排序方式: 共有82条查询结果,搜索用时 265 毫秒
51.
系统分析了利用超高真空CVD技术在Si衬底上外延Si1-xGex 合金的体内组分分布情况和Ge的表面偏析现象。用SIMS对Si和Ge的组分作了深度剖析。在生长过程中 ,组分均匀 ,在表面Ge浓度减小 ,Si浓度没有明显变化。在不经HF酸清洗和在HF酸中去掉表面自然氧化层的两种情况下 ,用XPS分别对外延层表面进行了定量分析 ,得到Ge的表面偏析与表面自然氧化相关的结论 相似文献
52.
53.
54.
退火处理对ZnO薄膜结晶性能的影响 总被引:30,自引:1,他引:29
研究了退火处理对Zn O薄膜结晶性能的影响.Zn O薄膜由直流反应磁控溅射技术制得,并在O2 气氛中不同温度(2 0 0~10 0 0℃)下退火,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)对其结晶性能进行了研究,提出了一个较为完善的Zn O薄膜退火模型.研究表明:热处理可使c轴生长的薄膜取向性增强;随退火温度的升高,薄膜沿c轴的张应力减小,压应力增加;同时晶粒度增大,表面粗糙度也随之增加.在6 4 0℃的应力松弛温度(SRT)下,Zn O薄膜具有很好的c轴取向,沿c轴的应力处于松弛状态,晶粒度不大,表面粗糙度较小,此时Zn O薄膜的结晶性能最优. 相似文献
55.
56.
本文综述了目前国内外在工作波长1.3~1.5μm的SiGe/Si超晶格探测器和工作波长为8~12μm的SiGe/Si异质结长波长红外探测器方面的研究进展,并分析了存在的问题和材料的各种生长方法。 相似文献
57.
58.
固体源化学气相沉积生长c轴平行于衬底的ZnO薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了利用固体源化学气相沉积(SS-CVD)技术制备出c轴平行于衬底的ZnO薄膜.固体Zn(CH3COO)2*2H2O为前驱体,在不同的生长条件沉积ZnO薄膜,并利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、光学透射谱对其性能进行研究.结果表明,在玻璃衬底上,当衬底温度较低(200℃)、源温较高(280℃)时,ZnO薄膜呈(100)与(110)的混合取向,即c轴平行于衬底.对此,文中给出了一个可能的定性解释.AFM测试表明薄膜表面平整度不够理想,该薄膜在可见光区域透射率为85%,光学带宽约为3.25eV. 相似文献
59.
60.