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镀锌生产线的退火炉在试生产期间由于工艺不完善,影响镀锌线正常生产,镀锌彩涂板厂通过对退火炉工艺进行完善和优化,使退火炉能够正常发挥其功能,为提高镀锌彩涂产品质量打下了基础。 相似文献
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GaN HEMT器件经过钝化后,抑制电流崩塌效应明显,但同时产生其他负面效应,为了改善目前GaN HEMT钝化后漏电增加和击穿电压减小等情况,研究了钝化技术对GaN HEMT电流特性的影响,包括介质膜应力、折射率和表面预处理与器件饱和电流、电流崩塌量的关系,优化了表面预处理和钝化工艺条件.实验效果在CaN HEMT电特性上的改善明显.结果表明,采用折射率为2.1~2.2的SiN钝化膜,饱和电流密度增加到1 100 mA/mm,电流崩塌量小于10%,肖特基接触反向偏压为-20 V时泄漏电流达10-5A数量级. 相似文献
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苏通大桥是我国在长江河口地区建设的世界首座跨径超千米的斜拉桥,主塔基础位于深水潮汐急流河段,采用钻孔灌注桩群桩基础,是规模最大的群桩基础。对于深水急流条件下的群桩基础,为承台提供施工条件的钢吊箱的高精度施工是一个关键难题。从沉放方案选择、结构方案设计、制作和安装、整体沉放工艺、同步性控制及定位等方面阐述了苏通大桥主塔基础5 800 t钢吊箱的整体沉放技术与工艺。其中,将钻孔桩施工平台与钢吊箱底板结合的结构方案和钢吊箱整体沉放工艺、同步性控制和定位技术具有明显的创新性。 相似文献
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背面通孔是GaAsMMIC制造工艺中的一个重要步骤。通路孔在接地灵活性和减少接地电感方面比其它接地方法更具优越性[1] 。背面通孔的形貌和大小将会对后面的工艺产生很大的影响。因此 ,使用SEM对背面通孔工艺进行研究变得尤为重要。样品制备样品正面用高温蜡粘在蓝宝石衬底上 ,背面蒸30 0nm的镍 ,作为掩膜。背面通孔在PlasmaTherm790平板型RIE中进行 ,通孔结束后 ,背面金属化 ,背面电镀。将样品从通孔的中间位置切开 ,用双面胶带纸将样品粘在特制的样品台上。样品制作好后 ,选择 15kV高压 ,在不同放大倍数下 ,用… 相似文献
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PHP泥浆在桥梁超长超大直径钻孔灌注桩施工中的应用 总被引:14,自引:0,他引:14
PHP(partiallyhydrolyzedpolyacrylamide)泥浆是一个特别适合于超长超大直径钻孔灌注桩施工的泥浆系统。制作原料、制作过程、循环系统及施工控制等是决定其经济性、高效性的关键因素。苏通大桥工艺试桩工程根据工程场区独特的地质、水文条件确定了适合该工程的PHP泥浆循环系统,以实践证明采用该系统可以实现桩侧泥皮厚度小于1mm、桩底沉渣厚度为0cm。 相似文献
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经过计算机模拟计算。得出了喹啉精制系统扩容改造方案的可行性。生产实际表明,将原浮阀塔板改为高效填料,既节约了投资,又扩大了原塔的处理能力,还保证了产品质量。 相似文献
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在n型4H-SiC衬底上的n型同质外延层的Si面制备了纵向肖特基势垒二极管(SBD),研究了场板、场限环及其复合结构等不同终端截止结构对于反向阻断电压与反向泄漏电流的影响。场板(FP)结构有利于提高反向阻断电压,减小反向泄漏电流。当场板长度从5μm变化到25μm,反向阻断电压随着场板长度的增加而增加。SiO2厚度对于反向阻断电压有重要的影响,当厚度为0.5μm,即大约为外延层厚度的1/20时,可以得到较大的反向阻断电压。当场限环的离子注入区域宽度从10μm变化到70μm,反向阻断电压也随之增加。FLR和FP复合结构对于改善反向阻断电压以及反向泄漏电流都有作用,同时反向阻断电压对于场板长度不再敏感。采用复合结构,在10μA反向泄漏电流下最高阻断电压达到1 300V。讨论了离子注入剂量对于反向阻断电压的影响,注入离子剂量和反向电压的关系表明SBD结构不同于传统PIN结构的要求。当采用大约为150%理想剂量的注入剂量时才可达到最高的反向阻断电压而不是其他报道的75%理想剂量,此时的注入剂量远高于PIN结构器件所需的注入剂量。 相似文献
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现今气体包装在许多领域,如食品、机械、电子、化工、航空、核工业(气体保护)、军工等部门都得到一定程度的应用,由于不同气体具有不同的理化特性和可压缩性的物理性,随着科技的进步,人们科学地掌握了这些气体的理化特性,从而将这些理化特性运用在上述领域里并取得很好的效果。 相似文献
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正在气调包装中,对配比气含量的检测是一项十分重要的工作。因为气调包装中配比气含量随时在发生变化,这些变化将直接影响被包装食品和物品的质量,因此要对配比气的组分含量的变化进行监控,发生改变的因素大致有被食品所吸收而降低配比气体某些组分含量;食品本身释放一些气体改变气体含量的浓度; 相似文献
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在分析碎裂岩体结构特征及力学作用模型的基础上,介绍了碎裂岩体中的接触非线性有限元分析方法。并以某水电站地下洞室围岩为例,验证了该分析方法的适用性。 相似文献