氮化硅结合碳化硅耐火材料在钢水中的腐蚀行为

运用扫描电镜（ＳＥＭ）技术，研究了氮化硅结合碳化硅耐火材料在钢水中的腐蚀行为。结果表明，金属与氮化硅结合碳化硅材料之间的界面清晰，基体内部无任何金属渗入，但氧化的材料表面有氧化物粘附。     

孔结构可控的网眼多孔陶瓷的制备

采用一种具有三维网状结构和贯通气孔的有机泡沫体作为载体,首先利用有机泡沫浸渍工艺制备出高气孔率且几乎没有堵孔的网眼素坯,经过排塑、预烧处理获得具有一定强度的预制体．由于未经烧结,预制体的孔筋呈疏松多孔结构．利用粘度较低、流动性很好的浆料对预制体进行涂覆处理．结果表明：通过这种处理,孔筋上的裂纹被消除,非常细的孔筋被避免,孔筋厚度比较均匀,从而获得了结构非常均匀的网眼陶瓷．相对密度、孔筋厚度、孔径大小可以根据徐覆次数来调节．随着涂覆次数的增加,孔径减小,孔筋厚度增加,相对密度也增加．本工作为网眼陶瓷孔结构的精确设计提供了一种新工艺,对于优化其力学性能、渗透率等性能具有重要意义．     

碳化硅网眼多孔陶瓷的微波吸收特性

研究了碳化硅网眼陶瓷的微波吸收特性,发现它比实心材料的吸波性能几乎提高了两倍以上,这种吸波性能的改善主要来自网眼结构对电磁波产生的反射、散射及干涉作用引起的衰减.孔径大小、相对密度、试样厚度等因素对碳化硅网眼陶瓷的微波吸收性能的影响进行了讨论.本工作将为低成本、高性能结构型微波吸收材料的设计提供一条新途径.     

Al对热压MoSi2材料显微结构的影响

本文研究了添加Ａｌ对热压ＭｏＳｉ２材料显微结构的影响,提出了过渡气相烧结的概念。     

砂磨粉碎制备SiC超细粉体

砂磨粉碎是制备超细陶瓷粉体的有效途径之一 ,避免了传统球磨、酸洗工艺对环境的污染。本文采用砂磨粉碎工艺制备 Si C超细粉体 ,研究了砂磨粉碎制备过程中料浆固含量、球料比和砂磨时间等工艺条件对粉体尺寸和尺寸分布的影响 ,在一定工艺条件下 ,将中位粒径为 7.3μm的高纯 Si C粗粉砂磨粉碎 1 8hr,得到了中位粒径为 0 .4 7μm、粉体尺寸分布范围窄、氧含量小于1 .5wt%的超细 Si C粉体。     

高温等静压后处理液相烧结SiC陶瓷的结构与性能表征

本文研究了高温等静压（HIP）后处理工艺对液相烧结SiC陶瓷的显微结构及力学性能的影响．实验表明,HIP后处理的效果随烧结助剂的不同及液相烧结温度的变化而改变．Ar气氛条件下的HIP后处理可以提高液相烧结SiC的密度,减少或消除内部气孔等结构缺陷,但不引起晶粒的长大．N₂条件下的HIP后处理除了具有Ar－HIP后处理的优点外,由于表面SiC与N₂之间的反应生成的Si₃N₄可以有效地改善表面状态,从而达到表面改性,提高SiC陶瓷的力学性能．结构分析表明,经N₂-HIP后处理,表面氮化层中晶粒细小,结构致密．同时,HIP后处理的效果还受液相烧结SiC陶瓷显微结构的影响,当液相烧结SiC的烧结温度较低,晶粒较细时,经HIP后处理,尤其是N₂-HIP后处理,强度和韧性均有较大幅度的提高．     

氧化铝粉体在硅溶胶中分散行为的研究

利用ζ电位、沉降实验、流变学测试研究了氧化铝粉体在硅溶胶中的分散行为。研究发现，硅溶胶分散的氧化铝浆料在pH=10附近沉降量低和粘度最小，表明氧化铝在硅溶胶中分散的最佳pH条件为pH=10左右。还发现氧化铝在硅溶胶中分散受硅溶胶浓度的影响较大，其资料贴度随硅溶胶浓度的增加而减小，在其质量分数为10％－15％之间达到最低；当浓度进一步增加时，其粘度呈现微小的增加。为此，本研究指出，氧化铝在硅溶胶中分散机理为静电位阻稳定，这是由于带负电荷的氧化硅胶粒在氧化铝颗粒表面形成一包覆层，增加了颗粒间的静电斥力位能和产生的一种空间斥力位能。     

多孔陶瓷的制备、性能及应用:(Ⅰ)多孔陶瓷的制造工艺

多孔陶瓷的制备方法很多 ,其成孔机理主要有机械挤出、颗粒堆积、成孔剂、发泡、多孔模板、凝结结构成孔。本文根据成孔机理的不同综述了多孔陶瓷的制备工艺最新研究进展。     

多孔陶瓷的制备、性能及应用:(Ⅱ)多孔陶瓷的结构、性能及应用

综述了多孔陶瓷的结构、性能及应用。相对密度是多孔陶瓷的一个重要结构性质 ,多孔陶瓷的力学性能、热性能、介电性能、渗透性能等都可以直接或间接通过它来描述。多孔陶瓷的应用已遍及冶金、化工、能源、环保、生物等多个领域 ,是一种多功能材料     

增韧SiC陶瓷在蒸馏水润滑下的摩擦学特性

在ＭＭ－２００块－环接触磨损试验上，测定了一种增韧ＳｉＣ陶瓷在蒸馏水下自配对，与ＷＣ＋Ｃｏ硬质合金和等离子喷涂Ｃｒ２Ｏ３涂层配对摩擦系数和摩损系数，利用ＳＥＭ，ＸＰＳ和ＦＴＩＲ等测试技术，观察和分析了磨痕的形貌和化学组成，讨论了摩擦副材料的显微结构和机械性能对ＳｉＣ陶瓷的摩擦学的特性的影响，实验表明，该增韧ＳｉＣ陶瓷大水介质中滑动，ＳｉＣ与水发生化学反应，在磨损表面形成一层由ＳｉＯ２与Ｓｉ（ＯＨ）