PTA压力离心机转子的改造

介绍了PTA压力离心机的主要性能参数、工作原理、分离效果的影响因素。为了增大沉渣在过渡区及脱水区滞留的时问，同时为达到在过渡区及脱水区对沉渣加入纯净水进行再冲洗的目的，对螺旋送料转子、挡液环、进料管进行了改造。改造后，沉渣在脱水区的停留时间由0．44a增至0．72s，2．5～3t／h的冲洗水对脱水区的沉渣进行冲洗效果较好。产品中的杂质质量分数较改造前减少15％，产品优等品率提高到99％。     

空间分析研究

提出了空间分析的概念及其功能实现的四个层次,分析了基于GIS空间分析的现状,并对以神经网络、进化计算和人工生命为主要代表的智能计算工具的特点、功能、适用领域进行了阐述,指出它们将为未来空间分析的发展提供良好的前景。     

装备知识管理效用及实施策略分析

知识军事时代，知识逐渐成为战斗力提升的核心要素。武器装备的知识化管理，即装备知识管理，作为一种新的管理理念逐渐引起人们的重视，并将成为武器装备管理发展的新趋势。从探讨装备领域实施知识管理（knowledge management，KM）的重要性及目前装备工作中存在的现实问题出发，从提高装备决策质量、提升装备人才工作能力、防止装备知识流失、促进装备知识传递等方面分析了实施装备知识管理可能产生的效用。同时，还分析了装备知识管理实施的基本策略，以此为基础概括出了装备知识管理具有操作意义的实施步骤。     

择形催化合成2,6-DMN的研究进展

介绍了2,6-二甲基萘(2,6-DMN)的制备方法,详细论述了萘、甲基萘在分子筛催化剂上择形催化合成2,6-DMN的研究进展,提出了择形催化合成2,6-DMN的研究方向。     

2个含苯甲酰胺基偶氮苯类化合物的合成及光致变色

通过相转移催化剂PEG-400高产率合成了2个含苯甲酰胺基偶氮苯类化合物，通过核磁共振氢谱，红外光谱元素分析表征了其结构；经365nm的紫外光照射该化合物的DMSO溶液后测其紫外可见吸收光谱，表明化合物具有良好的光致变色性。     

热轧板退火温度对6×××系铝合金β"相析出动力学的影响

采用差示扫描量热法(DSC)研究热轧板退火温度对6×××系铝合金时效过程中β"相析出动力学的影响.计算热轧板在不同退火温度下β"相形成激活能,并对不同热轧板退火温度的试样模拟烤漆后进行力学性能实验.结果表明随着热轧板退火温度的提高,β"相的形成激活能略微降低,表明在时效过程中β"相更容易形成,合金的模拟烤漆强度因此得到提高.热轧板退火温度的提高,增大了基体中的Mg、Si原子的过饱和度,即增大了时效过程中β"相的形成驱动力,从而提高合金的模拟烤漆强度.     

克拉-2气田射孔工艺研究

克拉-2气田具有5大射孔难题:射孔井段长、地层压力大、产气量大、流体中腐蚀性物质和不宜丢枪,作业风险非常大。提出了带枪生产的射孔方案和射孔后取枪生产2种射孔方案,通过分析对比优选出最佳方案——最终选定模块式射孔枪过油管方案,并对该方案作了较为详尽的叙述,在后来的施工中成功地得到了印证。     

建筑雷击电位分布模拟软件诞生

由天津城市建设学院联合天津中力防雷技术有限公司共同承担的“建筑物与构筑物雷击电位分布模拟系统开发与应用研究“课题是2D03年正式在建设部立项研究的科技项目．于2005年11月17日通过了建设部科技司委托天津建委组织的专家验收，专家组一致认为该项且研究成果在工程应用领域达到了国内领先水平，具有广泛地应用前景。该项目研制开发出雷击建筑物的计算软件，定量地分析雷击时，在建筑物钢筋网内形成的电位、电流和电磁场分布情况，从而为防雷设计提供了设置防雷装置的设备和依据，为防雷施工检测提出了施工要求、检测依据，并可辅助雷电事故分析。     

延迟破胶及强制裂缝闭合技术的研究及应用

采用延迟破胶技术,在压裂施工过程中加入不同浓度的胶囊破胶剂,利用它的延缓释放特性,使植物胶压裂液耐温、耐剪切稳定性增强,并且可以在不造成压裂液的流变性、滤失性和携砂性等过早丧失的前提下高浓度使用胶囊破胶剂。该技术与常规破胶技术相比,延缓释放率达50%,能更有效地清除液体残渣,减少压裂液对储层的伤害。同时由于有延缓破胶的特性,放喷采用相应的措施,可以降低支撑剂沉降速度,形成较好的沉砂剖面,提供高的裂缝导流能力,并且可以降低滤饼和压裂液残渣的伤害。     

中美纳电子技术发展对比研究(续)

3 中美纳米技术经费支持对比 3．1 美国 NNI计划出台之前，美国政府对纳米技术研发的投入力度并不算大，如1997年投入约为1．16亿美元，比日本政府的投入（1．20亿美元）稍低，但也比除日和西欧国家之外的其他国家（包括中国、加拿大、澳大利亚、韩国、新加坡以及前苏联各共和国等）政府投入的总和（约0．71亿美元）高得多：NNI计划出台之后，美国政府对纳米技术研发的投入大幅度增加。2001年，美国政府纳米技术研发投入从2000年的2．70亿美元增加到4．22亿美元，净增1．52亿美元，年增幅达56．3％；2002年度美国政府的纳米技术投入预算为5．189亿美元，比2001年度约增长了23％。这种高增幅在美国政府其他方面的预算中并不多见。