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21.
Bi2SiO2晶体主要具有介电、热电以及非线性光学等性质,它的非中心对称的晶体结构使其有可能具有铁电性质.由于Bi2SiO5是亚稳态,晶体生长方面的困难,有关Bi2SiO2晶体各种性能应用的报道尚缺.本文从Bi2SiO5的晶体结构、Bi2SiO5亚稳相平衡及Bi2SiO5亚稳相的制备方法三个方面,阐述BiSiO5亚稳相...  相似文献   
22.
微应体光刻(Microstereolifhography,μSL)技,术属于微工程学(Microengineering)与快速原型制造技术(Rapid rototyping echnology)的交叉技术。BSL通过光引发液态树脂固化,逐层制造并经过多层叠加来完成小尺寸、高分辨率的气维物体制造。经过十几年的发展,该技术已逐步应用于需要制造微型部件的工业技术领域,特别是微电子机械系统(Micro Electro Mechanical Systems,MEMS)领域。  相似文献   
23.
本文报道了一种较低温度下合成单一相Bi12SiO20粉体的新方法.以Bi2O3和SiO2为原料,KCl-K2CO3为熔剂,采用熔盐法于635℃合成了Bi12SiO20粉体.XRD分析表明该粉体为单一相Bi12SiO20,SEM分析显示冷却速率对合成Bi12SiO20粉体的尺寸及形貌有重要影响;此外,合成粉体的尺寸随着盐含量的增加而增大,且粉体团聚现象明显减弱.  相似文献   
24.
将Ca3(PO4)2和Ca(OH)2粉以不同的比例混合后,加入不同量的ZrO2粉,制成料浆后球磨,然后压制,经预烧结合成HA,再在不同温度烧结来合成ZrO2/HA复合材料;用X射线衍射仪进行了物相分析。结果表明:原料粉在1 000℃预烧结10 h后,ZrO2/HA复合粉体中出现了-βCa3(PO4)2和t-ZrO2相;复合粉体在1 050~1 350℃烧结4 h后,当ZrO2加入量低(<10%)时,在相对高的温度下(>1 200℃),复合材料中只有CaZrO3相存在;当ZrO2加入量高(30%)时,在各个温度段t-ZrO2相随着CaZrO3相的减少而增加;在1 050~1 200℃范围内,HA的分解加快,t-ZrO2的稳定性增强,但在1 200~1 300℃,HA的分解停滞;不同相的出现导致没有得到理想的ZrO2/HA复合材料,并使得复合材料的密度远小于纯HA的。  相似文献   
25.
作为一种主要的无铅压电陶瓷材料,Bi_(0.5)Na_(0.5)TiO_3(BNT)是一种优良的候选材料.以钛酸四丁酯、五水硝酸铋和无水乙酸钠为原料,用溶胶-凝胶法制备出清澈透明的BNT凝胶;BNT干凝胶经煅烧可得到BNT细粉.XRD谱线表明,其中主要含有杂相Bi_(12)TiO_(20).随着温度的升高,杂相的强度逐渐降低;同时,由于温度的升高,BNT粉体的晶粒增大.XRD指标化后的结果表明,BNT粉体的(101)晶面的原子排列的有序度较好.  相似文献   
26.
自组装法制备聚苯乙烯光子晶体的研究进展   总被引:1,自引:1,他引:0  
系统介绍了自组装法制备聚苯乙烯光子晶体的研究进展,综述了重力沉降、垂直沉降、电泳沉积、离心沉积、涂覆沉积和界面沉积等自组装方法的优缺点以及国内外研究的新进展;分析了微球粒径、悬浮液浓度、温度、湿度和压强等因素对组装效果的影响;阐述了自组装法制备聚苯乙烯光子晶体的发展趋势.  相似文献   
27.
在原有快速成形技术上进行改进,提出了一种新型快速原型制造技术--光热平面快速成形技术,对它的原理进行了系统的阐述,并分析了它在理论上的可行性以及实践上的难点所在.  相似文献   
28.
Bi4Si3O12晶体作为一种性能优异的新型闪烁体,在各个方面有着重要的作用,粉体制备有着重要的意义。本文综述了硅酸铋粉体的制备技术,有固相法、高能球磨法、溶胶-凝胶法、水热法和化学溶液分解法等,同时讨论了各个方法的优缺点,最后展望了硅酸铋粉体制备的未来发展趋势。  相似文献   
29.
纳米棒状羟基磷灰石的研究进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
王莉丽  王秀峰  丁旭  江红涛  卫海锋 《材料导报》2012,26(21):80-82,112
综述了形状纳米羟基磷灰石和棒状纳米羟基磷灰石的常用制备方法、各自的优缺点、研究现状及存在的主要问题,即粒子的几何形状不是很均一,晶相稳定性不好;粉体有团聚;粒子纯度及表面的清洁度很差;粒子粒径及粒度分布范围太宽。针对性地提出了采用微波辅助法合成纳米棒状羟基磷灰石。  相似文献   
30.
陶瓷材料以其耐高温、耐腐蚀、强度高、硬度高等优点,在航天、能源、机械、电子信息、生物工程等领域得到了广泛的应用。然而近20年来,陶瓷产业进展缓慢,这有许多原因,其中陶瓷材料成型工艺是其中最为关键的因素。研究表明,陶瓷制品的成型是材料设计和材料配方实现的前提,在材料的制备工艺中起着承上启下的作用,因而是限制高性能陶瓷产业化的主要问题之一。近年来人们将传统陶瓷成型方法的发展和新型陶瓷成型技术作为研究重点,  相似文献   
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