无压烧结SiC－AlN复相陶瓷的显微结构

对于ＳｉＣ与ＡｌＮ在１８００℃以上可以发生反应形成固溶体的研究结果有益于碳化硅陶瓷的烧结．在２１００℃Ａｒ气氛的条件下，通过ＸＲＤ、ＳＥＭ和ＴＥＭ等分析手段测试样品的颗粒界面、断裂面和组成后发现，烧结过程中ＡｌＮ扩散并均匀地分市在整个坯体之中，ＳｉＣ颗粒在原位长大成无序排列的长５～８μｍ、宽为１μｍ的棒状晶体结构．ＳｉＣ－ＡｌＮ复相材料的断裂面呈现出拨出与撕裂二种效果，其抗弯强度和断裂韧性分别可达到４２０ＭＰａ和４．８３ＭＰａ．ｍ１／２     

层状Al2O3-TiC复相陶瓷的制备与性能

利用流延到工艺制备了Ａｌ２Ｏ３－ＴｉＣ复相陶瓷薄膜，通过叠层，预压，脱粘和热压烧结工工艺，制行了层状结构复相陶瓷，讨论了分散剂，ｐＨ值，固含量对浆粘粘度的影响，用ＴＧＡ分析了陶瓷膜的脱粘过程，用ＳＥＭ和光学显微镜分析了素坯膜的微观形貌和材料在压力作用下裂纹扩展情况，由于裂纹沿弱界面扩散应力松弛，有效地提高了材料的断裂韧性和断裂功，为陶瓷的结构设计提供了一条新思路。     

反射镜材料的选择及SiC反射镜的应用

本文从反射镜材料选择的基本要求出发,以材料的热物理性能、力学性能、光学可加工性、化学稳定性和安全性为依据,认为SiC材料是今后反射镜材料的首选,另外还介绍了SiC反射镜的应用领域以及提出了未来SiC材料用作反射镜时的一些建议.     

聚碳硅烷低温烧结碳化硅网眼多孔陶瓷的研制

通过有机模板复制法,以聚碳硅烷(Polycarbosilane,PCS)为粘结剂和烧结助剂,通过离心工艺二次挂浆制备出低温烧结高强度碳化硅网眼多孔陶瓷.系统地研究了烧结温度、保温时间等工艺参数对制得的碳化硅网眼多孔体微观结构与性能的影响.研究结果表明:最佳烧结温度为1100℃,合适的保温时间为1h,且所制备的网眼多孔体的孔筋厚度均匀.用10PPI(pores per inch)和25PPI有机模板制得的网眼多孔体抗压强度分别为(1.08±0.21)MPa和(2.19±0.32)MPa,耐火温度高达1690℃,而且抗热震性能优良.当淬冷温度大约为1400℃,用25PPI有机模板,经PCS浆料二次挂浆制备的网眼多孔体的热震损伤参数(Dts)仅为0.36.     

以Al-B4C-C为烧结助剂的SiC陶瓷液相烧结研究

尝试以含Al,B,C的化合物烧结助剂进行α－SiC粉末的无压烧结，研究了烧结助剂中Al和B的配比，烧结温度，保温时间等因素对烧结体密度和力学性能的影响。结果表明，最佳保温时间为1h；当烧结温度为1850℃以上时，烧结体的相对密度达到了90％；当Al/B=3和4时，烧结体的性能相对较好，XRD显示了Al8B4C7相的存在，表明在烧结过程中反应生成了Al8B4C7，烧结机制是液相烧结。扫描电镜照片显示了断面结构和晶粒形貌。     

多孔陶瓷的制备、性能及应用：（I）多孔陶瓷的制造工艺

多孔陶瓷的制备方法很多，其成孔机理主要有机械挤出、颗粒堆积、成孔剂、发泡、多孔模板、凝结结构成孔。本文根据成孔机理的不同综述了多孔陶瓷的制备工艺最新研究进展。     

碳化硅基粉体在硅溶胶中的分散行为

利用ξ电位、粘度、流变学测试等研究了碳化硅基粉体在硅溶胶中的分散行为.发现在pH=10左右,硅溶胶分散的陶瓷粉体具有绝对值最大的Zeta电位和最低的粘度,表明碳化硅等陶瓷粉体在硅溶胶中分散的最佳pH条件为pH=10左右.研究发现碳化硅等粉体在硅溶胶中分散性能受硅溶胶浓度的影响较大,其浆料粘度随硅溶胶浓度的增加而减小,在浓度为10%～20%(质量分数)达到最低,当浓度进一步增加时,其粘度呈现微小的增加.并同时研究了pH值、羧甲基纤维素添加量和固含量等对碳化硅基粉体制备的浆料的流变行为的影响.     

机械密封用高性能碳化硅陶瓷的无压烧结研究进展

介绍了机械密封行业用的几种高性能碳化硅陶瓷的无压烧结的研究进展以及各种烧结添加剂对其致密化、显微结构及其性能的影响。     

PVD Si涂层用于SiC陶瓷的表面改性研究

为了获得高质量的光学表面,采用RF磁控溅射法在RB SiC和SSiC陶瓷表面涂覆一层结构致密的PVD Si涂层.采用XRD、AFM和表面轮廓仪对抛光后的PVDSi涂层进行了表征,并在可见光波长范围内测量了涂层的反射率.结果表明,当RB SiC和SSiC陶瓷表面涂覆PVD Si涂层后,抛光后其表面缺陷明显减少,表面粗糙度的均方根RMS可达埃级,反射率提升幅度明显.并简单分析了反射率提高的主要原因.