U型坩埚内碘化铅熔体中的气泡分析

U型坩埚上升法足生长碘化铅单晶体的一种新方法,它不能自动排除熔体中可能产生的气泡.本文结合已有的实验数据,分析了熔体温度、熔体富碘最对气泡形核临界半径的影响.结果表明:随着熔体温度升高或熔体富碘量增加,气泡长大的临界半径减小.熔体温度低于773K时,气泡长大的临界半径在0.11μm以上,且晶锭中没有气泡.这为优化晶体生长工艺奠定了理论基础.     

碱性条件下钛石膏晶须生长工艺及机理分析

以工业副产钛石膏为原料,氢氧化钙饱和溶液为溶剂,七水硫酸镁为晶型助长剂,采用水热法制备α-半水硫酸钙晶须。研究了碱性环境下反应温度、反应时间、浆料固液比、晶型助长剂用量、体系总体积以及体系pH值对α-半水硫酸钙晶须产率及形貌的影响,分析了晶须的生长机理。结果表明在碱性水热环境中,钛石膏先转变为α-半水硫酸钙,再逐渐依附于既有晶须生长,形成粗大的晶须,在较优的工艺条件下,α-半水硫酸钙晶须产率可达71.6%,晶须表面光滑,长径比为70。     

CdSe探测器的制备与性能

通过测定CdSe室温核辐射探测器的伏安曲线和能谱特性，对探测器制作过程中的表面处理工艺进行了初步研究，结果表明通过适当的表面腐蚀和钝化处理，可以降低表面漏电流，减小探测器噪声，达到提高探测器能量分辨率的目的。     

三元层状陶瓷材料Cr_2AlC的研究进展

铬铝碳(Cr2AlC)因其独特的晶体结构,兼具陶瓷和金属的综合性能,因而拥有广阔的应用前景,是当今新型材料领域的研究热点之一。文章主要从Cr2AlC的晶体结构以及力学、热学、电学及抗氧化性能等方面,对其应用前景、研究现状以及所需解决的问题进行了简要阐述,并指出其未来的研究方向是研发新技术以提高合成Cr2AlC纯度的同时,还需简化操作、降低成本,实现Cr2AlC的大规模工业化生产。     

碳钢膏剂渗硼后的热处理工艺及性能研究

利用正交试验法,获得了较佳的碳钢膏剂渗硼工艺及渗剂配方,分别研究了45钢及TIO钢膏剂渗硼后不同的热处理工艺对渗硼层及基体组织和性能的影响。实验结果表明：45钢在渗硼后渗层显微硬度均在1130HV以上,厚度皆在110μm以上;T10钢渗硼后的渗层厚度均在60μm以上,渗层的显微硬度均在1360HV以上;热处理对渗硼层的硬度及厚度没有影响,但对基体组织及性能有明显影响;渗硼后采用淬火及低温回火工艺,可使基体获得回火马氏体组织,从而提高了基体的硬度,减小了基体与渗硼层的硬度差,也提高了基体对渗硼层的支撑作用。     

CaMnO3热电材料的低温烧结研究

采用固相反应法制备CaMnO3粉末,加入Bi2O3混合、压块后,在900％烧结12h得到样品,并对样品的物相、组织和热电性能进行了测试分析。结果表明：制备出的热电材料是单相的CaMnO3,加入Bi2O3后没有形成可观测的第二相;随着Bi2O3加入量的增加,样品的平均电导率增大,温差电势减小;平均电导率随温度的增加而增加,呈半导体特性,温差电势随温度的增加而增大;加入Bi2O3促进了烧结,降低了烧结温度,改善了材料的热电性能。     

温差对CaMnO3和Ca3Co4O9热电器件输出功率的影响

在低温端散热条件不变的情况下,在较宽的测试温度范围内分别测试了CaMnO3(n-type)和Ca3Co4O9(p-type)单臂热电器件的输出功率,实验结果显示其最大输出功率与温差的平方有较好的线性关系。通过进一步的分析表明,其比例系数正比于Seebeck系数的加权平均值(加权函数为温度梯度函数)的平方与电阻率的平均值之比,是热导率、电导率和Seebeck系数等热电材料性能参数的综合表现,能够方便地测量,可在较宽的温度范围内近似地表征热电材料或器件的性能。     

用磷辅助还原的Sr3Al2O6:Eu2+白色荧光材料

采用高温固相反应法在炭热还原气氛中用（NH4）3PO4.3H2O辅助还原合成了Sr3Al2O6：Eu^2＋白色荧光材料。该荧光材料的主晶相为Sr3Al2O6：Eu^2＋,当磷加入量为10%时,在250 nm紫外光激发下可以在380-650nm范围内发出连续的明亮的荧光。     

SrTiO3熔化过程的分子动力学模拟

对SrTiO3在2×1014 k/s快速升温时的微观结构及其转变过程进行了等温等压分子动力学模拟.模拟表明SrTiO3在温度为2 500K时,能量、体积都同时出现了突变;并且由径向分布函数、离子运动图片表明2 500K时SrTiO3开始熔化.模拟得到的SrTiO3熔点数值与实验值基本吻合.     

黏结剂对Cr_2AlC陶瓷基复合材料组织和性能的影响

以熔盐法自制Cr2AlC粉末为原料,加入质量分数为5%的Al和质量分数10%的Cu作为黏接剂,采用真空-热压烧结技术制备Cr2AlC陶瓷基复合材料,通过SEM、OLYMPUS和HVS-100等方法研究热压工艺、黏接剂、退火工艺对Cr2AlC基陶瓷复合材料组织和性能的影响。结果表明:在Cr2AlC里加入质量分数为5%的Al,在800℃保温2min制备的Cr2AlC基陶瓷复合材料密度4.458g/cm3,硬度718.3HV,电阻率0.042Ω·m;在Cr2AlC里加入质量分数为10%的Cu,在900℃保温2min制备的Cr2AlC基陶瓷复合材料的密度5.188g/cm3,硬度1131HV,电阻率0.019Ω·m。随着烧结温度的升高,复合材料的综合性能更好。