光电化学技术在金属腐蚀研究中应用新进展

光电化学技术是研究金属腐蚀和缓蚀行为的有效手段,除了将光电化学方法应用于研究金属铜在不同介质中的腐蚀行为及添加不同缓蚀剂后的缓蚀行为之外,综述了近年来采用光电化学技术对铜合金在不同介质中的腐蚀行为、自组装膜对金属的防护效果和将具有光响应的TiO2薄膜涂覆于金属表面进行防腐蚀等方面的研究新进展.     

硫化物光催化剂的形貌控制及光催化性能的研究进展

无机纳米材料的结构、维度、形貌、尺寸等因素对它们的功能性能有着直接影响。CdS、ZnS以及其复合纳米材料在光、电、磁、催化和力学等方面有着特殊的性能,这与晶体形态和形貌紧密相关,因此制备可控粒度、形状、取向的CdS等硫化物半导体纳米材料,研究其结构、形貌对光催化性能的影响,对新型高效光催化材料的研究与开发具有重要的意义。本文重点介绍了近几年硫化物形貌和粒径的控制的研究进展以及此类光催化剂在光催化分解水制氢和降解有机染料等方面的应用。     

Cu的腐蚀与缓蚀的光电化学研究

用光电化学方法研究了Cu在不同浓度NaCl的硼酸-硼砂溶液中的腐蚀以及缓蚀剂聚天冬氨酸(PASP)对Cu的缓蚀作用.Cu在硼酸-硼砂缓冲溶液中,表面的Cu2O膜为P型半导体.当Cu所在的溶液中存在少量NaCl(小于0.5 g/L)时,Cu表面Cu2O膜会受轻微Cl-掺杂但小会改变半导体性质;当溶液中存在较多NaCl(0.5-15 g/L)时,Cu2O膜会受Cl-较严重的侵蚀,Cl-掺杂使Cu2O膜部分转成n型;当溶液中存在大量NaCl(大于15 g/L)时,Cu2O膜完全被Cl-掺杂而转型成n型.缓蚀剂PASP的加入能够对Cu起到缓蚀作用;当NaCl浓度为2 g/L时,PASP与溶液中的Cl-在Cu表面竞争吸附,明显抑制了Cl-对Cu2O膜的掺杂,Cu2O受到了保护仍为P型;在NaCl浓度为30 g/L时,PASP与Cl-竞争吸附只能削弱Cl-对Cu2O膜的掺杂,Cu2O膜仍受Cl-掺杂而转成n型,但n型性质变弱.对Cu2O膜性质的Mott-Schottky测试结果与光电化学结果一致.     

植酸自组装单分子膜对白铜B30缓蚀作用的研究

用一种环境友好型金属处理剂植酸在白铜B30表面制备了自组装单分子膜(SAMs),研究了该膜在3%NaCl中对白铜B30的缓蚀作用.通过交流阻抗法和极化曲线法的研究表明,在酸性和碱性环境中,植酸SAMs对白铜B30均有良好的缓蚀效果,其对白铜B30的缓蚀效果在酸性环境中要优于碱性环境;且组装时间6h效果最好,缓蚀率为84.87%,同时分析表明其缓蚀机理为化学吸附过程.     

电镀废水零排放工程实例

根据电镀废水水质的特点,对含氰废水、含油废水、含铬废水、含镍废水和含铜废水进行分类前处理后,与混排废水混合进行混凝沉降?MBR(膜生物反应器)法预处理,采用超滤和反渗透装置对废水作进一步处理实现回用,反渗透浓水则采用电渗析?MVR(机械式蒸汽再压缩)工艺实现脱盐后再次进入反渗透装置处理回用。工程实践表明,该系统的出水不仅满足《电镀污染排放标准》(GB 21900-2008)的“表3”要求,且能够作为生产用水回用至电镀生产线。     

《高分子材料》课程建设初探

《高分子材料》课程教学要兼顾知识的"基础性、通用性"和"特色性"。对教学内容的选择上,除基础知识外要注重"不能通过背诵复制的知识";在实验与实践环节上,重视课内实验和课外实践的结合,内容由"单一型"向"综合型"转变,方法由"示范型"、"验证型"向"参与型"、"开发型"、"研究型"转变。     

电沉积金铟硒半导体薄膜上的电化学振荡现象

采用现场动态阻（容）抗法对不同支持电解质溶液中电沉积金铟硒薄膜电极上阴极还原Ｈ２Ｏ２时产生的电化学振荡行为进行了研究。通过ＡＥＳ能谱和激光扫描电化学测试对振荡前后的电极表面组成及状况的分析发现,电化学振荡能使金铟硒半导体薄膜的光电效应减弱乃至消失,其原因是由于随着振荡的进行破坏了金铟硒的半导体结构和半导体溶液界面结构。对振荡机理的研究发现,在以ＫＣｌ为支持电解质的电化学振荡体系中,由于Ｃｌ－的特性吸附和活化作用,并且在振荡过程中Ｃｌ－参与了薄膜的组成,其阴极向扫描过程中振荡产生的极化电位区域与阳极向过程相吻合;而在以ＫＮＯ３为支持电解质的振荡体系中,由于没有Ｃｌ－的特性吸附,其阴极向过程与阳极向过程中振荡产生的极化电位区域表现出一定的差异。     

苯并三唑和咪唑分子内缓蚀协同作用的研究

通过Ｍａｎｎｉｃｈ反应把苯并三唑和咪唑分子用亚甲基链连接起来,合成１－「１’－咪唑）－甲基」苯并三唑化合物,采用静态挂片法,电化学极化曲线法和电化学阻抗法研究了它对３％ＮａＣｌ溶溶中铜的缓蚀作用,讨论了分内苯并三唑单元和唑唑单元的协同缓蚀作用。     

电沉积CuInSe2上H2O2阴极还原时产生的电化学振荡行为（Ⅱ）

本文研究了电沉积制得的CuInSe_2薄膜在阴极还原H_2O_2时产生的电化学振荡行为,一方面对影响该振荡行为的一些因素如振荡溶液组成、传质、光照等进行了分析;另一方面采用外界周期性光照和外接小幅度正弦波电位来调节振荡频率,使光电信号调制振荡趋向成熟.这为CuInSe_2半导体发展成为光电传感器件提供了一定的理论与实践基础.