强度储备法在飞来峡土坝稳定性分析中的应用

强度储备法抓住影响坝体稳定因素中最关键的强度指标，通过研究不同强度参数所对应的破坏区域的演变关系，分析坝体的稳定性和潜存的破坏机理，在混凝土坝和岩体结构的稳定分析中得到了普遍应用。但将强度储备法应用于土坝稳定性分析中属首次，以飞来峡水利枢纽土坝为例，采用二维有限元强度储备法对其稳定安全系数进行了计算分析，研究了边坡的失稳破坏机理，对安全性进行了评价，为运行管理提出了一些有益的参考意见。     

MEMS运动件的芯片外机械驱动方法

研究MEMS微结构的片外机械式驱动问题 ,介绍了在MEMS硅芯片背面贴合一块宏观尺度PZT片的驱动思想即PZT产生机械运动 ,在硅固定件与微运动件之间产生动量耦合 ,从而驱动微运动件。重点探讨脉冲驱动、振动驱动两大类基本驱动方法及其特点 ,介绍国外代表性研究结果 ,并提出对该方法进一步研究的观点与设想。     

低掺杂浓度Nd:YVO4激光器的输出特性研究

在对Nd:YVO_4晶体的掺杂浓度和晶体长度对激光器性能的影响进行了分析后,报道了利用掺杂浓度为0.3at％,通光长度为10mm的Nd:YVO_4晶体作为增益介质,带光纤耦合的激光二极管端面抽运的Nd:YVO_4激光器。在抽运功率为27.365W时,获得了14.85W的TEM_(00)模输出,光一光转换效率为60.49％,斜效率达64.5％。     

大功率半导体激光器全固态风冷散热系统

设计并制作了一种全固态大功率半导体激光阵列恒温散热系统。它利用半导体制冷器对大功率半导体激光阵列吸热,然后经由风冷散热。经测试,单bar激光阵列连续输出功率达到15.28W,双 bar 阵列输出达 27.8W 时,全部达到风冷散热控温精度±0.1 ;当环境温度达到 45 时,仍然能够保证激光阵列的正常使用。     

AlxGa1-xAs选择性湿法氧化技术的研究

详细研究了温度和Al组分与AlxGa1-xAs横向氧化速率的关系,通过分析氧化机制和实验得到的氧化宽度与时间的线性关系,指出在较短时间内的氧化为受AlxGa1-xAs材料与水汽反应速率限制的过程。运用优化的氧化条件,成功制备了氧化孔径为8μm的垂直腔面发射激光器,最大直流光输出功率为3.2mW,激射波长为978nm,工作电流为15mA。     

钕铁硼在低音扬声器磁路中的应用

介绍适用于低音扬声器的两种不同充磁方向磁体联合应用磁路。讨论了联合应用磁路所用钕铁硼磁体的压制成型、磁性能检验、装配和充磁。     

非均匀材料破坏过程数值模拟的边界元法研究

用格子模型和统计分布模拟非均匀材料性质的初始分布,针对二维非均匀材料格子模型建立了重复多子域边界元法求解方程。通过把各行子域集成为亚子域,然后对链状排列的亚子域应用域转移矩阵法进行求解。由于使用的域转移矩阵法对内存的要求仅略大于一个亚子域的求解,以及重复多子域法只需要进行一次系数矩阵积分,因而可以大大提高求解的规模和效率。在此基础上,对非均匀脆性材料在简单载荷作用下的破坏过程进行了数值模拟。采用重复多子域法和域转移矩阵法,可以得到子域内高精度的连续应力分布,为进一步研究非均匀材料裂纹萌生、扩展和破坏过程提供了基础。     

纤维共晶生长界面前沿三维扩散场解析

修正Ｊａｃｋｓｏｎ和Ｈｕｎｔ关于在垂直生长方向截面上溶质扩散各向同性假设，求解三维Ｌａｐｏｌａｃｅ方程，获得纤维共晶生长界面前沿三维稳态扩散场，并证明Ｊａｃｋｓｏｎ和Ｈｕｎｔ的二维模型是实际生长的二维简化和一阶近似，并用丁二腈（ＳＣＮ）一梓脑（ＣＡＭ）纤维共晶系统计算生长界面前沿溶质分布。     

镀Cu碳毡／环氧树脂复合的研制

研究了镀Ｃｕ碳毡／环氧树脂（ＣｕＣＦ／ＥＰ）复合材料的制备，并探讨了镀Ｃｕ量对碳毡电阻率，复合材料电阻率及其电磁屏蔽效率的影响规律，经合理工艺制得的镀Ｃｕ碳毡（４００ｍｇ．ｇ＾－１Ｃｕ－ＣＦ）含量为３００ｍｇ．ｇ＾－１ＣｕＣＦ／ＥＰ复合材料，其电磁屏蔽效率可在２０＝－１０００ＭＨＺ范围内达到６０ｄＢ。     

新颖的基于小波变换的数字水印方案

随着计算机网络技术与多媒体技术的快速发展，数字产品的版权保护已经成为信息技术领域中最重要的问题之一，提出了一种新颖的基于离散小波变换的数字水印方案，该方案利用改进的Pacthwork算法，将水印嵌入到LL子带中，水印信号在解码过程中无需使用原始图像可快速地重嵌入，该算法利用BCH码来降低误码率，应用所提出的算法，把一个32个字符的水印嵌入到图像中，实现结果表明水印是不可察觉的，经过JPEG有损压缩，低通与中值滤波等图像处理操作后仍是鲁棒的。