低压MOCVD法制备TiO2薄膜的研究

以四异丙醇钛为原料,氧气作反应气体,高纯氮气作载气,采用低压ＭＯＣＶＤ法在单晶Ｓｉ基片上制备出了ＴｉＯ２薄膜,研究了基片温度和氧气流量对ＴｉＯ２薄膜沉积速率的影响,以及基片温度和退火温度对ＴｉＯ２薄膜的结构的影响。采用Ｘ射线衍射和喇曼光谱对ＴｉＯ２薄膜的结构进行分析,实验表明：基片温度在１１０℃～２５０℃时制备的ＴｉＯ２薄膜是非晶态的,在３５０℃～５００℃时制备的ＴｉＯ２薄膜为锐钛矿和非晶态混杂结     

FeSiB/Cu/FeSiB多层膜巨磁阻抗效应研究

用磁控溅射法在玻璃基片上制备了FeSiB/Cu/FeSiB多层膜,在100kHz～40MHz范围内研究了FeSiB/Cu/FeSiB多层膜中的巨磁阻抗效应特性.当磁场强度Ha施加在薄膜的长方向时,巨磁阻抗效应随磁场的增加而增加,在某一磁场下达到最大值,然后随磁场的增加而下降到负的巨磁阻抗效应.在频率为3.2MHz时,在磁场强度Ha=2400A/m时巨磁阻抗变化率达到最大值13.50%;在磁场强度Ha=9600A/m时,巨磁阻抗变化率为-9.20%.巨磁阻抗效应的最大值及负的巨磁阻抗效应与多层膜中磁各向异性轴的取向及发散有关.另外,当磁场施加在薄膜的短方向时,薄膜表现出负的巨磁阻抗效应,在频率为3.2MHz,磁场强度Ha=9600A/m时,巨磁阻抗变化率可达-12.50%.     

嵌入式电磁型微电机定子绕组的研制

阐述了采用ＮｉＦｅ 合金作为微电机定子绕组的铁芯材料,完成了电磁型微电机从非嵌入式向常规的嵌入式定子绕组的转变,无论是从定性分析还是从最后的测量结果都证明在相同的条件下,嵌入式电磁型微电机定子绕组的输出力矩要大大高于非嵌入式定子绕组的输出力矩,由原来的１－５μＮｍ 提高到４μＮｍ 。     

MEMS技术制作的螺线管微电感

考虑和分析了螺线管微电感的几何结构参数对微电感性能的影响,利用MEMS技术制作了四种不同几何结构的高性能射频螺线管微电感。这些微电感采用铜线圈,以减小线圈寄生电阻,且制作工艺简单,成本低,与IC相兼容。测试结果表明,微电感在较宽的工作频率范围内具有较高的Q值,在频率分别为6 GHz,4.4 GHz,5.8 GHz和5.6 GHz,微电感Q峰值为38,19.1,24.1和21.9,所对应的电感量为1.81 nH,1.07 nH,1.03 nH和1.17 nH。     

离心式钢球联轴器的试验研究

离心式钢球联轴器在国外已有20多年的历史,在我国应用尚少。它主要用来解决满载起动问题,较适用于起重运输机械以及其它需带载起动的机械。例如皮带运输机在使用中,由于某种原因满载停车,当再次起动时,就需要卸掉部分载荷,很费时费工。又如起重机械的运行机构,运行惯性阻力矩较大,因此一般采用绕线式交流电机,并配有起动电阻箱,使设备复杂,成本较高,易出故障。如采用鼠笼式交流电机,配上离心式钢球联轴器,则既经济又可靠,并具有起动平稳与过载保护的作用。其中离心式钢球联轴器是个关键部件,我们对这种联轴器作了初步的试验研究。     

MAX618在电磁微电机步进驱动中的应用

本文介绍了电磁微电机步进驱动的系统结构和MAX618升压芯片的特点，以及MAX618芯片在系统中的应用，并与其它电源升压芯片做了比较。验证了MAX618在微码轮系统中使用的有效性。     

近邻软磁层偏置磁阻磁头结构参数设计的数学模型

概述了磁软磁层偏置磁阻磁头的工作原理和特点，采用传输线模型对其工作点的选取和结构参数进行了初步设计，与实验结果符合较好．     

一种基于MEMS技术的可变光衰减器

介绍了一种基于微电子机械系统(MEMS)技术实现的可变光衰减器,通过微电磁驱动器改变输入输出光纤之间的径向偏移量来调整衰减量.分析了偏移量与衰减量的关系,通过MEMS微细加工技术实现了器件的制作和封装,介绍了加工及装配流程.并进行了性能测试,结果表明,新型可变光衰减器的插入损耗小于1 dB,动态范围约35 dB,工作电压小于5 V,偏振相关损耗小于0.1 dB,有望为光纤网络提供一种低成本、高性能的光通信器件.     

一种微电磁驱动的MEMS可调光衰减器

介绍了一种电磁驱动型MEMS可调光衰减器,该器件通过调节微挡光片在光路中的位置控制衰减量.以铜作为牺牲层,由电镀铁镍作为结构层的非硅表面微加工微技术被应用于挡光片的制作上,此项技术与硅的体加工技术相结合有望降低器件的加工成本.此外,还分析了该可调光衰减器的衰减机理,理论计算结果与实验数据基本吻合.实验测得样机性能为,插入损耗低于3 dB,动态范围大于40 dB,回波损耗大于40 dB.     

静电驱动可调微机械电容

利用简单MEMS技术制作了高品质因数的射频可调微机械电容.此电容由静电驱动,利用WYKO NT1100光学表面轮廓仪测量在不同外加直流电压下可变电容的表面轮廓和位移等信息.测试结果表明,电容的吸合电压为13.5V,电容可调比为1.31∶1,在1GHz下品质因数为51.6,电容值为0.79pF.