高灵敏度的CMOS霍尔磁场传感器芯片设计

以霍尔电压及失调电压的状态为出发点,提出了一种更简单的霍尔信号再生电路设计方案.即采用由传输门、保持电容和电压跟随器构成的采样保持电路实现对混叠信号(包括霍尔信号和失调电压)180°移相,再经相减电路去除失调电压.后仿真结果表明该芯片工作在2.5～3.3 V电压下,能对0.1 mV的霍尔信号进行1 500倍放大并输出CMOS数字信号,可允许的最大失调电压为4 mV.     

用MCA方法研究不同涂层对钢板三点弯曲的影响

简要介绍了MCA方法的数学模型及理论基础，使用该方法对具有不同形状涂层的钢板进行三点弯曲的计算模拟试验，并对其变形和断裂过程进行研究，从而可以更深入了解涂层的性能，为设计提供理论依据。     

轴键槽对称度专用量具及检测方法

任何机器都是由若干相互关联的零部件以一定的组合方式,按规定的技术要求装配而成。平键联结是机械联结的主要方式之一,它不仅用于各种机器内部,也用于机器间的联结,而应用最广泛的则是普通键联结,即通过联轴器或皮带轮,将两台机器的传动轴联结在一起,起到传动扭矩的作用。按JB/DQ3334.1-88中小型电机产品分等通则规定,电机轴伸键槽对称度是安装尺寸的考核项目之一,并规定轴伸键槽对称公差不得低于9级。目前轴伸键槽对称度的检测国内尚无较理想的方法,它直接影响着电机零部件装配的互换性,也影响产品质量的认证、定级分等及产品创优等工作。为了解决生产的急需,我们研制了一种专用检测量具,使用这种检测量具,可以测得位移误差和位斜误差,提高检测效率,也为电机行业提供了一种对称度检测简易又在一定范围通用的量具。     

用共注吹设备制造双层塑料啤酒瓶方案

制作双层塑料瓶通常采用共挤吹机械,利用共注吹设备制造双层塑料瓶却少有报道。共注吹生产的双层塑料啤酒瓶是一种全新思想的产品,需要在包括原材料、机械、模具、工艺以及产品细部结构等方面做相应的改变。以下作一个具体的介绍。一、结构图形双层塑料啤酒瓶采用内外两层塑料复合而成。内层料的厚度较薄,外层料较厚,瓶子各处两层料的厚度可根据需要作相应的调整;瓶子尺寸及形状可任意设计;瓶嘴部做特殊处理,将内层料翻包到外层。二、原材料塑料啤酒瓶的阻隔性、耐热性、耐气压性、力学性能等有严格的要求,同时又有降低成本的要求,所以,其原…     

交流特高压1000kV级绝缘子选型研究

为了进行特高压1000kV线路绝缘子选型,对不同类型的大吨位大盘径绝缘子,在不同污秽条件、不同气压下进行了系列的人工污秽试验。试验表明,随着海拔高度的升高,绝缘子的闪络电压会有规律地降低。绝缘子的伞型和污闪电压之间有直接的联系。提出了特高压1000kV交流绝缘子选型建议。建议在轻污秽及中等污秽地区首选三伞型绝缘子,在轻污秽地区,也推荐采用双伞型绝缘子。对于中等及以上的重污秽地区,建议采用复合绝缘子。建议在特高压1000kV上不采用该300kN普通型绝缘子。     

基于双尾鳍式的新型仿生自主式水下机器人

为了解决现有自主式水下机器人续航时间短和水中所受阻力大等问题,文中主要设计了一种基于仿生学原理、死点定理和摆动导杆机构的双尾鳍式新型的自主式水下机器人,并详细介绍了它的运行、组成及各个模块的作用。它具有投放回收方便简单、所受阻力小和续航能力久等特点。这种设计在用于复杂的海底勘探和海底维修、救援等任务中增大了该自主式水下机器人的使用程度,并能达到较高的效率。     

AZ91D镁合金半固态浆料近液相线法制备工艺

以AZ91D为试验原料,通过改变近液相线的浇铸温度、静置时间等不同的试验参数,研究近液相线法制备半固态浆料的工艺,并对获得的试样进行微观组织、力学性能和断口形貌分析。结果表明,在585℃,静置20~40min后浇铸,能获得较理想的半固态组织,且试样的力学性能较好。     

基于网络的离线式设备点检管理系统的设计与实现*

针对现代化企业中机械设备复杂性和多样化的发展现状,构建了一种离线式的网络化设备点检系统。介绍了系统的整体构架和工作流程,重点描述了系统中各层的设计和关键性技术。该系统将网络与数据库技术相结合,采用三层C/S结构的系统架构,在建立网络化远程诊断和设备点检体系的同时,将设备管理与底层数据采集有机融合,为企业成功开展设备监测提出了详细的实现方案。     

化学品危险性鉴别、分类及管理

介绍了化学品危险性类别与分类程序，以及鉴别分类的管理工作，提出了化学品危险性鉴别及分类是化学品安全管理的基础工作，只有基础工作做好了，才能有效地预防和控制化学品的危害。     

三相屏蔽电缆布线对磁场屏蔽效能的影响

利用理论分析和数值仿真两种方法,从电路和磁场两个角度分析了三相屏蔽电缆布线方式对磁场屏蔽效能的影响。通过仿真分析发现,当三相屏蔽电缆采用等边三角形布置时,比采用并排直线布置方式具有更佳的磁场屏蔽效能,可有效避免通过额外增加整改器件来抑制磁场辐射发射,大幅降低后期磁场抑制成本。