚度增大,结晶度升高,界面区和力学性能都随着分散性改善而增加和增强,两者共同促进了SiO₂/低密度聚乙烯复合材料电学性能的改善。但是由于深度混炼引发了材料降解,结构缺陷的增多影响了纳米SiO₂/LDPE复合材料高温区的空间电荷抑制性能。     

耐电晕聚酰亚胺薄膜表面电荷特性

为了解微纳米尺度下聚合物绝缘材料表面电荷生成、发展规律和机理,利用电场力显微镜（electrostatic force microscope,EFM）研究了两种聚酰亚胺薄膜的表面电荷生成及其衰减特性.采用EFM的导电探针在聚酰亚胺薄膜表面注入电荷,并对产生的电荷进行原位表征,结果表明原始（100 HN）和耐电晕（100 CR）两种聚酰亚胺薄膜上电荷生成和衰减特性不同.耐电晕薄膜被注入的表面电荷数量少且注入后衰减较快,其衰减服从指数规律,衰减时间常数为19.9 min;原始薄膜被注入的电荷量较多,衰减时间常数为48.1 min.分析表明,耐电晕薄膜中由于掺杂了Al2O3成分,使得材料的介电常数提高、电阻率下降.介电常数提高使得金属-电介质界面势垒提高,增加了电荷注入难度,导致表面电荷数量少;电阻率下降使得电荷消散速度加快.     

基于CCD的XLPE电缆料杂质颗粒测量系统的研制

应用电子耦合摄像器件（CCD）一维扫描和试样的行进构成对试样的二维扫描检测方法，研制经XLPE电缆料杂质颗粒测量系统，论文分析了透镜，CCD器件对分辨率的影响，在选定扫描视场下优化了分辨率；测量系统分辨率在20mm视场下达到35um，模板实验测中率为100％，测量每公斤料的颗粒误判率为零，用于110kV交联电缆绝缘料测量，最小颗粒为120um时，测量速度可达2．6kg/h。     

聚乙烯咔唑侧基含偶氮对硝基苯非线性光生色基团的合成及表征

研究了一种可作为聚合物类光折变材料中半功能型的基体材料——聚乙烯侧基含偶氮对硝基苯。以聚乙烯咔唑和偶氮盐为原料,以十二烷基苯磺酸钠为相转移催化剂,通过后重氮偶合方法,制备出聚乙烯咔唑侧基含生色团偶氮对硝基苯。用IR、UV-v is、1H-NM R、GPC对聚合物偶合前后进行了分析和表征。IR、UV-v is、1H-NM R测试表明了偶氮苯已经接到咔唑环上。UV-v is结果表明偶合反应时间对聚合物的偶氮含量有很大的影响。GPC结果表明,聚合物与重氮盐偶合后,分子量增大。     

Freescale MM908E625的LIN总线在自动细纱机中的应用

基于LIN总线的控制方案相对简单实用,已逐渐为广大工业控制领域所接受。本文介绍了LIN总线及其通信机制,阐述了Freescale最新推出的单片机MM908E625的结构和特点,以及单片LIN子节点在自动细纱机控制中的应用,并对控制系统进行了调试与测试。     

具有宽范围输出电压的三电平半桥LLC谐振变换器控制策略

由于三电平变换器的开关管电压应力仅为输入电压的一半,在大功率DC-DC电源、电动汽车充电等应用领域得到广泛的关注和研究。为了实现宽范围输出电压调节控制,克服三电平半桥LLC谐振变换器采用变频调制时电压调节范围小的缺点,将移相调制策略引入三电平半桥LLC谐振变换器控制,分析了其工作过程、电压调节范围及软开关条件,导出了实现软开关的工作状态分界点,由此提出一种三电平半桥LLC谐振变换器移相和变频相结合的混合式调制策略。该策略根据软开关工作状态,切换移相调制和变频调制,以实现全程软开关和宽范围输出电压控制。实验验证了理论分析结果的正确性以及所提调制策略的可行性和有效性。     

多壁碳纳米管薄膜在THz波段的传输与偏振特性

利用化学气相沉积法制备了三种类型多个超有序排列的多壁碳纳米管薄膜样品,通过太赫兹时域光谱技术,获取相位和振幅信息,详细研究了薄膜在太赫兹波段的传输特性。结果表明:超有序多壁碳纳米管薄膜在纳米管轴向方向与垂直于轴向方向表现出明显的光、电各向异性特性;测试的介电常数实部为负,虚部为正,证实了制备的薄膜具有金属性;薄膜具有的各向异性为研究其偏振特性提供了直接证据,随着薄膜厚度的增加,偏振度和消光比增加,其9 m厚的自由薄膜度可以获得99%的偏振度。研究结果对开展超有序多壁碳纳米管薄膜在太赫兹偏振器、调制器与光开关等领域的研究有重要指导意义。     

均匀沉淀法制备纳米MgO

以硝酸镁和尿素为原料,聚乙二醇为分散剂,用均匀沉淀法合成了氢氧化镁,并将其煅烧制得纳米MgO.讨论了反应温度、反应时间、反应物配比对氢氧化镁产率的影响.确定了合成氢氧化镁工艺;用视比容分析方法确定了制备纳米MgO煅烧工艺;并通过SEM对纳米MgO的形貌进行了分析,得到了平均粒径为50 nm分散较好的纳米MgO.实验合成氢氧化镁的最佳条件为:反应温度125℃;反应时间5h;反应物配比(尿素/Mg(NO3)2.6H2O)为6:1;最佳煅烧工艺为:温度500℃,时间2h.